“李长进”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果73个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种碳化硅晶体及其制备方法-CN201910324913.1有效
发明人：李加林;张红岩;窦文涛;宗艳民;李斌;高超;刘家朋;李长进;李宏刚;孙元行;刘鹏飞 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅晶体及其制备方法，属于晶体材料制备领域。该碳化硅晶体的制备方法包括：将坩埚主体内的原料升华后经包括至少一个螺旋隔板组件形成的螺旋气流通道气相传输至籽晶表面进行长晶，制得碳化硅晶体。本申请的碳化硅晶体的制备方法改变了传统PVT法制备碳化单晶的气相传输方式，由传统的垂直向上传输转换为螺旋向上传输，实现对晶体生长过程中大颗粒杂质的有效格挡，降低晶体中的缺陷密度，提高晶体质量；并且不会造成气相向上传输困难，无需过高生长温度，降低能耗；本申请可以对真空下的气相传输起到控制作用，真空下的单晶生长速率快、生长温度低，且气相可以有序向上传输，生长的晶体缺陷少，降本增效。
一种碳化硅晶体及其制备方法

[实用新型]一种用于制备高质量晶体的坩埚组件-CN201921099080.5有效
发明人：高超;宁秀秀;李霞;刘家朋;李加林;李长进;窦文涛;梁晓亮 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于制备高质量晶体的坩埚组件，属于晶体制备领域。该用于制备高质量晶体的坩埚组件包括：坩埚，其包括坩埚主体和盖合在所述坩埚主体的坩埚盖；籽晶支架，所述籽晶支架固定在所述坩埚内，所述籽晶支架用于固定所述籽晶；和原料块支架，所述原料块支架设置在所述坩埚内，所述原料块支架用于支撑所述原料块。该坩埚组件用于以原料块为原料制备单晶，且坩埚组件的设置方式可以制得制得高质量的单晶；坩埚组件的结构可以根据实际需要设置原料块的位置，方便调节原料、籽晶在热场中的位置，制得高质量的单晶。
一种用于制备质量晶体坩埚组件

[发明专利]一种碳化硅单晶生长装置-CN201811303461.0有效
发明人：刘鹏飞;刘家朋;李加林;李长进;孙元行;李宏刚;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：原料部、接收部和气相流通区域；所述原料部用于放置原料，并提供原料受热升华的场所；所述接收部用于接收原料升华后得到的产品；所述原料受热升华后经过气相流通区域到达接收部；在气相流通区域设有凝结碳吸附部，所述凝结碳吸附部用于吸附在气相流通区域形成的凝结碳；还包括控制部，所述控制部用于调节气相流通区域的压力分布。本申请使到达上部籽晶附近的SimCn不管是在组分还是温度分布上都非常均匀；得到表面均匀且无小片多型的高质量SiC晶体；本申请增加组分从原料到籽晶表面的的驱动力。
一种碳化硅生长装置

[实用新型]一种用于长晶的坩埚组件-CN201920555510.3有效
发明人：李加林;张红岩;窦文涛;宗艳民;李斌;高超;刘家朋;李长进;李宏刚;孙元行;刘鹏飞 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于晶体生长的坩埚组件，属于晶体材料制备领域。该坩埚组件包括：坩埚主体；坩埚盖，所述坩埚盖内侧可设置籽晶；螺旋隔板组件，所述螺旋隔板组件设置在所述坩埚主体内，所述螺旋隔板组件的构造可形成螺旋气流通道。本申请的坩埚组件通过螺旋隔板组件设计，改变传统PVT法制备碳化单晶的气相传输方式，由传统的垂直向上传输转换为螺旋向上传输，实现对晶体生长过程中大颗粒杂质的有效格挡，降低晶体中的缺陷密度，提高晶体质量；并且不会造成气相向上传输困难，无需过高生长温度，降低能耗；本申请可以对真空下的气相传输起到控制作用，真空下的单晶生长速率快、生长温度低，且气相可以有序向上传输，生长的晶体缺陷少，降本增效。
一种用于坩埚组件

[发明专利]一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底-CN201811204690.7有效
发明人：高超;刘家朋;李加林;李长进;李霞;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶包含浅能级杂质、低浓度深能级掺杂剂和极少量本征点缺陷；所述深能级掺杂剂与所述本征点缺陷共同补偿浅能级杂质，所述深能级掺杂剂的浓度小于掺杂半绝缘碳化硅单晶中深能级掺杂剂的浓度；所述本征点缺陷的浓度为室温下碳化硅单晶中的本征点缺陷原生浓度，所述本征点缺陷浓度不影响碳化硅单晶电学性能的稳定性。该半绝缘碳化硅单晶具有高度稳定的电阻率，并且具有高的电阻率均匀性。由该碳化硅单晶制备的碳化硅单晶衬底具有高的电阻率均匀性、低应力，使得碳化硅单晶衬底具有优异的面型质量，从而保证了后续外延质量的稳定性和一致性。
一种掺杂少量质量绝缘碳化硅衬底

[发明专利]一种生长碳化硅单晶的热场结构-CN201811204668.2有效
发明人：高超;李长进;孙元行 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种生长碳化硅单晶的热场结构，属于碳化硅单晶的制备领域。本申请通过改进PVT法的热场分布，改变传统的通过上保温孔散热制造轴向温度梯度的方法，改为使用不同壁厚的坩埚及不同厚度的保温结构制造出轴向温度梯度，同时改变坩埚上侧的保温结构，从而制造出径向温度分布一致的热场结构；尤其可使得大尺寸坩埚内部热场径向分布均匀；由于电活性杂质元素随着温度梯度而生长进入晶体中，因此这种径向温度分布均匀的热场结构将引导电活性杂质元素沿径向均匀分布，进而制备得到径向电阻率一致、低应力的大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶、单晶衬底。
热场结构碳化硅单晶轴向温度梯度保温结构杂质元素电活性坩埚制备生长半绝缘碳化硅单晶制造径向均匀分布温度分布均匀大尺寸坩埚径向电阻率径向分布热场分布温度分布温度梯度保温孔传统的低应力散热壁厚衬底单晶高纯热场申请改进

[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用-CN201910631402.4在审
发明人：高超;宁秀秀;李霞;刘家朋;李加林;李长进;窦文涛;梁晓亮 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用，属于半导体材料领域。该制备方法包括：组装和长晶，碳化硅多晶块原料设置孔道结构，孔道结构靠近籽晶的一端设置气相出口，原料区内的部分气相原料通过孔道结构自气相出口气相传输至籽晶。本申请以具有孔道结构的碳化硅多晶块制备碳化硅单晶的长晶效率高，制得的碳化硅单晶的质量高、纯度高；利用同一籽晶可以同时生长两块碳化硅单晶锭，两块单晶锭的质量相似、长晶成本低、长晶效率高，长晶路径短、气相传输路径容易控制；通过控制碳化硅单晶的长晶压力变化和压力值，避免了由于碳化硅多晶块的致密性而导致制备高纯半绝缘碳化硅单晶的形核紊乱，提高了碳化硅单晶的长晶质量。
碳化硅单晶孔道结构半绝缘碳化硅单晶多晶块碳化硅高纯籽晶制备高效制备气相出口气相传输半导体材料领域一端设置单晶锭致密性形核申请紊乱应用组装生长

[实用新型]一种制备碳化硅单晶的坩埚-CN201821803138.5有效
发明人：高超;李长进;刘家朋;李加林;李宏刚;刘鹏飞;孙元行 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备碳化硅单晶的坩埚，属于碳化硅单晶的制备领域。该制备碳化硅单晶的坩埚包括坩埚主体和至少一个套环，所述套环设置在坩埚主体的外部，所述套环可沿坩埚主体轴向移动。本申请的坩埚在坩埚主体外侧增加螺纹及配套的套环，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶、单晶衬底的制造成本。
碳化硅单晶坩埚坩埚主体套环制备快速转换制造成本轴向移动发热区配套的螺纹衬底单晶热场申请外部

[实用新型]一种玻纤格栅自动浸泡装置-CN201821972673.3有效
发明人：张洪亮;李长进;孙文圃;张高望;王宁;张震;洪军;苏词 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G01N1/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种玻纤格栅自动浸泡装置，包括玻璃浸泡槽，浸泡槽上端的槽壁上自后向前分别设置有两套相同的转轴、支撑架和嵌套板。浸泡槽内部设有两块支撑板，两板中间焊接有；六根空心钢管，两两一组，中间一组略高。浸泡槽的溶剂中设有温度传感器，并与温度控制器相连。玻璃浸泡槽下部设有加热器并通过导线与温度控制器相连。更具不同的温度器采取不同加热方式。浸泡系统的最前端设有传递装置，可通过控制传递速度来控制浸泡时间。系统工作后玻纤格栅在溶剂中经过六根钢管的挤压，增强了溶剂在玻纤格栅表面的附着，有效地提高玻纤格栅的浸泡质量。
玻纤格栅浸泡槽溶剂自动浸泡装置温度控制器浸泡加热器玻璃本实用新型温度传感器传递装置加热方式浸泡系统空心钢管两两一组嵌套板温度器有效地支撑板支撑架上端槽壁附着两套转轴钢管焊接挤压传递

[发明专利]碳化硅单晶的连续长晶方法-CN201811302584.2有效
发明人：李加林;李宏刚;刘家朋;李长进;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶的连续长晶方法，所述方法以高纯碳化硅粉料为原料按照物理气相传输法生产碳化硅单晶，在所述生产碳化硅单晶过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料中发生碳化的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料持续补充原料，实现碳化硅单晶连续生长。另外，所述方法使用具有双层腔室壁、双层腔室壁侧壁设有开孔、腔室壁底角部为圆弧形设计的坩埚进行。本发明方法在保证大尺寸单晶连续生长、抑制碳化硅粉料边缘碳化、提高粉料质量、降低碳化硅单晶杂质含量、提高碳化硅单晶品质等方面具有重要作用。
碳化硅单晶粉料高纯碳化硅双层腔室碳化物理气相传输法底角大尺寸单晶碳化硅粉料方法使用高纯硅烷腔室壁碳颗粒圆弧形生长壁侧开孔坩埚生产补充申请保证

[实用新型]一种PVT法碳化硅单晶生长装置-CN201821809551.2有效
发明人：刘鹏飞;刘家朋;李加林;李长进;孙元行;李宏刚;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括一石墨坩埚，在石墨坩埚上设有一密封相连的坩埚盖，在石墨坩埚内设有一与石墨坩埚底部内壁固连的垂直布置的第一石墨棒，在石墨坩埚内设有原料部，所述第一石墨棒伸出原料部设置，在原料部的上方设有气相部，一传动轴穿出第一石墨棒设置，并在传动轴上设有一风扇，所述风扇设在气相部内。本申请使到达上部籽晶附近的Si_mC_n不管是在组分还是温度分布上都非常均匀；得到表面均匀且无小片多型的高质量SiC晶体；本申请增加组分从原料到籽晶表面的的驱动力，加入的风扇，能够加速晶体的生长。
石墨坩埚石墨棒风扇碳化硅单晶生长装置传动轴气相部申请垂直布置底部内壁加速晶体温度分布籽晶表面驱动力坩埚盖穿出固连籽晶密封伸出生长

[实用新型]一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构-CN201821802315.8有效
发明人： 李长进;李加林;李宏刚;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构，该热场结构在石墨坩埚内放置碳化硅粉料的高度大致对应的石墨坩埚外壁的位置设置第一套环，石墨坩埚内放置碳化硅籽晶的高度大致对应的石墨坩埚外壁设置第二套环，第一套环和第二套环可调节碳化硅晶体长晶时的热场分布。本实用新型提供的制备高品质碳化硅晶体的热场结构，通过控制石墨坩埚内部的温场，减少碳化硅粉料气相携带碳颗粒的能力，保证晶体生长界面温场的均一，控制晶体的生长速率及应力释放，降低晶体开裂风险，避免了碳包裹体缺陷的产生，提高了碳化硅晶体品质。
碳化硅晶体热场结构套环石墨坩埚高品质制备石墨坩埚外壁本实用新型碳化硅粉料温场晶体生长界面碳化硅籽晶控制晶体热场分布应力释放可调节碳包裹碳颗粒体缺陷均一生长携带保证

[实用新型]一种外保温可旋转的碳化硅单晶生长装置-CN201821809101.3有效
发明人：宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;李长进;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种外保温可旋转的碳化硅单晶生长装置，包括：单晶生长装置、设在单晶生长装置外的保温装置、与单晶生长装置相连的保护气装置，其特征在于，所述单晶生长装置固定设置，所述保温装置可围绕单晶生长装置进行旋转。本申请所提供的碳化硅单晶生长装置简单，自动化程度高，整体费用低，经济效益高，该方法制备的碳化硅晶体内部应力小，基本上没有晶格错位现象的发生。
单晶生长装置碳化硅单晶生长装置保温装置可旋转的外保温保护气装置碳化硅晶体固定设置晶格错位整体费用制备申请自动化

[实用新型]碳化硅长晶用坩埚-CN201821809442.0有效
发明人：李加林;李宏刚;刘家朋;李长进;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅长晶用坩埚。该坩埚包括腔室、形成该腔室的腔室壁和与该腔室壁连接的用于密封该腔室的盖子，该腔室壁包括内外两层，分别为位于内层的第一层壁，和位于外层的第二层壁，该第一层壁的外壁和外底与该第二层壁的内壁和内底之间形成具有一定宽度的空腔；该第一层壁的侧壁上设有贯穿该第一层壁的第一开孔；该第二层壁的侧壁上设有贯穿该第二层壁的第二开孔。本实用新型可以使腔室内物料区域的温场更加稳定有序，为各种气氛的传输提供了通路，消除腔室底部边角由于热量集中造成的粉料碳化，从而提高碳化硅单晶连续生长质量，提高碳化硅粉料质量及合成效率，有效降低单晶中的杂质含量及缺陷，最终显著提高碳化硅单晶质量。
第一层腔室腔室壁坩埚碳化硅单晶碳化硅侧壁本实用新型碳化硅粉料传输提供第二开孔第一开孔内外两层热量集中室内物料盖子贯穿边角单晶粉料空腔内壁内层碳化外壁外底温场密封合成生长申请

[发明专利]一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法-CN201811303465.9有效
发明人：刘鹏飞;刘家朋;李加林;李长进;孙元行;李宏刚;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法，所述方法包括将长晶原料加热升华得到气态原料、气态原料经过气体流通区域在接收部形成晶体的步骤，调节所述气体流通区域的压力分布，以使得气体流通区域形成低压区和高压区，所述气态原料依次通过低压区和高压区，到达接收部形成晶体。本申请使到达上部籽晶附近的Si_mC_n不管是在组分还是温度分布上都非常均匀；得到表面均匀且无小片多型的高质量SiC晶体。
气态原料气体流通碳化硅单晶低压区高压区接收部区域形成温度分布压力分布原料加热晶体的生长籽晶申请升华