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[发明专利]一种制备大面积β相硒化铟单晶薄膜的方法-CN202010025371.0有效
发明人： 李含冬;贺靖;尹锡波;徐超凡;李俊烨;姬海宁;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备大面积β相In2Se3单晶薄膜的方法，包含如下步骤：1)对晶面取向为(111)的硅衬底进行化学清洗及化学腐蚀处理，得到表面洁净的氢钝化硅衬底；2)将制得的硅衬底传入分子束外延系统内并加热至180℃除气至系统真空度优于8×10‑10mbar；3)衬底除气完成后自然冷却至生长温度范围，同时打开In束流源与Se束流源生长合成In2Se3多晶薄膜；4)多晶薄膜生长完成后立即将衬底温度升至300～350℃进行5分钟的后续退火；5)退火完成后立即停止加热，自然冷却至室温，即可制得高质量β相In2Se3单晶薄膜。本发明所述生长β相In2Se3薄膜的方法，利用分子束外延技术结合后续原位退火工艺，能在氢钝化硅衬底上以较低温度制备大面积高质量的β相In2Se3单晶薄膜。
一种制备大面积相硒化铟单晶薄膜方法

[发明专利]一种硒化铋超晶格结构及其制备-CN202110206992.3有效
发明人： 李含冬;贺靖;李俊烨;杜绍增;陈治;姬海宁;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N10/857 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。
一种硒化铋超晶格结构及其制备

[发明专利]一种外延制备片状Bi4-CN202210069101.9在审
发明人： 李含冬;李俊烨;杜绍增 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延制备片状Bi4Se3微晶的方法，包含如下步骤：1)将单晶云母衬底先用化学试剂清洗，再用胶带剥离解理，得到表面洁净平整的云母衬底；2)将云母衬底传入分子束外延真空系统内并加热除气；3)将温度降低至生长温度范围后，同时打开Bi束流源与Se束流源，在云母表面开始生长Bi4Se3；4)生长完成之后立即停止衬底加热，冷却至室温，即得。本发明利用分子束外延技术在云母衬底表面生长片状Bi4Se3微晶，所需的生长温度低，制备的片状Bi4Se3微晶化学计量比准确，结晶质量高，取向一致，表面平整，厚度尺寸均一，在衬底表面的覆盖度可调，便于大规模重复生产。
一种外延制备片状 bi base sub

[发明专利]一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法-CN201910592493.5有效
发明人： 李含冬;尹锡波;徐超凡;贺靖;姬海宁;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1)：对单晶云母衬底进行化学清洗及机械解理剥离表面层，得到表面洁净的平整云母衬底；步骤2)：将步骤1)制得的云母衬底传入分子束外延真空系统内并加热至450℃除气至系统真空度优于8×10‑10mbar；步骤3)：云母除气完成之后自然冷却至生长温度范围后，同时打开In束流源与Se束流源开始生长In2Se3薄膜；步骤4)：薄膜生长完成之后立即终止衬底加热，并快速冷却衬底温度至室温，即可制得单晶γ相In2Se3薄膜。本发明所述生长In2Se3薄膜方法，利用分子束外延技术在云母衬底表面沉积生长In2Se3薄膜，能以较低生长温度制备出高质量单晶γ相In2Se3薄膜。
一种云母衬底生长相硒化铟薄膜方法

[发明专利]一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法-CN201910191834.8有效
发明人： 李含冬;徐超凡;李勇;余述鹏;尹锡波;姬海宁;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi2Se3形核层的生长；4)：待步骤3)Bi2Se3形核层生长完成后，继续进行Bi2Se3高指数面单晶外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为3—5nm的低温Bi2Se3形核层后，再适当提高生长温度进行Bi2Se3高指数面单晶薄膜外延层的生长，就可获得结晶度较好的Bi2Se3高指数面单晶薄膜。
一种 211 衬底生长硒化铋高指数面单晶薄膜方法

[发明专利]一种金属纳米棒的可控生长方法-CN201910248887.9有效
发明人：牛晓滨;军凯;李含冬;汪博筠;张生辉;李志强;王艳梅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种金属纳米棒的可控生长方法，本发明是在衬底上，通过调节沉积粒子的沉积入射范围，基于晶体动力学蒙特卡洛模型和物理气相沉积技术，得到了随沉积步数增加金属纳米棒的生长规律以及其最终直径与沉积粒子的沉积入射范围的线性关系，该方法无需考虑入射角，只采取垂直入射，只改变沉积粒子的沉积入射范围就可控制金属纳米棒生长的最终形貌。
一种金属纳米可控生长方法

[发明专利]一种基于氯化钠模板的镍钼氮共掺杂碳基催化剂制备-CN202010296143.7在审
发明人：姬海宁;牛佳琪;牛晓滨;杨建;向飞;杨家超;蒋杰;王志明;李含冬;余鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种基于氯化钠模板的镍钼氮共掺杂碳基催化剂制备方法，该方法是以六水合氯化镍为镍源，五氯化钼为钼源，三羟甲基氨基甲烷为pH调节材料，多巴胺盐酸盐为吸附剂，无机盐氯化钠为模板。本发明的制备方法主要包括：室温下将六水合氯化镍、五氯化钼和氯化钠在去离子水中溶解得到混合物；再依次加入三羟甲基氨基甲烷、多巴胺盐酸盐继续搅拌得到均匀混合溶液；将混合溶液冷冻干燥后获得催化剂前驱体；获得的前驱体在氩气氛围中高温热解碳化，并离心洗涤去除获得纯净产物；将得到的产物再次高温退火获取性能稳定的镍钼氮共掺杂碳基催化剂样品。本发明涉及方法简单易操作、成本低廉、可大批量制备，所制备的镍钼氮共掺杂碳基催化剂电催化活性高、稳定性好，具有很好的应用前景。
一种基于氯化钠模板镍钼氮共掺杂催化剂制备

[发明专利]一种自滤光硅肖特基单色探测器-CN201910437510.8在审
发明人： 李含冬;余述鹏;潘绪杰;徐超凡;尹锡波;贺靖;姬海宁;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种波长响应在1030nm附近的自滤光硅肖特基单色探测器，该探测器为垂直结构，由上至下依次包括：欧姆接触窗口电极、可实现高通自滤光功能的Si基片、高红外反射率的肖特基接触层、欧姆接触底电极。该探测器以外延Bi₂Se₃或Sb₂Te₃单晶薄膜与H钝化Si基片接触形成的理想肖特基结为光探测工作区，单晶Si基片自身作为高通滤光片，实现1030nm波长近红外光的选择性高效探测。本发明的自滤光硅肖特基单色探测器可作为市售InGaAs基红外激光器的匹配探测器，用于光纤通信，光器件检测，单色光源检测等领域。其性能优异，结构简单，易于小型化、既可作分立器件使用也可作阵列集成，使用时无需冷却，成本低廉，具有较快的反应速率和较高的量子效率，市场化前景可观。
探测器肖特基滤光欧姆接触肖特基接触层单晶Si基片高通滤光片红外反射率红外激光器波长响应窗口电极垂直结构单晶薄膜单色光源分立器件高效探测光纤通信近红外光量子效率滤光功能阵列集成底电极光器件光探测速率和波长检测钝化高通冷却匹配

[发明专利]尺寸可控的球形MnZn铁氧体磁性纳米颗粒的制备方法-CN201610704753.X有效
发明人：姬海宁;吴杰;王志明;何银春;申超群;刘德胜;李含冬;巫江;周志华;戴丽萍;牛晓滨 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种尺寸可控的球形MnZn铁氧体磁性纳米颗粒的制备方法，包括如下步骤：(1)将分别含有Fe³⁺、Mn²⁺、Zn²⁺的盐溶于以乙二醇为主的溶剂体系中，形成橙黄色的均匀混合液；(2)将表面修饰剂、醋酸钠加入步骤(1)得到的混合液中，磁力搅拌，然后进行超声处理，将反应釜在160‑200℃进行加热，反应12‑20h以上；(3)待反应釜冷却后，清洗产物，然后在真空干燥箱中烘干，得到黑色磁性产物；本发明采用水热法，通过使用不同的以乙二醇为主的溶剂体系和不同种类、用量的表面修饰剂，实现对纳米颗粒平均粒径在30‑350nm宽范围的调控。该磁性纳米颗粒形貌规整、尺寸分布均一、具有优异的磁性能。
尺寸可控球形 mnzn 铁氧体磁性纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法-CN201611202065.X有效
发明人： 李含冬;张忠阳;王志明;任武洋;李勇;龙城佳;周志华;姬海宁;牛晓滨 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，分别升高铟束流源与锑裂解束流源温度，开始InSb形核层的生长；4)待步骤3)InSb形核层生长后，开始InSb外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用与InSb晶格相匹配的Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为10nm的低温InSb形核层后，再适当提高生长温度进行InSb外延层的生长，就可获得高表面能平整度且单一In极性InSb单晶薄膜。
生长硅衬底缓冲层形核层锑化铟薄膜束流分子束外延系统缓冲层表面超薄单晶单晶薄膜高温退火晶面取向外延薄膜高表面平整度外延层衬底单晶晶格裂解去气匹配升高

[发明专利]一种银-锰锌铁氧体复合磁性纳米颗粒的制备方法-CN201810256239.3在审
发明人：姬海宁;申超群;王志明;吴杰;余鹏;朱楠;牛佳琪;巫江;李含冬;王丽萍;牛晓滨 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B01J13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种银‑锰锌铁氧体复合磁性纳米颗粒的制备方法，包括步骤1：分别将含有Fe3+、Mn2+、Zn2+和Ag+的盐与醋酸钠溶于溶剂中，在室温下经磁力搅拌得到黄色混合溶液；步骤2：将聚乙烯吡咯烷酮加入步骤1得到的黄色混合溶液中，在室温下磁力搅拌得到混合溶液，然后将混合溶液转移至反应釜中密封，将反应釜在180℃～220℃条件下加热10h～14h；步骤3：将步骤2加热后的反应釜放置在水中冷却，使用乙醇和去离子水清洗反应后的产物，然后将清洗后的产物放置在60℃～80℃的真空烘箱中10h～14h，得到黑色产物。本方法工艺简单，反应条件易控，制备出来的复合磁性纳米颗粒呈球形，形貌规则，分散性好。
复合磁性纳米颗粒混合溶液反应釜制备锰锌铁氧体磁力搅拌加热清洗聚乙烯吡咯烷酮混合溶液中反应条件分散性好黑色产物去离子水形貌规则真空烘箱醋酸钠中密封溶剂乙醇水中冷却

[发明专利]一种铋层状化合物超晶格的制备方法-CN201610054544.5有效
发明人： 李含冬;任武洋;高磊;张忠阳;龙城佳;李勇;姬海宁;戴丽萍;周志华;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋层状化合物超晶格的制备方法，该方法通过对云母衬底进行常规化学清洗并在大气中进行解理后传入真空系统内加热去气；在清洁的云母表面依次生长由铋化合物薄层与垒层材料构成的超晶格薄膜。即首先在云母表面慢速沉积一层铋化合物作为晶格失配缓冲层，再以同样温度和速率生长一层垒层材料进一步提高表面质量，接下来保持生长温度不变提高生长速率交替生长铋化合物层和垒层，直到设定的超晶格周期数生长完成为止。本发明保证了产品超晶格中每层材料均以理想的二维层状模式生长，达到了铋层状化合物超晶格在云母衬底上较快生长并保持超晶格界面平整，获得的周期可调的超晶格薄膜的技术效果。
一种层状化合物晶格制备方法

[发明专利]一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法-CN201610054541.1有效
发明人： 李含冬;龙城佳;任武洋;高磊;张忠阳;李勇;姬海宁;戴丽萍;周志华;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管口(9)；靠近第一管口(8)处装有冷阱(7)；石英管(1)内设有三个滑槽，分别为第一滑槽(6a)、第二滑槽(6b)和第三滑槽(6c)，每个滑槽内设有两个磁铁滑块。本发明所述的制备硫系化合物异质结构的方法及装置，使不同材料的沉积过程都处于真空环境下，且避免了不同材料之间的交叉污染，操作简单、成本低廉，制备得到的异质结构界面结构完整，结晶质量优良。
一种制备化合物结构装置及其方法

[发明专利]一种硒化铋材料的化学刻蚀方法-CN201610051414.6有效
发明人： 李含冬;张忠阳;高磊;任武洋;李勇;龙城佳;姬海宁;戴丽萍;周志华;巫江;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化铋材料的化学刻蚀方法，其包括以下步骤(1)制作掩膜所述掩膜为光刻掩膜，其使用标准光刻技术制作，附着于硅衬底上的硒化铋材料之上；(2)配制刻蚀剂所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液，其配制方法为，由以下组分按照一定比例混匀而成，体积百分比为9％的重铬酸钾饱和水溶液、体积百分比为48％的浓盐酸、体积百分比为98％的浓硫酸；(3)刻蚀利用步骤(3)制得的重铬酸钾复合酸溶液蚀刻液，对附着步骤(1)制得的附着光刻掩膜的硒化铋材料进行刻蚀。本发明工艺简单、操作便捷、成本低廉、效果显著，其具有被刻蚀的硒化铋材料表面平整，符合化学计量比，且刻蚀速率便于控制等有益效果。
一种硒化铋材料化学刻蚀方法

[发明专利]新型高效可活动射频等离子体放电管-CN201610053880.8有效
发明人： 李含冬;李勇;任武洋;高磊;张忠阳;龙城佳;姬海宁;戴丽萍;周志华;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置于射频线圈内，连接杆后部套于射频源进气管上，管体后连接端内径大于连接杆前端内径可保证二者能相对旋转一定角度时气路畅通，高纯气体从进气管通过连接杆进入放电锥放电，等离子体进入主管体后在腔壁上反射震荡能使腔内气体充分等离子化并通过发射孔发射。所述放电管提高了射频等离子体放电效率，而且能保证圆柱形放电管在不均匀形状或形变电感线圈内方便地安装与安全地使用。
新型高效活动射频等离子体放电

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