专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光学薄膜、及其制造方法-CN200680025359.8有效
  • 杉谷彰一 - 柯尼卡美能达精密光学株式会社
  • 2006-07-04 - 2008-07-09 - B29C41/24
  • 一种制造光学薄膜的方法,当采用溶液流延制膜法制造光学薄膜时,在以纤维素酯类树脂作为主成分的初制胶浆,在线(in-line)添加比其固体成分浓度低的稀释用溶液而制作已稀释的延用胶浆,使用该延用胶浆而制膜的纤维素酯类树脂薄膜的光学滞后轴,与薄膜搬运方向为垂直(滞后轴的平均取向角在90度±1.5度以内)或平行(滞后轴的平均取向角为0度±1.5度以内);其特征为:使稀释后的延用胶浆的粘度变化或密度变化,以相对标准偏差计为0.01~1%的范围内
  • 光学薄膜及其制造方法
  • [实用新型]一种分子束外延用蒸发坩埚-CN202121368177.9有效
  • 卢灿忠;陈旭林;张孝文;陶晓栋 - 厦门稀土材料研究所
  • 2021-06-18 - 2022-05-10 - C30B23/02
  • 本实用新型公开了一种分子束外延用蒸发坩埚,包括一端开口的中空柱状坩埚主体;坩埚主体相对的内侧壁之间的垂直距离与坩埚主体的直径之间的比例为1:3~10。本申请的分子束外延用蒸发坩埚,通过限定坩埚主体相对的内侧壁之间的垂直距离与坩埚主体的直径之间的比例关系,降低坩埚主体的升温速度,从而使坩埚主体内的温度梯度较小,使得其内材料受热均匀,从而使产生的分子束稳定另外,本申请的蒸发坩埚,分子束流在上升至小孔准直装置喷射到适当温度的单晶基片上的过程中,不会被阻挡,也就不会发生凝聚,进一步提高了分子束的稳定性。
  • 一种分子外延蒸发坩埚
  • [发明专利]碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件-CN202310749399.2在审
  • 尹志鹏 - 河北普兴电子科技股份有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-15 - C30B25/10
  • 本发明提供了一种碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件,所述碳化硅外延用上半月加热座包括上座体,上座体底部开设有凹槽,凹槽呈圆形,凹槽的半径比衬底的半径大预设尺寸。所述碳化硅外延用石墨件包括下半月加热座和上述的上半月加热座,下半月加热座上侧开设有托盘槽,托盘槽呈圆形,内部适于放置衬底;上半月加热座盖设在下半月加热座上侧,凹槽与托盘槽对齐。本发明提供的碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件能够通过开设在上半月加热座上的凹槽,改变衬底上方的温度场,进而抑制3C‑SiC在衬底所在区域上方的上座体上的沉积,从根本上抑制掉落物的产生,最终降低碳化硅表面缺陷数量
  • 碳化硅外延用上半月加热石墨
  • [发明专利]石墨片压延用双面防静电保护膜的制备方法-CN201710345993.X在审
  • 唐月方 - 苏州美辰新材料有限公司
  • 2017-05-17 - 2017-09-12 - C08J7/04
  • 本发明公开了一种石墨片压延用双面防静电保护膜的制备方法,包括如下步骤1)制备纳米白炭黑;2)制备防静电剂;3)制备涂布液;4)在PET膜上涂布上述涂布液并烘干;5)将PET膜的一面涂布上述防静电剂并烘干;6)将PET膜的另一面涂布上述防静电剂并烘干,制得石墨片压延用双面防静电保护膜。本发明能制备出剥离力更稳定、透光率更高的石墨片压延用双面防静电保护膜,且成本低、环境友好。本发明制备的石墨片压延用双面防静电保护膜,其具有双面防静电能力,且剥离力控制在4~9g,透光率不小于85%。
  • 石墨压延双面静电保护膜制备方法

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