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[发明专利]一种多层瓷介电容器端面金属化方法-CN202110388797.7有效
发明人： 何创创;杨俊;庞锦标;尚勇;班秀峰;韩玉成 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01G4/232 文献下载
摘要：一种多层瓷介电容器及其端面金属化方法，包括多层陶瓷介质、每层陶瓷介质上内部电极、P型电极引出端；P型电极引出端上电极及下电极分别位于多层瓷介电容器厚度方向的两侧面；采用蘸浆端涂工艺进行引出端电极制备，解决了依赖于高精度设备和工装夹具的问题；采用薄膜溅射工艺进行引出端电极制备，提高了端电极的致密性，解决了端涂工艺制备样品推球试验不合格问题。采用P型电极引出端设计有效地减小了电流路径，提高谐振频率。采用金作为端电极材料，解决了Ag/Pd电极在高温高湿环境下的银迁移、Ni/Cu电极在高温环境下氧化的问题。该金属化方法广泛应用于传统MLCC以及具有P型电极引出端结构的电阻、电感等片式元件端电极的制备。
一种多层电容器端面金属化方法

[发明专利]一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料及其制备方法-CN202310377506.3在审
发明人：敖来远;杨俊;何创创;陈传庆;张秀;班秀峰;尚勇 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料技术领域，具体公开了一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料及其制备方法，制备方法如下：(1)：将Sr3.85Ca0.15Bi4Ti7O24陶瓷粉末使用硅烷偶联剂进行表面改性处理；(2)：将步骤(1)中改性好的Sr3.85Ca0.15Bi4Ti7O24陶瓷粉末与固化剂、碳氢树脂以及固化剂稀释溶剂进行球磨混料4h～6h得到浆料；(3)：将步骤(2)得到的浆料进行真空脱泡后，经过流延成型制备出生瓷带；(4)：将步骤(3)得到的生瓷带双面覆铜后进行层压烧结，得到高介电常数温度稳定型复合介质基板材料，利用本发明的制备方法可以得到具有较高的介电常数、较低的介电常数温度系数且热稳定性高的复合介质基板材料。
一种介电常数温度稳定复合介质板材料及制备方法

[发明专利]一种MLCC用低温高Q低损耗介质材料的制备方法-CN202310363265.7在审
发明人：伍秦至;应建;陈传庆;何创创;杨俊;姚朝中;许丽 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷介质材料技术领域，特别涉及一种MLCC用低温高Q低损耗介质材料的制备方法，通过将高纯度ZnO、MgO、TiO2按照配比进行一次称量球磨混合，通过煅烧得到预烧料，再向预烧料中加入助烧剂进行二次球磨细化反应物颗粒尺寸，将二次球磨后的陶瓷粉进行造粒，压制成圆柱状生坯，最后生坯排胶烧结而成。与现有技术相比，本发明制得的MLCC电子陶瓷材料具有良好的电性能参数，能满足MLCC技术使用需求，并具有较低烧结温度能够满足与匹配的低电阻电极材料Cu等使用要求，制备工艺采用原材料价格低廉、烧结温度低、对环境无污染，为电子元器件向高频化、集成化、高密度、高速度、高可靠性发展提供了有效的选择方案。
一种 mlcc 低温损耗介质材料制备方法

[发明专利]一种高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板的制备方法-CN202310120364.2在审
发明人：姜滔;敖来远;韩玉成;应建;何创创;陈传庆 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：一种高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板的制备方法，属于电子元器件领域。所述陶瓷粉组分包括碳酸钙、碳酸锶、二氧化锆、五氧化二铌、氧化锌；采用碳酸锶、二氧化锆、二氧化钛合成锆锶钙钛主体材料；采用五氧化二铌、氧化锌及碳酸钙对锆锶钙钛主体材料进行掺杂改性，形成锆锶钙钛基瓷粉，即高温稳定型陶瓷粉。所述陶瓷基板制备方法为：(1)在所述锆锶钙钛基瓷粉中，加入分散剂、溶剂、粘结剂；(2)通过球磨工艺制备成流延浆料；(3)所述流延浆料经过流延、裁片、叠片、等静压、热切、排胶、烧结后得到陶瓷基板。解决了现有锆酸钙作为陶瓷主体材料存在介电常数低、烧结温度高、温度特性差的问题。广泛应用于高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板领域。
一种高温稳定陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高频热补偿型瓷介电容器用陶瓷基板的制备方法-CN202310043972.8在审
发明人：陈杰;谭柳茂;何创创;应建;姜涛;陈传庆 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷介质材料技术领域，特别涉及一种高频热补偿型瓷介电容器用陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：将瓷粉I及瓷粉II按比例混合后，投入球磨机进行二次球磨，得到流延浆料，将流延浆料制成生瓷带，生瓷带制胚、静压，裁切形成生瓷片；生瓷片叠放至承烧板上，送入高温炉中烧结而成。与现有技术相比，本发明制得的高频热补偿型瓷介电容器用陶瓷基板，介电常数210～230、介电损耗＜2.5％、绝缘电阻106Ω、介电‑温度系数为(‑500±200)×10‑6/℃，综合性能指标满足要求，制备工艺采用原料组分较为简单，烧结过程无需预烧和单独排胶，简化了工艺流程，合格率较高，可以批量生产，有助于打破垄断，推动国产电子元器件的小型化发展。
一种高频补偿型瓷介电容器用陶瓷制备方法

[发明专利]一种晶界层电容器用SrTiO3-CN202310064867.2在审
发明人： 何创创;谭柳茂;陈杰;伍秦至;姜滔;陈传庆 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体公开了一种晶界层电容器用SrTiO3基陶瓷基板的制备方法，以SrCO3、TiO2、Ta2O5以及CaCO3为主要原材料，经煅烧处理后得到SrTiO3基陶瓷粉，采用干压成型方式制备成陶瓷坯体，经过排胶处理后，在空气气氛下通过高温箱式电炉进行烧结得到陶瓷块体，利用多线切割机将陶瓷块体分切成要求尺寸规格的陶瓷基板，再将陶瓷基板在氮气或还原气氛中烧结得到半导化陶瓷基板，涂覆氧化剂涂层后，再将陶瓷基板在空气或氧气中在一定的温度下进行加热补氧处理，最终得到SrTiO3基晶界层陶瓷基板，既提高了陶瓷基板介电性能的一致性，又显著提升了陶瓷基板产品的合格率。
一种晶界层电容器用 srtio base sub

[发明专利]一种陶瓷介质瓷粉及其制备方法和应用-CN202011507636.7有效
发明人： 何创创;庞锦标;王丹琴;陈传庆;苟庭刚;杨俊;畅玢;查远华;曹文苑 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷介质瓷粉及其制备方法和应用，陶瓷介质瓷粉，由主材料和改性添加剂组成，主材料为BaTiO3，所述改性添加剂的原料包括Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3；所述Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3的添加量分别为BaTiO3的重量的0.3％～2％、0.3％～1.0％、0.1％～0.5％以及0.1％～0.3％。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板，采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻，最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器，可显著缩小产品厚度尺寸近50％，且击穿电压可靠性指标同比提升67％以上，有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求，为集成电路组装密度的进一步提高提供助益，且适用于微组装工艺。
一种陶瓷介质及其制备方法应用

[发明专利]一种低介电低高频损耗LTCC陶瓷材料及其制备方法-CN202110787976.8有效
发明人：张秀;龚漫莉;杜玉龙;徐泽鹏;尚勇;何创创;杨俊;王星 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：一种低介电低高频损耗LTCC陶瓷材料及其制备方法，组成成分包括硅硼玻璃、钙硼硅玻璃；按质量百分比，硅硼玻璃的比例为5%～20%，钙硼硅玻璃的比例为80%～95%；硅硼玻璃的组成为：B2O3为20%～50%，SiO2为50%～80%，碱金属氧化物占硅硼玻璃的1%～5%，钙硼硅玻璃组成为：CaO为30%～50%，B2O3为15%～40%，SiO2为20%～50%。经原料混合、玻璃粉熔炼、玻璃冷淬、破碎和研磨形成玻璃粉、玻璃粉混合、玻璃粉钝化处理、流延浆料配置、流延成型、烧结等步骤，得到所需陶瓷基片。解决了现有微晶玻璃体系LTCC陶瓷材料介电常高频不稳定、高频损耗高问题。广泛应用于微波电子通讯领域。
一种低介电低高频损耗 ltcc 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种片式阻容器及其制备方法-CN202011511739.0有效
发明人：王丹琴;陈传庆;陈思纤;何创创;庞锦标;苟庭刚;杨俊;畅玢;查远华;曹文苑 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种片式阻容器及其制备方法，制备时将陶瓷介质瓷粉与烧结助剂按照常规的流延料制备方法制备得到生瓷膜片，经过丝网印刷、叠层与等静压，经过切割、排胶与烧结得到内埋MLCC结构电容的基板；经过表电极、背电极、电阻体、包封玻璃及一次裂片后，制备成条状，将电容引出端电极裸露在外面；端面金属化、二次裂片及电镀：经过端面金属化、二次裂片及电镀之后，得到所述片式阻容器。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板，采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻，最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器，可显著缩小产品厚度尺寸近50％，且击穿电压可靠性指标同比提升67％以上，有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求，为集成电路组装密度的进一步提高提供助益，且适用于微组装工艺。
一种片式阻容器及其制备方法

[发明专利]一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其生瓷带制备方法-CN202210075120.2在审
发明人：尚勇;陈传庆;韩玉成;杨俊;张秀;敖来远;班秀峰;何创创 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2022-01-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其生瓷带制备方法，属于电子元器件领域。所述低温共烧陶瓷材料，包括：15％～50％的钾硼硅玻璃、15％～55％的氧化铝、40％～80％的氧化硅及3％～20％的氧化硼；所述钾硼硅玻璃的主原料包括氧化钾、氧化硼、氧化硅；所述氧化硅的粒径D50为1.5μm～2.5μm，所述氧化铝的粒径D50为3μm～6μm。所述生瓷带制备方法包括配料、一次球磨、高温熔炼、二次球磨、流延配料、丝网印刷、低温烧结等步骤。解决了现有LTCC材料在15GHZ高频下相对介电常数高，介电损耗高的问题。广泛应用于5G高频产品中。
一种介电常数低温陶瓷材料及其生瓷带制备方法

[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料流延用粘合剂及其制备方法-CN202210075118.5在审
发明人：尚勇;陈传庆;韩玉成;杨俊;张秀;敖来远;班秀峰;何创创 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2022-01-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/632 文献下载
摘要：一种低温共烧陶瓷材料流延用粘合剂及其制备方法，属于电子元器件领域。所述粘合剂包括：甲基丙烯酸乙酯，丙烯酸甲酯，溶剂，增塑剂，改性剂；所述溶剂包括二甲苯、乙醇、异丙醇三者的混合溶剂；所述增塑剂包括邻苯二甲酸酯类和癸二酸二丁酯中的至少一种；所述改性剂包括分散剂、消泡剂中的至少一种。所述制备方法包括材料制备、逐步加料、分级高转速混合搅拌等步骤。解决了现有陶瓷流延成型技术中粘结剂的排胶温度过高，接近于很多玻璃的软化点，造成大量的碳残留在材料内部结构中，严重影响低温共烧陶瓷性能的问题。本发明技术方案广泛应用于电子陶瓷元件、高密度集成电路等产品的LTCC多层低温共烧陶瓷成型技术领域。
一种低温陶瓷材料流延用粘合剂及其制备方法

[发明专利]一种晶界层电容器的制备方法-CN201911033493.8有效
发明人：张木森;何创创;杨昌平;庞锦标;肖海波;王学杰;王瑞龙;杨俊 -专利权人：湖北大学;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶界层电容器的制备方法，具体步骤为：以SrCO3和TiO2为主料，添加Dy2O3和Ho2O3作为施主掺杂，再加入消泡剂和分散剂，然后球磨，再经流延、干燥、叠片和热压后得到基片生坯；将基片生坯进行排胶处理，排胶后的基片在N2/H2还原气氛中烧结后得到半导化基片；然后将氧化剂均匀涂覆于半导化基片表面，高温保温后，降温，得到绝缘化基片；再利用磁控溅射技术在绝缘化基片正、反面镀上Au电极，然后切片，得到晶界层电容器。本发明通过采用适当的原料、配比以及氧化剂，用二步法制备晶界层电容器，氧化剂和绝缘化物质在晶界层中以纳米晶形式析出，该纳米晶形态对提高电容器的介电性能，特别是绝缘电阻值起到了明显作用。
一种晶界层电容器制备方法

[发明专利]一种提高高温熔炼钙硼硅玻璃均匀性的方法-CN202110787973.4在审
发明人：张秀;龚漫莉;杜玉龙;尚勇;徐泽鹏;杨俊;何创创;班秀峰;王星 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C03C6/04 文献下载
摘要：一种提高高温熔炼钙硼硅玻璃均匀性的方法，步骤包括：选择纳米级二氧化硅粉、硼酸、碳酸钙作为原材料；将纳米二氧化硅、碳酸、钙硼酸进行烧损测试，得到原料的烧损值；使用XRF或ICP测试原料的纯度，得到原料的纯度值；设定原料的设计值,计算出需要实际添加原料的量；使用干式研磨对硼酸、三氧化二硼进行研磨混合；使用高温搅拌熔炼方法进行玻璃熔炼，将玻璃加热至完全融化后，开启搅拌，使玻璃在熔炼过程中充分均匀化；使用冷却与展轧工艺将熔融的玻璃液冷却成为透明均匀的玻璃片。解决了现有钙硼硅玻璃在高温熔炼时出现玻璃分相，导致玻璃成分局部不均匀的问题，提高了钙硼硅玻璃的性能、质量和可靠性。广泛应用于微波电子通讯领域。
一种提高高温熔炼钙硼硅玻璃均匀方法

[发明专利]一种高强度LTCC玻璃陶瓷材料及其制备方法-CN202110787974.9在审
发明人：张秀;龚漫莉;杜玉龙;徐泽鹏;尚勇;何创创;杨俊;王星 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：一种高强度LTCC玻璃陶瓷材料及其制备方法，LTCC玻璃陶瓷材料的组成成分包括铅硼硅玻璃、氧化铝，按质量百分比，铅硼硅玻璃为氧化铝重量的2％～10％，铅硅硼玻璃的组成为：PbO为10％～40％，B2O3为2％～15％，SiO2为50％～85％，CaO为2％～15％，Al2O3为0.5％～5％，碱金属氧化物为1％～5％；氧化铝为α‑Al2O3。经原料准备、原料混合、玻璃粉熔炼、玻璃的冷淬、破碎和研磨、氧化铝粉体玻璃改性、制备改性氧化铝粉、玻璃‑陶瓷的混合、流延浆料的配置、流延成型、烧结等步骤，得到高强度LTCC玻璃陶瓷基片。解决了现有玻璃‑陶瓷强度不高的问题。广泛应用于微波电子通讯领域。
一种强度 ltcc 玻璃陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种碳氢树脂陶瓷粘结片及其批量化生产工艺-CN202110617260.3在审
发明人：杨俊;尚勇;何创创;韩玉成;许丽;龚漫莉;班秀峰 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C04B26/04 文献下载
摘要：一种碳氢树脂陶瓷粘结片及其批量化生产工艺，所述碳氢树脂陶瓷粘结片的组成成分包括：无机填料、硅烷偶联剂、碳氢树脂、固化剂、溶剂。所术批量化生产工艺，包括：将无机填料使用硅烷偶联剂进行表面改性处理；将表面改性后的瓷粉与固化剂、碳氢树脂、溶剂等材料进行混料并行星球磨；将行星球磨后的混合液，经过流延成型制备成生瓷带；将生瓷带在真空高温烘箱中半固化脱模，制备粘结片。解决了现有陶瓷填充碳氢树脂型粘结片厚度均匀性差、生产周期长、不适用于批量化生产的问题。广泛应用于航天电子装备、通讯、北斗系统、无线局域网和物联网等现代微波电子通讯领域。
一种碳氢树脂陶瓷粘结及其批量化生工艺

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