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[发明专利]栅极线驱动电路-CN201610431961.7有效
发明人：黄圣峰;岩津明宏;吴政珉;李冠锋 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：栅极线驱动电路，包括输出电路及控制电路。输出电路包含上拉晶体管及辅助晶体管。上拉晶体管及辅助晶体管分别具有第一控制节点及第二控制节点，上拉晶体管与辅助晶体管为多晶硅晶体管。控制电路耦合至输出电路。控制电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管。上拉晶体管分别耦接至第一时序信号、栅极线。辅助晶体管分别耦接至上拉晶体管、低电位及第二控制节点。第一晶体管分别耦接至第一控制节点。第二晶体管分别耦接至第一控制节点、低电位及第二控制节点。第三晶体管分别耦接至高电位、第二控制节点。第四晶体管分别耦接至第二控制节点、低电位及第一控制节点。第一、第二、第三与第四晶体管至少有一个为氧化物半导体晶体管。
栅极驱动电路

[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法-CN202010276374.1有效
发明人：付建国;黄泰钧;王振岭 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种像素驱动电路包括发光二极管、第二晶体管、脉冲幅度调制晶体管、控制晶体管、扫描晶体管与脉冲宽度调制晶体管。发光二极管包括阳极与阴极。第二晶体管的输入端连接阴极。脉冲幅度调制晶体管的输出端连接第二晶体管的控制端。控制晶体管的输入端连接第二晶体管的控制端与脉冲幅度调制晶体管的输出端。扫描晶体管的输出端连接控制晶体管的控制端，扫描晶体管配置为接收控制扫描信号，控制扫描信号达到等于扫描晶体管的阈值电压的时间是发光二极管的发光时间。脉冲宽度调制晶体管的输出端连接扫描晶体管的输入端。
像素驱动电路及其方法

[发明专利]有机EL像素电路-CN200510064215.0有效
发明人：池田恭二 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-04-12 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明是通过控制驱动晶体管的控制端的电位以使与该晶体管的控制端的电位对应的驱动电流供给至有机EL组件。又在驱动晶体管与前述有机EL组件之间插入配置驱动控制晶体管，以使前述驱动电流导通或截止(on－off)。并且，设置短路晶体管，且通过该短路晶体管以控制是否将驱动晶体管予以二极管连接。再者，通过选择晶体管，控制是否将来自数据线的数据信号供给至前述驱动晶体管的控制端。再者，在该选择晶体管与前述驱动晶体管的控制端之间配置电容，同时通过电位控制晶体管使该电容的前述选择晶体管与预定的电源之间的连接予以导通或截止。
有机 el 像素电路

[发明专利]晶体生长加热系统-CN201711027501.9在审
发明人：刘云俊 -专利权人：江苏维福特科技发展股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长加热系统，包括晶体生长炉内设置的晶体生长控制装置，晶体生长控制装置包括晶体生长环境数据获取装置、晶体生长环境控制装置和数据终端处理装置，所述晶体生长环境获取装置包括温度感应器、压力感应器和电子感应秤；所述晶体生长环境控制装置包括压力控制器、温度控制器、PID控制装置和晶体运动控制装置；所述数据终端ARM控制器和PC机；可有效的提供晶体生长过程的工作效率，减低生产成本。
控制装置晶体生长环境晶体生长加热系统晶体生长过程数据获取装置数据终端处理电子感应秤晶体生长炉温度感应器温度控制器压力感应器压力控制器工作效率获取装置晶体运动数据终端生产成本

[发明专利]电荷泵电路及电源管理芯片-CN202211394367.7在审
发明人：孙志松;谭小平;党鹏乐 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：该电荷泵电路包括：电容器、串联的第一晶体管及第二晶体管、串联的第三晶体管及第四晶体管，电容器的一端连接于第一晶体管及第二晶体管的第一公共节点，电容器的另一端连接与第三晶体管及第四晶体管的第二公共节点连接，第一晶体管的控制端及第三晶体管的控制端用于接入第一控制信号，第二晶体管的控制端及第四晶体管的控制端用于接入第二控制信号，死区配置电路，与第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端、第三晶体管的控制端及第四晶体管的控制端连接，以消除第一晶体管与第二晶体管之间、第三晶体管与第四晶体管之间的直通时间。
电荷电路电源管理芯片

[发明专利]光电传感器及其驱动方法、显示模组和显示装置-CN202111084615.3在审
发明人：姚绮君 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电传感器包括光感电路；光感电路包括光电二极管、复位晶体管、电压转换晶体管、读取控制晶体管、读取晶体管，至少读取晶体管为p型晶体管；复位晶体管、光电二极管的第一极、以及电压转换晶体管的控制极均与第一节点电连接；电压转换晶体管、读取控制晶体管、以及读取晶体管的控制极均与第二节点电连接；复位晶体管用于在其控制极的控制下开启以对第一节点进行复位；电压转换晶体管和读取控制晶体管用于分别在其各自控制极的控制下开启、以对第二节点的电压进行控制；读取晶体管用于在其控制极的控制下输出检测信号。
光电传感器及其驱动方法显示模组显示装置

[发明专利]控制开关变换器的时序控制方法及时序控制系统-CN201910261755.X有效
发明人：邓海飞;李文君;彭晨 -专利权人：深圳宝砾微电子有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种控制开关变换器的时序控制方法、时序控制系统及电源管理芯片，包括将每个时序周期划分为第一时段、第二时段以及第三时段；在第一时段内，控制第一晶体管和第三晶体管导通，并且控制第二晶体管和第四晶体管关断；在第二时段内，控制第一晶体管维持导通，控制第二晶体管维持关断，控制第三晶体管关断，并且控制第四晶体管导通；在第三时段内，控制第一晶体管关断，控制第二晶体管导通，控制第三晶体管维持关断，并且控制第四晶体管维持导通。上述的时序控制方法，通过合理控制在每个时序周期内四个晶体管的导通和关断，使得当输入电压与输出电压接近时，其环路稳定，解决了环路不稳的问题，减小了纹波干扰信号和音频噪声。
控制开关变换器时序方法控制系统

[发明专利]OLED显示器驱动电路和显像分析算法及其网络应用方法-CN201110389282.5有效
发明人：陈怡然 -专利权人：陈怡然
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED显示器驱动电路和显像分析算法及其网络应用方法，它包括驱动电流、第一控制电压、第二控制电压、第三控制电压、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电容，当第一控制电压为高电平时，第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管处于工作状态，驱动电流流经第一晶体管和第四晶体管，同时驱动电流流经第二晶体管并为电容充电；当第一控制电压为低电平时，第一晶体管和第二晶体管处于截止状态，驱动电流无效，第二控制电压为高电平，第三晶体管处于工作状态，第三控制电压与第四晶体管相导通并使第四晶体管处于饱和状态，电容放电。
oled 显示器驱动电路显像分析算法及其网络应用方法

[发明专利]晶体等径生长的控制系统及其方法-CN200510059325.8无效
发明人：荀建华 -专利权人：荀建华
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体等径生长的控制系统及其方法。该系统具有晶体生长炉、晶体直径检测部分和埚温控制部分；采集晶体实时拉升速度信号并反馈调整晶体拉升速度的晶体拉升速度控制部分；还有一个共用控制器；所述控制器分别接收来自所述晶体直径检测部分、所述晶体拉升速度控制部分以及所述埚温控制部分各自的检测信号，所述控制器应用Fuzzy控制与PID控制结合的算法计算出晶体拉升调速信号反馈给所述晶体拉升速度控制部分对晶体拉省速度进行调整，以及计算出加热功率调节信号反馈给所述埚温控制部分对熔体的温度进行调整。系统达到优良的控制品质，大大提高晶体等径生长阶段的直径控制精度，稳定提高大直径硅单晶棒一次拉制的成品率。
晶体生长控制系统及其方法

[实用新型]晶体等径生长的控制系统-CN200520011105.3无效
发明人：荀建华 -专利权人：荀建华
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体等径生长的控制系统。该系统具有晶体生长炉、晶体直径检测部分和埚温控制部分；采集晶体实时拉升速度信号并反馈调整晶体拉升速度的晶体拉升速度控制部分；还有一个共用控制器；所述控制器分别接收来自所述晶体直径检测部分、所述晶体拉升速度控制部分以及所述埚温控制部分各自的检测信号，所述控制器应用Fuzzy控制与PID控制结合的算法计算出晶体拉升调速信号反馈给所述晶体拉升速度控制部分对晶体拉升速度进行调整，以及计算出加热功率调节信号反馈给所述埚温控制部分对熔体的温度进行调整。系统达到优良的控制品质，大大提高晶体等径生长阶段的直径控制精度，稳定提高大直径硅单晶棒一次拉制的成品率。
晶体生长控制系统

[发明专利]电容器-CN201910264732.4有效
发明人：陈禀亮;简兆良;汤士逸 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种电容器，包括第一电晶体、第二电晶体以及控制电路。第一电晶体的第一端耦接至所述电容器的第一端。第二电晶体的第一端耦接至所述电容器的第二端。在正常模式中，控制电路导通第一电晶体以及第二电晶体，第二电晶体的第二端经由控制电路耦接至第一电晶体的控制端，以及第二电晶体的控制端经由控制电路耦接至第一电晶体的第二端。在省电模式中，控制电路截止第一电晶体以及第二电晶体。
电容器

[发明专利]具有引线框锚定杆的半导体功率模块封装-CN202310360933.0在审
发明人：牛志强;徐范锡;李俊鎬;李钟茂;鲁军;葛小荣 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种功率模块包括引线框、安装在引线框上的衬底、第一锚定垫、第二锚定垫、多个管芯垫和多个晶体管管芯。引线框包括附接到第一锚定垫的第一引线框锚定杆和附接到第二锚定垫上的第二引线框锚定杆。功率模块可以包括单个控制IC或两个或多个控制IC。对于包括单个控制IC的情况，单个控制IC控制第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管。对于包括两个控制IC的情况，低压IC控制第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，高压IC控制第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管。
具有引线锚定半导体功率模块封装

[发明专利]一种晶体回熔控制方法和设备、拉晶炉以及计算机存储介质-CN202110552586.2在审
发明人：武高峰;李侨;徐战军;赵会刚;张伟建;赵阳;贺瑞环;刘永生;李羊飞;周宏坤;杨正华 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体回熔控制方法和设备、拉晶炉以及计算机存储介质，涉及晶棒拉晶技术领域，以可以自动控制晶棒回熔，不仅使得控制晶棒更加准确，提高回熔效率，而且减少人工成本。所述晶体回熔控制方法包括：在晶体断线的情况下，控制坩埚升降装置将坩埚从晶体断线埚位下降至晶体回熔埚位。当坩埚下降至晶体回熔埚位，控制晶体提拉装置调整晶体的位置，使得晶体与熔体液面接触。当晶体与熔体液面接触时，控制加热器对晶体进行回熔操作。根据晶体吸热参数和加热器放热参数确定加热器的放热量大于或等于晶体的回熔吸热量的情况下，确定晶体转化为熔体。
一种晶体控制方法设备拉晶炉以及计算机存储介质

[发明专利]一种低功耗输出缓冲器电路-CN202010380201.4在审
发明人：王千;余天宇;孙磊 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H03K19/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗的输出缓冲器电路，包括上拉控制单元，上拉输出晶体管，下拉控制单元，下拉输出晶体管。其中，上拉控制单元用来产生上拉输出晶体管的控制信号，在控制信号为低时，控制上拉输出晶体管开启，缓冲电路输出为高；下拉控制单元用来产生下拉输出晶体管的控制信号，在控制信号为高时，控制下拉输出晶体管开启，缓冲电路输出为低本发明所述的输出缓冲器电路，当输入发生变化，缓冲器电路输出电平将要发生翻转时，控制下拉晶体管先于上拉晶体管开启之前关闭，或者控制上拉晶体管先于下拉晶体管开启之前关闭，避免缓冲电路输出状态改变时上拉晶体管、下拉晶体管同时切换开关状态造成的瞬间漏电现象，从而降低输出缓冲器的动态功耗。
一种功耗输出缓冲器电路

[发明专利]具有防止误触发机制的静电防护电路-CN202011089960.1在审
发明人：廖时新;陈俊任;曹太和;林柏青 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：其中，容阻电路耦接于静电输入端及接地端之间，包括输入控制端。静电输入端接收电源输入。反向器包括：P型晶体管电路及N型晶体管。P型晶体管电路包括耦接于静电输入端及输出控制端之间且串联的P型晶体管，且P型晶体管的其中两个之间有内部连接端。N型晶体管耦接于输出控制端及接地端。P型晶体管及N型晶体管的栅极受输入控制端控制。开关晶体管耦接于内部连接端及接地端之间。放电晶体管耦接于静电输入端及接地端之间。开关晶体管的栅极受输入控制端控制，放电晶体管的栅极受输出控制端控制。
具有防止触发机制静电防护电路

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