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[发明专利]一种气分碳五与S-zorb稳定塔顶油进烷基化装置的加工方法-CN202211546155.6有效
发明人：王明东;崔欣;杨跃进;向杰;刘健;匡巍巍;曹太吉;崔禹东;李东珂;潘登 -专利权人：中国石油化工股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C10G53/02 文献下载
摘要：一种气分碳五与S‑zorb稳定塔顶油进烷基化装置的加工方法，包含气分碳五预处理装置、烷基化预处理单元，通过将气分碳五预处理后分为两路，一路与经过S‑zorb稳定塔顶回流泵输送至烷基化装置界区的S‑zorb稳定塔顶油以及醚后碳四一起进入烷基化原料罐，另一路跨过烷基化预处理单元，直接进入烷基化反应原料脱水罐，与经烷基化预处理后的醚后碳四、循环异丁烷、S‑zorb稳定塔顶油和冷剂混合进入烷基化反应器进行反应。解决了炼厂碳五难处理的问题，拓宽了SINOALKY硫酸法烷基化原料适应性，提高了烷基化油收率，减少了整体装置的负荷，增加了经济效益。
一种气分碳五 zorb 稳定塔顶烷基化装置加工方法

[发明专利]一种基于自然语言处理的文本自动结构化方法和系统-CN201910126552.X有效
发明人： 李东珂;马也驰 -专利权人：上海颐为网络科技有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F40/253 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自然语言处理的文本自动结构化方法和系统，能够将文本文档的内容(包括文档自带序号标注错误甚至文档没有自带序号)进行自动结构化处理以转化成结构化的知识体系。其技术方案为：输入需要自动结构化处理的原始文本；利用经训练的神经网络模型对原始文本进行处理，生成有编码形式的长序列文本；通过在有编码形式的含有序号的长序列文本中查找对应编码来自动结构化文本；查找自动结构化文本中对应的编码符号，按照前后两个编码之间的关系和编码的含义将编码符号替换为相应的序号。
一种基于自然语言处理文本自动结构方法系统

[发明专利]具有荧光监测的非易失型光电神经突触器件及其制备方法-CN202211484902.8在审
发明人：皮孝东;王越;王坤;李东珂;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有荧光监测的非易失性的光电神经突触器件，包括：栅电极、介电层、二维层状薄膜、源电极、漏电极和半导体硅量子点，其中：介电层位于栅电极上，二维层状薄膜位于介电层上，源电极、漏电极和半导体硅量子点薄膜均位于二维层状薄膜上，其中，半导体硅量子点薄膜将源电极和漏电极隔开；当外部光照射到半导体硅量子点薄膜时，从所述半导体硅量子点薄膜发出荧光监测信号，撤除外部光照射后，基于二维层状薄膜电导的变化实现所述光电神经突触器件突触权重变化的非易失性。该器件在光的刺激下能够较为容易的同时实现荧光效应和非易失性光电流。本发明还公开了该器件的制备方法。制备方法简单、高效。
具有荧光监测非易失型光电神经突触器件及其制备方法

[发明专利]尺寸可控的磷掺杂纳米硅量子点LED器件及制备方法-CN202211564833.1在审
发明人：徐骏;孙腾;李东珂;陈佳明;韩俊楠;王宇皓;李伟;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种尺寸可控的磷掺杂纳米硅量子点LED器件，包括p型硅衬底材料层，所述衬底背面蒸镀有金属Al电极，还包括多层交替沉积于所述p型硅衬底材料层上的磷掺杂非晶硅子层和碳化硅子层，所述磷掺杂非晶硅子层经热处理后形成纳米硅，进而成为磷掺杂的纳米硅量子点层；所述碳化硅子层为热处理后形成的致密碳化硅层，最上层掺杂纳米碳化硅量子点层的表面制有ITO电极。本发明在室温条件下，实现了纳米硅量子点LED器件的高效电致发光。利用周期性生长异质结结构，使得纳米硅尺寸可控。引入禁带宽度更窄的碳化硅作为介质层，改善器件整体的电学特性；引入磷杂质进行掺杂，改善纳米硅界面结构，有效减少纳米硅量子点中存在的大量缺陷，并提高了纳米硅量子点的电学特性，降低了器件开启电压，提高发光效率。
尺寸可控掺杂纳米量子 led 器件制备方法

[发明专利]Rh纳米颗粒修饰III族氮化物Si催化剂的制备方法及其应用-CN202211005630.9在审
发明人：周宝文;王新强;李东珂;盛博文 -专利权人：上海交通大学;北京大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及甲烷蒸汽重整技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮化物Si催化剂的制备方法及其应用，制备方法包括：以硅晶片为衬底，通过分子束外延法生长，制得III族氮化物/Si半导体复合结构；通过光沉积法在III族氮化物/Si半导体复合结构表面负载Rh纳米颗粒，制得Rh纳米颗粒修饰的III族氮化物/Si集成光催化剂体系。本发明利用分子束外延法，通过调控生长参数，制得不同的III族金属氮化物/Si半导体复合结构，为甲烷和水分子的活化提供大量的活性位点和独特的催化特性。制备的Rh纳米颗粒/III族氮化物/Si集成光催化剂体系应用于甲烷蒸汽重整，可以直接利用太阳光高效稳定地生产合成气，具有条件温和、反应物原子利用率高、碳排放低、可循环使用的优点。
rh 纳米颗粒修饰 iii 氮化物 si 催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种碳化硅外延层生长方法-CN202210710329.1有效
发明人：王蓉;李佳君;皮孝东;李东珂;刘小平;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。
一种碳化硅外延生长方法

[发明专利]一种锗-铒掺杂二氧化锡多层复合薄膜及其制备方法-CN202011575069.9有效
发明人： 李东珂;夏丽霞;李怡欢;严莲;翟章印;陈贵宾 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜及其制备方法，本发明利用高真空多射频靶磁控溅射系统，在清洗后的衬底上，交替进行铒掺杂二氧化锡子层和非晶锗子层的溅射沉积，将沉积得到的铒掺杂二氧化锡/非晶锗多层复合半导体薄膜在氮气环境中进行热退火处理，使非晶锗子层内锗原子聚集晶化形成锗量子点，得到交替层叠结合在衬底上的锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜。本发明采用在铒掺杂二氧化锡半导体薄膜中插入锗量子点层，利用锗量子点的电子强关联特性敏化增强铒发光中心的光学活性，提高其发光效率；通过调节锗量子点的微观尺寸，可以改变其电子关联特性，实现对铒掺杂氧化物半导体材料中铒发光中心的光学调控。
一种掺杂氧化多层复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2-CN202010636000.6有效
发明人：徐骏;张阳熠;王理想;陈佳明;侯国智;李东珂;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2:Er3+复合薄膜及制备方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的非晶SiO2薄膜；相对于Si元素Sn4+的掺杂浓度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。
一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射 sno base sub

[发明专利]一种利用激光光路系统杀灭空气中微生物的方法-CN202110884114.7在审
发明人：范晓星;李东珂;陶然;韩宇 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： A61L9/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用激光光路系统杀灭空气中微生物的方法。利用激光光路系统，方法如下：启动激光发生器，向管路内壁的反光镜面发射激光，激光在反光镜面上发生折返，在管路内部形成激光屏障，控制空气由管路一端进入从另一端排出；所述激光光路系统是，包括管路和激光发生器，所述管路的内壁设有一层反光镜面，激光发生器用于向反光镜面发射激光。本发明，利用管路内壁的反光镜面具有闭合曲线的特征，对入射的激光不断进行反射，构造大体积高密度的激光场，可以使流过激光场的空气中的微生物灭活。本发明的激光光路系统具有高效率，成本低，性能稳定，生产调试简单，维护周期长的特点。
一种利用激光系统杀灭空气微生物方法

[发明专利]一种钛酸锶/钼酸铋异质结纳米纤维光催化剂及其制备方法和应用-CN202110861232.6在审
发明人：陶然;李东珂;韩宇;范晓星 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料技术领域，具体涉及一种钛酸锶/钼酸铋异质结纳米纤维的光催化剂及其制备方法和应用。制备方法，包括如下步骤：1)在DMF和硝酸混合液中加入碳酸锶和钛酸四正丁酯，之后在搅拌时加入PVP，得到前驱体，利用静电纺丝法得到碳酸锶/钛酸四正丁酯/PVP纳米纤维；2)将碳酸锶/钛酸四正丁酯/PVP纳米纤维在空气条件下煅烧，自然冷却，得到钛酸锶纳米纤维；3)将五水硝酸铋和钼酸钠溶解到乙醇和乙二醇的混合溶液中，再加入钛酸锶纳米纤维，利用水热法在钛酸锶纳米纤维表面生长钼酸铋纳米片得到钛酸锶/钼酸铋异质结纳米纤维光催化剂。异质结的形成可以大幅度提高钛酸锶的光催化活性。
一种钛酸锶钼酸铋异质结纳米纤维光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种径向结硅量子点电致发光器件及其制备方法-CN202110489814.6在审
发明人：徐骏;陈佳明;李东珂;季阳;张阳熠;孙腾;王理想 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件领域，公开了一种径向结硅量子点电致发光器件，包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品，所述样品表面沉积有Al2O3钝化层，所述Al2O3钝化层表面设有硅量子点/二氧化硅多层膜，所述硅量子点/二氧化硅多层膜表面沉积有TiO2层，所述TiO2层表面溅射有Au层，所述Au层上镀有ITO电极，所述硅衬底样品的背面蒸镀有铝电极。与现有技术相比，本发明通过改善电极接触和能带调控，可以显著提高器件注入电流，增强其电致发光强度。
一种径向量子电致发光器件及其制备方法

[实用新型]一种可减少新酸补充及废酸排放的炼油催化剂升温系统-CN202021547590.7有效
发明人：程前进;刘健;杨跃进;景泽乐;王志刚;张子吉;李正;奕龙;李东珂;宋晓峰;李晓磊;王锐;席绍然;崔禹东;杨涛 -专利权人：杨涛
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： B01J38/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可减少新酸补充及废酸排放的炼油催化剂升温系统，包括进气电除雾器、干燥塔、转化器、尾气电除雾器，空气经进气电除雾器进入系统，经尾气电除雾器排除系统，干空气循环装置包括第一回流管路和第二回流管路，第一回流管路的一端与干燥塔的进气管路连接，第一回流管路的另一端与二吸塔的出气管路连接，第二回流管路的一端与转化器的进气口连接，第二回流管路的另一端与一吸塔的出气口连接，第二回流管路上设有电加热器II。本实用新型将升温系统中的干空气经第一回流管路和第二回流管路循环利用，因此避免浓硫酸浓度持续降低，最大限度减少干燥塔的新酸补入量和废酸排出，提高转化器的升温速率和受热均匀。
一种减少补充排放炼油催化剂升温系统

[发明专利]利用牵引式氮等离子体增强反应气氛环境制备Ti-Al-N 硬质薄膜的方法-CN201910804568.1有效
发明人： 李东珂;夏丽霞;李怡欢;吴羽扬;翟章印;华正和;陈贵宾 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了利用牵引式氮等离子体增强反应气氛环境制备Ti‑Al‑N硬质薄膜的方法，包括：步骤一、衬底清洗；步骤二、选取并放置Ti/Al合金靶；步骤三、利用Ar离子直流溅射沉积Ti‑Al合金层作为Ti‑Al‑N薄膜与衬底间的缓冲层；步骤四、将高纯氮气通入射频感应耦合离子源中，在射频感应耦合的作用下，氮气分子发生电离形成氮等离子体，在射频源端口处的加速/减速电栅的牵引作用下形成致密的氮等离子束注入到溅射腔室中；步骤五、引入的氮等离子参与直流溅射沉积制备Ti‑Al‑N硬质薄膜。利用牵引注入的氮等离子体与直流溅射法相结合的方法，在电场和磁场的牵引作用下，实现了对溅射腔室内等离子体反应气氛的增强与调控，制备具有高硬度、低摩擦系数的Ti‑Al‑N超硬薄膜。
利用牵引等离子体增强反应气氛环境制备 ti al 硬质薄膜方法

[实用新型]一种芳烃异构化单元中轻烃优化回收系统-CN202020121322.2有效
发明人：杨涛;杨峰;王平;刘健;奕龙;李正;宋晓峰;李晓磊;酒海涛;唐战胜;杨军;王乐毅;梁春阳;杨跃进;崔禹东;李东珂 -专利权人：杨涛
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C10G7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芳烃异构化单元中轻烃优化回收系统，包括芳烃装置脱庚烷塔、脱庚烷塔顶回流罐、重整油分馏塔和分馏塔顶回流罐，通过机泵Ⅰ将与芳烃装置脱庚烷塔顶部相连的脱庚烷塔顶回流罐中的异构化轻烃抽取出来，脱庚烷塔顶回流罐与分馏塔顶回流罐之间设有输送管道，轻烃直接通过输送管道输送至重整油分馏塔的分馏塔顶回流罐入口进行回收；本实行新型将原有的回收系统进行改造，不再需要经过重整装置脱戊烷塔和重整油分馏塔，降低了芳烃预分单元加工负荷，同时也减少了两塔运行所带来的塔顶空冷、塔顶水冷器、塔底再沸炉的能量，缩短了回收路径，简化了回收工艺和流程，大大降低了能耗。
一种芳烃异构化单元中轻烃优化回收系统

[发明专利]交通流仿真方法、装置、存储介质及电子设备-CN201910415313.6在审
发明人：敬明;李东珂;倪宏杰;尹光文;李龙辉 -专利权人：当家移动绿色互联网技术集团有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种交通流仿真方法、装置、存储介质及电子设备，所述方法包括：构建仿真道路和所述仿真道路上的仿真车辆集合并设置各个所述仿真车辆的速度和位置；基于元胞自动机模型确定第一目标仿真车辆下一时刻的目标速度；根据所述下一时刻的目标速度，更新所述第一目标仿真车辆下一时刻的位置；若存在所述第一目标仿真车辆在所述行驶方向上的后方车辆，根据所述下一时刻的目标速度和所述下一时刻的位置更新与各个所述后方车辆对应的行驶空间以及下一时刻的状态信息；若不存在所述第一目标仿真车辆在所述行驶方向上的后方车辆，根据所述下一时刻的位置更新所述第一目标仿真车辆的下一时刻对应的行驶空间。因此，可以更加精准地进行仿真。
通流仿真方法装置存储介质电子设备

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