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[发明专利]具有调制掺杂的半导体装置结构及相关的方法-CN201080064033.2无效
发明人： D.C.德里斯科尔;A.查文;A.W.萨克斯勒 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，其可以包括具有调制掺杂物浓度的掺杂半导体区域。该掺杂半导体区域可以是硅掺杂III族氮化物半导体区域，其中硅的掺杂物浓度在III族氮化物半导体区域内被调制。此外，半导体有源区域可以被构造成响应于通过其中的电信号而产生光。还讨论了相关的方法、装置和结构。
具有调制掺杂半导体装置结构相关方法

[发明专利]半导体发光器件封装和方法-CN201110302128.X无效
发明人： B.P.罗;N.O.肯农;N.希勒;J.埃蒙;M.杰克逊;N.W.小梅登多普 -专利权人： 克里公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种用于发光器件封装的次粘着基台包括矩形衬底。第一接合焊盘和第二接合焊盘位于衬底的第一表面上。第一接合焊盘包括管芯附着区，该管芯附着区向衬底的第一端偏移且被配置成在其上容纳发光二极管。该第二接合焊盘包括在第一接合焊盘和衬底的第二端之间的接合区以及沿衬底的侧边从该接合区向位于衬底的第一端处的衬底的拐角延伸的第二接合焊盘延伸部。第一焊料隆起焊盘和第二焊料隆起焊盘在衬底的第二表面上。该第一焊料隆起焊盘与衬底的第一端相邻并且接触第二接合焊盘。该第二焊料隆起焊盘与衬底的第二端相邻并且接触第一接合焊盘。公开了有关的LED封装以及形成LED封装的方法。
半导体发光器件封装方法

[发明专利]具有形成的间隔式荧光体的照明器件-CN201080062056.X有效
发明人： G·H·尼格莱;A·P·范德文 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： F21K99/00 文献下载
摘要：本发明公开的固态照明(SSL)发光设备具有间隔式荧光体，被设置用于最小化热退化和有效地转换光。SSL发光设备的一个实施例包括安装在基座内的发光二极管(LED)。外罩被相对于基座安装以使光从LED发射到外罩内。间隔式荧光体被安装在外罩内，其中来自LED的至少一部分光射入间隔式荧光体内，至少一部分光在此被吸收并且以不同的波长重新发射并穿过外罩。间隔式荧光体与LED间隔足够的距离安装以使得基本上没有热量从LED传递到所述转换材料内，并且其中间隔式荧光体具有开放式的复合形状。
具有形成间隔荧光照明器件

[发明专利]包括光混合物的固态照明装置-CN201080052740.X在审
发明人： G·H·内格利;A·P·范德文 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：固态照明设备包括多个发光二极管(LED)。每个LED包括：LED装置，配置成发射具有大约第一主波长的光；以及磷光体，配置成接收LED装置所发射的至少一部分光且作为响应发射具有大约第二主波长的光。由多个LED的第一LED的LED装置和磷光体所发射的组合光具有第一色点，而由多个LED的第二LED的LED装置和磷光体所发射的组合光具有落在围绕第一色点的七步麦克亚当椭圆外部的第二色点。
包括混合物固态照明装置

[发明专利]具有选择性掺杂的JFET区的功率半导体器件及形成这样的器件的相关方法-CN201080061047.9有效
发明人：张清纯 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种半导体开关器件包括：宽带隙漂移层，其具有第一导电类型(例如n型)；以及第一和第二宽带隙阱区，其具有第二导电类型(例如p型)并且位于所述宽带隙漂移层上。所述第一导电类型的第一和第二宽带隙源极/漏极区分别位于所述第一和第二宽带隙阱区上。具有所述第一导电类型的宽带隙JFET区被设置在所述第一和第二阱区之间。该JFET区包括邻近所述第一阱区的侧表面的第一局部JFET区和邻近所述第二阱区的侧表面的第二局部JFET区。所述局部JFET区的掺杂浓度超过所述JFET区的位于所述JFET区的第一和第二局部JFET区之间的中心部分的掺杂浓度。
具有选择性掺杂 jfet 功率半导体器件形成这样器件相关方法

[发明专利]高显色指数的可调色温照明器件-CN201080062058.9有效
发明人： A·P·万德文;G·尼格利 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：固态照明设备和光引擎包括第一组固态发光元，其中包括高于CIE图内的黑体轨迹(BBL)发射光的第一发光元和低于BBL发射光的第二发光元。来自第一和第二发光元的组合光生成的发射光色点在BBL的标准偏差以内。还包括有第二组固态发光元，来自第一组和第二组发光元的组合光促使发射光处于黑体轨迹(BBL)的标准偏差以内，其中改变第二组发光元的强度以促使来自第一组和第二组发光元的发射光在某一色温范围内改变，同时仍然在BBL的标准偏差以内发光。
显色指数可调色温照明器件

[发明专利]发光二极管中的荧光体位置-CN201210175686.9有效
发明人：克里斯托弗尔·P·胡塞尔;迈克尔·J·伯格曼;布莱恩·T·柯林斯;大卫·T·艾莫森 -专利权人： 克里公司
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管中的荧光体位置，其中具体公开了形成具有所需分布的荧光体的LED灯的方法。该方法混合未固化环氧树脂中的多个荧光体颗粒，由此响应温度，能控制粘度，以便在树脂中形成基本上均匀的荧光体颗粒的悬浮物。然后，将未固化树脂放在与LED芯片相邻的限定位置中，增加树脂的温度，相应地降低其粘度，但低于树脂将不合理迅速地固化的温度。激励荧光体颗粒以便在降低粘度的树脂中稳定到相对于LED芯片的所需位置；以及此后，使树脂的温度增加到将固化和凝固的点。
发光二极管中的荧光体位

[发明专利]包括低吸收率、受控的反射率以及扩散层的发光二极管（LED）发光系统-CN201080054236.3在审
发明人： G.H.内格利;A.P.范德文;P.K.皮卡德 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： F21V13/04 文献下载
摘要：一种LED发光系统，其包括邻近至少一个LED的外壳，该外壳构造成使得由所述至少一个LED发射的至少一部分光穿过外壳。外壳还具有这样的透射率/反射率比，即，该透射率/反射率比配置成使得（1）直接来自所述至少一个LED从外壳出射的光、以及（2）在外壳内经过一次或多次反射后从外壳出射的光均质化。LED发光系统还包括具有至少两种不同颜色的LED、反射层和扩散层。反射层具有配置成使从LED发射的光的强度均质化的透射率与反射率比。扩散层构造成使光的颜色均匀性均质化。
包括吸收率受控反射率以及扩散发光二极管 led 发光系统

[发明专利]具有补偿旁路电路的固态发光装置及其操作方法-CN201080053242.7有效
发明人： A.P.范德文;G.H.内格利;M.J.哈里斯;P.K.皮卡德;J.P.乔波;T.吉文 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H05B41/00 文献下载
摘要：一种发光装置，包括串联连接的发光器件串和旁路电路，该旁路电路耦合于所述串的第一节点和第二节点并且构造成响应于所述串的温度和/或总电流来易变地传导所述发光器件中的至少一个发光器件的周围的旁路电流。在一些实施例中，旁路电路包括：可变电阻电路，该可变电阻电路耦合于所述串的所述第一节点和所述第二节点，并且构造成响应于施加于控制节点的控制电压来易变地传导所述发光器件中的至少一个发光器件的周围的旁路电流；和补偿电路，该补偿电路耦合于控制节点并且构造成响应于温度和/或总的串电流改变控制电压。
具有补偿旁路电路固态发光装置及其操作方法

[发明专利]发光二极管(LED)晶圆的前端划线以及结果器件-CN201080035958.4有效
发明人： M·多诺弗里奥;W·T·帕克;M·J·伯格曼;S·S·吉尔摩尔;J·T·诺尔曼;K·S·施奈德 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管(LEDs)的晶圆被激光划线以产生激光划线切口。随后，所述晶圆例如通过湿蚀刻而被清洗以减少划线损害。随后，在已被清洗的所述晶圆上形成用于所述LEDs的电触点层。可替代地，在触点形成之前可以由多个蚀刻产生所述划线切口。相关的LEDs也被描述。
发光二极管 led 前端划线以及结果器件

[发明专利]多旋转外延生长设备和包含该设备的反应器-CN201080055924.1有效
发明人： M.J.伯格曼;D.T.埃默森;D.D.塞贝尔 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种用在CVD反应器中的基座设备，其包括具有中心齿轮的主盘。所述主盘具有对置的第一侧面和第二侧面、中心凹口以及多个周向间隔开的凹部，所述中心凹口在第二侧面中形成，所述凹部在第一侧面中形成。所述中心齿轮被定位在中心凹口内，并且卫星盘在各自的凹部内是单独可旋转的。每个凹部具有外围壁，外围壁具有与中心凹口相连通的开口。中心齿轮齿通过各自的壁开口延伸进每个凹部中，并且与同每个行星盘相关联的行星齿轮接合。主盘围绕着其旋转轴的旋转致使卫星盘围绕着它们单独的旋转轴旋转。
旋转外延生长设备包含反应器

[发明专利]包括集成的背面反射器和芯片附接的发光二极管-CN201080046495.1有效
发明人： M·J·伯格曼;K·W·哈贝雷恩;B·E·威廉斯;W·T·帕克;A·F-Y·潘;D·苏;M·多诺弗里奥 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：具有第一(120A)和第二(120B)相对的面的碳化硅衬底(120)，所述第一面上的二极管区域(110)，与所述碳化硅衬底相对的在所述二极管区域上的阳极(112)和阴极(114)触点以及与所述二极管区域相对的在所述碳化硅衬底上的混合反射器(132，134)。所述混合反射器包括透明层(132)和反射层(232)，所述透明层(132)具有低于所述碳化硅衬底的折射率的折射率，所述反射层(232)在所述透明层上，与所述衬底相对。可以在所述混合反射器上提供芯片附接层，与所述碳化硅衬底相对。可以在所述混合反射器和所述芯片附接层之间提供阻挡层(432)。
包括集成背面反射芯片发光二极管

[发明专利]具有导热通路的电子器件基座和包括该基座的发光器件-CN201080051367.6无效
发明人： P·S·安德鲁斯;T·D·洛斯;R·D·昂德伍德 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-08-17 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：用于电子器件的基座包括：包括第一和第二表面并且具有所述第一和第二表面之间的厚度的电绝缘衬底，在所述衬底的所述第一表面上的导热盘，以及从所述衬底的所述第一表面朝向所述衬底的所述第二表面延伸并且具有小于所述衬底的厚度的长度的导热通路。所述导热通路具有比所述衬底的导热率更高的导热率。形成基座的方法也被公开。
具有导热通路电子器件基座包括发光器件

[发明专利]发光二极管的密封剂轮廓-CN201210031021.0有效
发明人：克里斯托弗尔·P·胡塞尔;迈克尔·J·伯格曼;布莱恩·T·柯林斯;大卫·T·艾莫森 -专利权人： 克里公司
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管的密封剂轮廓，其中具体公开一种发光封装二极管，包括发光二极管芯片，安装在反射封装中，其中，与二极管相邻的表面是近Lambertian反射器。在封装中的密封剂以Lambertian反射器为界以及在密封剂中的荧光体转换由LED芯片发出的频率，以及结合由芯片发出的频率产生白光。由密封剂形成的基本上平的弯月镜限定封装二极管的发射面。
发光二极管密封剂轮廓

[发明专利]电力源感测调光电路及其操作方法-CN201080034459.3有效
发明人： J·P·乔博特;M·J·哈里斯;P·A·贝克 -专利权人： 克里公司
申请日： 2010-04-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：通过接收输入信号、确定所述输入信号是AC信号还是DC信号并且基于对所述输入信号是AC信号还是DC信号的确定生成调光命令信号来控制照明。例如，确定所述输入信号是AC信号还是DC信号可以包括生成指示所述输入信号的平均占空比的平均信号以及确定所述平均信号是否满足预定标准。
电力源感测调光电路及其操作方法