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[发明专利]一种六层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构-CN202011038842.8有效
发明人：戴广乾;廖翱;易明生;徐诺心;林玉敏;边方胜;龚小林;笪余生;潘玉华;向伟玮 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种六层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括：从表面至底面分布的6层图形化金属线路层，依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、第三层图形化金属线路层、第四层图形化金属线路层、第五层图形化金属线路层和第六层图形化金属线路层；位于相邻图形化金属线路层之间的5层绝缘介质层；位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中，且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽；位于图形化金属线路层与绝缘介质层之间的多个盲孔。
一种布线 lcp 封装制造方法芯片系统结构

[发明专利]一种六层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构-CN202011038791.9有效
发明人：戴广乾;徐诺心;景飞;曾策;笪余生;龚小林;马宁;蒋瑶珮;林玉敏;王栋 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种六层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括：从表面至底面分布的6层图形化金属线路层，依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、第三层图形化金属线路层、第四层图形化金属线路层、第五层图形化金属线路层和第六层图形化金属线路层；位于相邻图形化金属线路层之间的5层绝缘介质层；位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中，且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽；位于图形化金属线路层与绝缘介质层之间的多个盲孔。
一种布线 lcp 封装制造方法芯片系统结构

[发明专利]一种六层布线任意层互联LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构-CN202011038843.2有效
发明人：戴广乾;曾策;徐诺心;谢国平;廖翱;易明生;潘玉华;马磊强;赵鸣霄;徐榕青 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种六层布线任意层互联LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括：从表面至底面分布的6层图形化金属线路层，依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、第三层图形化金属线路层、第四层图形化金属线路层、第五层图形化金属线路层和第六层图形化金属线路层；位于相邻图形化金属线路层之间的5层绝缘介质层；位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中，且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽；贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔。
一种布线任意层互联 lcp 封装制造方法芯片系统结构

[实用新型]一种发光二极管及灯具-CN201920263680.4有效
发明人：张灿源;徐宸科;李佳恩 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管及灯具，第一图形化金属层，形成于发光外延叠层的第二表面一侧，第一图形化金属层之间具有第一绝缘介质层；第二图形化金属层，至少形成于所述第一图形化金属层之远离发光外延叠层的表面上；第一图形化金属层的电迁移率大于第二图形化金属层；第二图形化金属层未完全覆盖或正好覆盖第一图形化金属层之远离发光外延叠层的表面，利用本实用新型设计的发光二极管单元的透明绝缘介质结构可制作更大反射金属面积的发光二极管
图形化金属层外延叠层发光本实用新型发光二极管发光二极管单元透明绝缘介质绝缘介质层第二表面反射金属电迁移灯具覆盖制作

[发明专利]一种LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构-CN202011038726.6有效
发明人：舒攀林;戴广乾;张童童;徐诺心;易明生;赵鸣霄;罗洋;谢国平;龚小林;卢军 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括：从表面至底面分布的n层图形化金属线路层，依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、…、和第n层图形化金属线路层；位于相邻图形化金属线路层之间的绝缘介质层；位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中，且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽；贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔
一种 lcp 封装制造方法芯片系统结构

[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法-CN201310206973.6有效
发明人：张化宇;汪桂根;崔林;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括如下几个步骤：步骤A:在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝膜；步骤B:在金属铝膜上施涂光刻胶膜，烘干;步骤C:进行激光干涉曝光、显影，获得光刻胶图形；步骤D:以金属铝膜上图形化光刻胶为掩膜，采用反应离子刻蚀金属铝膜和去胶，在蓝宝石基片上获得金属铝膜凸台的图形化金属铝膜；步骤E:进行低温热处理，使图形化金属铝膜充分氧化成为图形化多晶Al2O3膜;步骤F:将得到的图形化多晶Al2O3膜进行高温热处理，使图形化多晶Al2O3膜完全转化为图形化单晶Al2O3膜，即得到图形化蓝宝石衬底。本发明的图形化蓝宝石衬底的制备方法，工艺简单易行，成本低，面积大。
一种图形蓝宝石衬底制备方法

[发明专利]一种应用于MicroLED的键合及像素图形化制备方法-CN202211264190.9在审
发明人：彭劲松;汪曾峰;杨建兵;刘书异;吴焱;秦昌兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于MicroLED的键合及像素图形化制备方法，包括步骤：制备有图形化键合金属层的第一基板和制备有未图形化键合金属层的第二基板，第一基板和第二基板进行晶圆级金属键合实现MicroLED的键合，键合完成后对第二基板上的未图形化键合金属层进行像素图形化，实现MicroLED的像素图形化制备。本发明在键合金属制备时形成单面图形化，降低晶圆级键合时的对准要求和像素图形化时的金属刻蚀难度，消除侧壁围栏，减少金属飞溅和颗粒残留，大幅度提升器件的整体性能和良率。
一种应用于 microled 像素图形制备方法

[发明专利]一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法-CN201310185311.5有效
发明人：王浩敏;孙秋娟;谢红;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法，以耐酸性不同的金属为过渡图形化掩模层，首先利用两步图形化技术，在非金属衬底表面将图形转移到光刻胶上，沉积金属并剥离，得到有图形化金属的衬底，再在留有金属图形的衬底上沉积竖直石墨烯材料，经过酸液腐蚀，去除反应活性较高的金属，以实现薄膜材料的图形化。本发明提供的图形化技术使用于各种非金属衬底尤其是绝缘衬底上二维晶体材料的器件加工工艺。
一种基于竖直石墨发射电极图形制备方法

[发明专利]一种四层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构-CN202011039690.3有效
发明人：戴广乾;易明生;廖翱;边方胜;高阳;潘玉华;笪余生;舒攀林;闵显超;王栋 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种四层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括：从表面至底面分布的4层图形化金属线路层，依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、第三层图形化金属线路层和第四层图形化金属线路层；位于相邻图形化金属线路层之间的绝缘介质层；位于绝缘介质层中且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽；贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔。
一种布线 lcp 封装制造方法芯片系统结构

[发明专利]线圈及其制作方法-CN201910696675.7在审
发明人：蒋乐跃;李大来;亚历克斯·瑞宾斯基 -专利权人：新纳传感系统有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：所述线圈的制作方法包括：在圆片的第一表面沉积金属并图形化得到第一表面图形化金属；在所述圆片的第二表面蚀刻通孔，所述通孔从第二表面延伸至第一表面；在刻蚀有所述通孔的圆片的第二表面沉积金属并图形化得到通孔金属以及第二表面图形化金属；对所述圆片进行划片得到多个相互独立的线圈，其中每个线圈包括第一表面图形化金属、通孔金属以及第二表面图形化金属，其中第一表面图形化金属通过所述通孔金属与第二表面图形化金属互连。
图形化金属第二表面通孔第一表面圆片制作沉积金属图形化金属蚀刻感应电磁场低成本互连划片刻蚀延伸

[发明专利]金属互连方法和金属层图形化方法-CN200710044350.8有效
发明人：郭得亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连方法，包括：提供连接基体；在所述连接基体上形成通孔；形成覆盖所述连接基体并填充所述通孔的金属层；在所述金属层上形成有机抗反射层；形成图形化的抗蚀剂层；以图形化的抗蚀剂层为掩膜，图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层一种金属层图形化方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成金属层；在所述金属层上形成有机抗反射层；形成图形化的抗蚀剂层；以图形化的抗蚀剂层为掩膜，图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层可减少金属互连形成过程中金属层图形间沉积物的产生。
金属互连方法图形

[发明专利]一种四层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构-CN202011038715.8有效
发明人：戴广乾;陶霞;高阳;罗洁;笪余生;曾策;舒攀林;马宁;林玉敏;徐榕青 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种四层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括从表面至底面分布的4层图形化金属线路层，依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、第三层图形化金属线路层和第四层图形化金属线路层；所述第一层图形化金属线路层的最外围至少一条边上，分布有对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形；位于相邻图形化金属线路层之间的绝缘介质层；位于绝缘介质层中且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽；贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔
一种布线 lcp 封装制造方法芯片系统结构

[发明专利]一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201610108201.2在审
发明人：徐苗;李民;彭俊彪;王磊;邹建华;陶洪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过如下步骤进行：a.在衬底上制备缓冲层；b.在缓冲层上连续沉积不透明的绝缘性质的遮光层和金属氧化物半导体层，再图形化所制备的金属氧化物半导体层作为有源层，同时利用图形化后的金属氧化物半导体层即有源层作为自对准图形，图形化遮光层；c.在有源层上连续沉积第一绝缘层和第一金属层，然后图形化第一金属层作为栅极电极，再利用图形化的栅极电极、采用自对准的方法，图形化第一绝缘层作为栅极绝缘层；d.沉积并图形化第二绝缘层作为钝化层；e.在钝化层上沉积并图形化第二金属层，作为源漏电极层。
一种结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构-CN202011039824.1有效
发明人：廖翱;高阳;易明生;戴广乾;曾策;边方胜;马宁;谢国平;卢军;林玉敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括：从表面至底面分布的n层图形化金属线路层；位于相邻图形化金属线路层之间的绝缘介质层；第二层图形化金属线路层和第三层图形化金属线路层之间的绝缘介质层，由LCP基板和非LCP材料基板构成；位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中，且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽；所述盲槽包括芯片安装盲槽和围框焊接盲槽；贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔
一种 lcp 封装制造方法芯片系统结构

[发明专利]一种铌酸锂超构表面的制备方法-CN202111032740.X在审
发明人：任梦昕;靳春艳;兀伟;曹雷;蔡卫;张心正;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂超构表面的制备方法，通过在铌酸锂基材上沉积金属膜，作为聚焦离子束图形化和干法刻蚀中的掩膜，防止铌酸锂光栅结构顶端椭圆化；通过聚焦离子束图形化金属膜及铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材，降低了工艺复杂性及工艺难度；通过干法刻蚀对图形化的铌酸锂基材去损，实现去除聚焦离子束图形化铌酸锂基材导致的铌酸锂光栅结构表层污染及非晶化；湿法去除图形化的金属膜，最终得到高光学质量的铌酸锂光栅。
一种铌酸锂超构表面制备方法

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