“轴向温度梯度”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2254369个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种YAG单晶包层制备方法及装置-CN202110569428.8有效
发明人：王宇;顾鹏;梁振兴 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种YAG单晶包层制备方法，包括：将YAG原料和助溶剂置于生长腔体内；通过温控组件的加热部件加热生长腔体，使生长腔体内部形成至少三个温度区间，至少三个温度区间至少包括从下至上依次相邻的溶解区、包层生长区和缓冲区，其中，溶解区、包层生长区和缓冲区分别对应第一轴向温度梯度、第二轴向温度梯度和第三轴向温度梯度；第一轴向温度梯度＞第三轴向温度梯度＞第二轴向温度梯度，将掺杂YAG单晶光纤浸没于包层生长区
一种 yag 包层制备方法装置

[发明专利]一种优化9%Cr热强钢管道中频感应加热局部焊后热处理参数的方法-CN202210769813.1在审
发明人：王学;周梵;骆建权;张志峰 -专利权人：武汉大学;浙江遂金特种铸造有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C21D1/42 文献下载
摘要：步骤为：通过进行不同热处理参数组合下的中频感应加热焊后热处理试验，分析不同热处理参数对管道径向和轴向温度梯度的影响，找到影响温度梯度的核心参数；同时建立中频感应加热焊后热处理有限元瞬态和稳态温度场计算模型，计算热处理过程中的最大轴向温度梯度和恒温阶段的径向温度梯度，并建立遗传算法调参的BP神经网络模型，进行训练，最终实现输入管道规格、最大轴向温度梯度和径向温度梯度，即完成不同规格管道的热处理参数优化。本发明可以在保证轴向和径向温度梯度的基础上，得到最优的热处理参数组合，既保证了热处理质量，又提高了工程效率，节约了成本。
一种优化 cr 钢管中频感应加热局部热处理参数方法

[发明专利]一种9%Cr热强钢厚壁管道中频感应加热局部焊后热处理最大升温速率的计算方法-CN202210769728.5在审
发明人：王学;周梵;包海平;章慧春 -专利权人：武汉大学;浙江遂金特种铸造有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：其步骤为：首先建立9％Cr热强钢厚壁管道中频感应加热局部焊后热处理温度场瞬态模型，得到不同特征点在热处理全过程中的最大轴向温度梯度；然后通过轴向温度梯度与诱导应力的方程，得到管道轴向各特征点允许的最大轴向温度梯度；最后根据管道轴向各特征点允许的最大轴向温度梯度，计算在该温度梯度下不同壁厚管道的最大升温速率，拟合即得最大升温速率公式，根据管道壁厚，计算得到最大升温速率。
一种 cr 热强钢厚壁管道中频感应加热局部热处理最大升温速率计算方法

[实用新型]一种高频双线圈感应加热的碳化硅单晶生长装置-CN202220859316.6有效
发明人：刘鹏;徐文立;潘建栋;袁晓芸 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：采用上下两组感应线圈分别对坩埚下部(原料处)和上部(籽晶处)进行感应加热，并且两组感应线圈可分别上下移动，本生长装置还采用籽晶轴旋转升降机构，可以在单晶生长过程中旋转籽晶或者改变籽晶的位置，可抵消利用改变感应线圈上下位置的方法来改变轴向温度梯度时引起的径向温度梯度耦合的影响，以此获得可控的轴向温度梯度和径向温度梯度，解决了传统线圈感应加热无法同时独立控制坩埚下部(原料处)和上部(籽晶处)的温度以及无法独立控制轴向温度梯度和径向温度梯度的问题。
一种高频双线感应加热碳化硅生长装置

[发明专利]一种降低晶体内部应力的退火处理方法及装置-CN201911303199.4有效
发明人：方帅;高宇晗;高超;李霞;宁秀秀;王路平;张九阳;王宗玉;潘亚妮;舒天宇 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：：(1)准备阶段：将需要退火处理的晶体放置于坩埚中，对坩埚进行抽真空和通入惰性气体；(2)加热阶段，利用加热装置对所述坩埚进行加热，加热过程中，分别控制加热装置中同心设于坩埚上方的多个第一加热环的加热温度，使坩埚形成径向的温度梯度。本发明通过控制加热装置的多个第一加热环的加热温度，使坩埚形成径向的温度梯度，可获得与晶体生长时不同或相反的径向温度梯度，可显著降低晶体的径向应力，且通过控制坩埚下方的第二加热环和坩埚侧面的第三加热环的加热温度，实现了坩埚的轴向温度梯度，可获得与晶体生长时不同或相反的轴向温度梯度，能实现残余热应力的基本消除。
一种降低晶体内部应力退火处理方法装置

[发明专利]硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法-CN200580050122.0有效
发明人：稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0
硅单晶生长方法晶片制造

[发明专利]实现弹伞筒可变温度梯度下的发火试验方法及测试系统-CN202211691006.9在审
发明人：李高胜;杨泉;任法璞;蔡文健;韩言勋;张威;许猛;常哲;刘新伟;景莉 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01N31/12 文献下载
摘要：本发明涉及航天技术领域，特别是实现弹伞筒可变温度梯度下的发火试验方法及测试系统；在高温发火试验或低温发火试验时，将弹伞筒的筒壁沿轴向分为不同控温区域，并设定温度梯度；分别对不同控温区域进行温控，实时监测筒壁温度梯度变化情况，并判断筒壁温度梯度是否达到设定要求；若达到设定温度梯度，控制弹伞筒工作，拍摄记录弹伞过程，监测弹伞筒工作时的冲击；测试系统包括高温发火试验装置和低温发火试验装置；高温发火试验装置设有加热系统，为弹伞筒加热；低温发火试验装置设有冷却系统，为弹伞筒散热、制冷；能够模拟弹伞筒在高低温两种不同温度梯度下的发火试验，并可以准确测得弹伞筒工作时的推力冲击和弹伞速度。
实现弹伞筒可变温度梯度发火试验方法测试系统

[发明专利]利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法-CN200380108637.2无效
发明人： Z·陆;S·L·金贝尔;Y·陶 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明针对一种用于制备形式为晶锭或晶片的单晶硅的方法，其中使用坩埚旋转来控制该晶体中的尤其是位于或接近该中心轴线处的平均轴向温度梯度G₀，该平均轴向温度梯度是半径的函数(即G轴向均匀的氧含量。
利用坩埚旋转控制温度梯度制备单晶硅方法

[发明专利]一种地层温度梯度测试设备及其方法-CN202310568849.8在审
发明人：张松;岳祖润;臧梦晨;孙铁成;李晓星;介少龙;李聪然;范金珂;仝伟华 -专利权人：石家庄铁道大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种地层温度梯度测试设备及其方法，方法如下：1：监测点定位；2：监测孔钻进；3：温度梯度监测装置下放；4：温度梯度监测装置安装；5：温度梯度测量，利用温度梯度监测装置的测温盘内设置的多个温度传感器数据，对待监测的地层温度梯度进行测试，将采集到的温度梯度信息传输至地面终端系统，通过温度梯度计算公式进行温度梯度的计算。本发明解决了现有地层人工冻结法技术中仅靠土体温度进行冻结效果评估，无法采集地层某一固定点位温度梯度的问题，能够实现对地层温度梯度的精确测量，适用于地下工程冻结施工技术领域。
一种地层温度梯度测试设备及其方法

[发明专利]一种碳化硅晶体生长炉温梯调整装置-CN202211390668.2在审
发明人：刘鹏;徐文立;王誉程;胡建宇;杜霆 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明中的碳化硅晶体生长炉温梯调整装置，通过转动旋转盘以改变散热孔的面积，以改变热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度，本发明装置提供的装置能够调整热场坩埚的轴向温度梯度和坩埚顶部的径向温度梯度
一种碳化硅晶体生长炉温调整装置

[发明专利]薄壁大温度梯度结构件及其激光直接沉积制备方法-CN201811465224.4有效
发明人：宋鹏;吴海峰;王华东 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄壁大温度梯度结构件。一种薄壁大温度梯度结构件，沿所述结构件的温度梯度方向依次包括：中温层、温度梯度过渡层、高温基础层和高温层；其中，温度梯度过渡层的组分为中温层和高温层材质的混合物，高温基础层的材质与高温层材质相同，温度梯度过渡层和高温基础层用于减小大温度梯度结构件的组织应力和热应力本发明还公开了一种薄壁大温度梯度结构件的激光直接沉积制备方法。本发明在异种材料梯度结构中增加温度梯度过渡层、高温基础层，温度梯度过渡层实现了过渡层材料的均匀稳定过渡，温度梯度过渡层和高温基础层沉积速度较慢，减小了梯度结构组织应力和热应力，实现了异种材料大温度梯度结构一体化成形
薄壁温度梯度结构件及其激光直接沉积制备方法

[实用新型]一种长晶装置-CN201922422271.7有效
发明人：方帅;高宇晗;高超;李霞;宁秀秀;王路平;张九阳;王宗玉;杨晓俐;潘亚妮;舒天宇 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：第二上保温层设置第二开口，测温孔使坩埚内形成盛放原料的低温区和设置籽晶的高温区；包括旋转调节机构，旋转调节机构旋转第一上保温层和/或第二上保温层，以调节第一开口和第二开口形成的测温孔的横截面积大小，进而调节长晶过程中坩埚内轴向温度梯度和径向温度梯度该长晶装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度；并且可以在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，而可以高效率的制得高质量的单晶。
一种装置

[发明专利]一种适用于SERF惯性装置的温度梯度测试系统-CN202210407470.4在审
发明人：全伟;武嘉琪;刘祀浔;范文峰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：一种适用于SERF惯性装置的温度梯度测试系统主要包括：气室温度梯度调节模块以及气室温度梯度实时监测模块构成。气室温度梯度调节模块主要包括由温度传感器，高精度温度控制电路板，多片无磁电加热膜以及滑动变阻器组成，温度控制电路板与滑动变阻器的相互配合，进而稳定塑造不同状态的气室温度梯度，气室温度梯度实时监测模块主要通过CCD相机实时采集不同气室温度梯度下干涉条纹的数量与疏密程度信息，从而实现气室温度梯度的实时监测。
一种适用于 serf 惯性装置温度梯度测试系统

[发明专利]单晶体的制备方法和硅晶体-CN202111619092.8有效
发明人：王双丽;陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：:Sub>H，其中，a和b为常数，h及H为相对于固液界面高度，分别取值为‑10～0mm、0～10mm，Gh为距离固液界面高度h处边界层的轴向温度梯度，GH为距离固液界面H区域处的轴向温度梯度；在固液界面至第一参考面区域内调整温度梯度至Gh，在固液界面至第二参考面区域内调整温度梯度至该方法通过量化控制固液界面上方及下方区域内轴向温度梯度，使形成的I型和V型点缺陷在固液界面处扩散和再复合，减小点缺陷形成浓度，控制微缺陷的尺寸，增加完美晶体窗口宽度。
单晶体制备方法晶体

[发明专利]一种无砟轨道温度梯度预警方法及相关设备-CN202310412450.0在审
发明人：周锐;袁文豪;周锋;徐礼祯;杜彦良;姬伟业 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F18/2411 文献下载
摘要：本发明公开了一种无砟轨道温度梯度预警方法及相关设备，所述方法包括：获取环境温度、太阳辐射、风速、湿度、降雨量和轨道结构内部温度；计算基于轴力的无砟轨道温度梯度阈值和基于位移的无砟轨道温度梯度阈值；将PSO算法和最佳核函数的SVM分类预警模型联合构建和优化得到最优的无砟轨道温度梯度分类预警模型；根据所述两种无砟轨道温度梯度阈值，将环境温度、太阳辐射、风速、湿度、降雨量和轨道结构内部温度输入所述最优的无砟轨道温度梯度预警模型，以输出轨道结构温度梯度分类预警结果。本发明以基于轴力和位移设定无砟轨道的竖向温度梯度阈值为分类标准，实现对无砟轨道温度梯度分类预警，提升了无砟轨道温度梯度预警的准确度。
一种轨道温度梯度预警方法相关设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条