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- [实用新型]一种高压开关柜-CN202320588215.4有效
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朱吕浦;陈辉国
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浙江腾飞电器有限公司
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2023-03-23
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2023-06-30
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H02B1/32
- 本实用新型公开了一种高压开关柜，包括主体，所述主体内分别设置有上层高压区、中层高压区和下层高压区，所述上层高压区、中层高压区和下层高压区之间设置隔挡板，且所述上层高压区、中层高压区和下层高压区左右两侧对称安装有滑动组件，所述滑动组件上滑动连接有安装架，所述主体前端设置若干个门体，且所述门体与上层高压区、中层高压区和下层高压区相对应，所述门体后端固定安装有保护层，所述保护层与门体之间设置有隔音棉，通过在上层高压区、中层高压区和下层高压区左右两侧对称安装有有滑动组件和安装架实现对在三层高压开关区内的设备安装时无需在狭小空间内安装
- 一种高压开关柜
- [发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法-CN201210081512.6无效
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刘建华
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上海先进半导体制造股份有限公司
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2012-03-23
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2012-07-25
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H01L21/28
- 本发明涉及一种BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列的高压器件区和低压器件区；在所述衬底上热氧化形成高压器件区和低压器件区的栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层厚度大于低压器件区的栅氧化层；在所述高压器件区和低压器件区的栅氧化层上沉积多晶硅；刻蚀多晶硅形成所述高压器件区和低压器件区的栅极，停留在低压器件区的栅氧化层上；刻蚀去除所述高压器件区的栅氧化层；以所述高压器件区和低压器件区的栅极为掩膜，形成高压器件区和低压器件区的源/漏区。本发明解决了高压器件和低压器件因栅极氧化层厚度差，在同时去除中造成的低压器件有源区损伤而漏电和隔离失效或高压器件源/漏区无法形成硅化物。
- bcd工艺栅极氧化刻蚀方法
- [发明专利]半导体结构-CN200710086297.8有效
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黄坤铭;周学良;朱翁驹;吴成堡
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2007-03-13
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2008-01-23
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H01L29/78
- 一种半导体结构，包括：第一高压阱区，具有第一导电类型，位于衬底的上方；第二高压阱区，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，位于衬底的上方并侧向相邻于第一高压阱区；第三高压阱区，具有第二导电类型，位于第二高压阱区的下方，其中第三高压阱区的底部大体上低于第一高压阱区的底部；绝缘区，位于第一高压阱区的一部分，并从第一高压阱区的顶层延伸至第一高压阱区内；栅极介电质，从第一高压阱区的上方延伸至第二高压阱区的上方，其中部分栅极介电质位于绝缘区的上方本发明可改善高压N型金属氧化物半导体元件的可靠度，并明显减少扩散至高压N型阱区的P型杂质原子。
- 半导体结构
- [实用新型]一种蒸烤箱和烹饪设备-CN202222770432.3有效
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黄战彬;叶选苗
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深圳市虎一科技有限公司
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2022-10-20
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2023-01-17
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A47J27/04
- 一种蒸烤箱和烹饪设备，包括：控制电路板和电源模块；控制电路板具有高压区和低压区；所述控制电路板的高压区用于设置高压器件，所述控制电路板的低压区用于设置低压器件；电源模块具有高压区和低压区；所述电源模块的低压区用于输出低压，以向所述低压器件供电；所述电源模块的高压区与所述控制电路板的高压区相邻设置，或者，所述电源模块的低压区与所述控制电路板的低压区相邻设置。电源模块设计成具有高压区和低压区，将控制电路板也设置成具有高压区和低压区，两者的高压区或低压区相邻设置，使得两者之间的高、低压区的信号干扰减少，也方便走线。
- 一种烤箱烹饪设备
- [发明专利]一种全隔离的高压二极管-CN202310864851.X在审
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赖大伟;王迪;张文文;韦宇轩;方利泉
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杭州傲芯科技有限公司
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2023-07-14
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2023-09-29
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H01L29/06
- 本发明提供的一种全隔离的高压二极管，包括P型衬底和高压P阱区，同时在二者之间设置了一N型掺杂的隔离区进行隔离，隔离区包括第一高压N型阱区和N型埋层，第一高压N型阱区设于高压P阱区的两侧，使之与垂直的P型衬底隔离；N型埋层设置于高压P阱区的下方并与第一高压N型阱区连接，使高压P阱区与横向的P衬底隔离。第一高压N型阱区的上表面设置有掺杂的N+区，掺杂的N+区引出到控制电极，而控制电极连接于电源，使隔离区与P型衬底及高压P阱区形成一个反向的耗尽区，从而使高压P阱区与P衬底形成绝对的电性隔离，以解决二极管在高压运用场景下的寄生漏电的问题
- 一种隔离高压二极管
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