[发明专利]金刚石半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。

主权项

一种金刚石半导体装置，其特征在于，具有金刚石衬底、在所述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上垂直地隆起配置且由该隆起的上表面及侧面和所述衬底面形成台阶形状的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域和金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，在所述金刚石台阶部形成p型杂质掺杂区域，在以所述第一台阶部为主体部分别形成于其两端部位置的两个第二台阶部中，在一个所述第二台阶部上形成源电极，在另一个所述第二台阶部上形成漏电极，分别在两个第二台阶部上形成与p型杂质掺杂区域相比高浓度地掺杂有p型杂质的金刚石构成的p+接触区域，源电极隔着一个所述p+接触区域、在一个所述第二台阶部上形成，漏电极隔着另一个所述p+接触区域、在另一个所述第二台阶部上形成，所述掺磷金刚石区域和所述金刚石绝缘区域选择性地一体形成，第一台阶部平面观察形成为细长的线状，第二台阶部以所述第一台阶部为主体部分别一体形成于其两端部位置，第二台阶部至少一部分在平面观察以所述第一台阶部的线方向为基准位于左右侧的侧面分别具有{100}的结晶面。