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[发明专利]用于薄膜光伏的层和由其制成的太阳能电池-CN201010159775.5无效
发明人： B·A·科列瓦尔;J·N·约翰逊;D·钟;Y·A·奚;F·R·艾哈迈德 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了一种光伏装置，其包括吸收层，其中吸收层包括由晶界隔开的多个晶粒。至少一个层布置在吸收层上。吸收层包括基本上垂直于布置在吸收层上的至少一个层的晶界。多个晶粒具有小于1微米的中值晶粒直径。晶界包括活性掺杂剂。晶界中的活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶界可为相同类型或相反类型。而且，在晶界为n型时，晶界的底部可为p型。还公开了一种制成吸收层的方法。
用于薄膜制成太阳能电池

[发明专利]磁记录介质-CN200410104939.9无效
发明人：荒木亮子;高桥由夫 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11B5/62 文献下载
摘要：降低具有粒状结构的磁记录介质中的晶界分布，以便提供高介质信噪比的磁记录介质。在由通常为柱状结构的晶粒构成的衬层和由通常为柱状结构的磁性晶粒和晶界构成的磁记录层中，使磁记录层的晶粒粒度Dm和衬层的晶粒粒度Du满足0.8×Du≤Dm＜Du的关系，并且将晶界分布的标准偏差除以平均晶界宽度得到的标准晶界分布调整到
记录介质

[发明专利]层叠陶瓷电容器及其制造方法-CN200680009583.8有效
发明人：福田大辅;松原圣;西垣政浩 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种层叠陶瓷电容器，具备交替层叠电介质层及内部电极层而成的电容器本体，所述电介质层由多个结晶粒子和晶界相构成，晶界相由该多个结晶粒子邻接形成的二面间晶界和三重点晶界构成，且在所述电介质层的每单位面积的全部三重点晶界数中5％以上的三重点晶界上形成有Si－Ba－O化合物，从而，成为相对介电常数高、温度特性及高温负载试验特性优异的层叠陶瓷电容器。
层叠陶瓷电容器及其制造方法

[发明专利]晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法-CN202111113271.4在审
发明人：冯毅龙;卢振亚;吕明;戴婷 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。
晶界层晶粒性能微米电极制备方法测试

[发明专利]蓄电装置容器用钢箔、蓄电装置用容器和蓄电装置以及蓄电装置容器用钢箔的制造方法-CN201580039626.6有效
发明人：茨木雅晴;能势幸一;石冢清和;后藤靖人;长崎修司;海野裕人 -专利权人：新日铁住金株式会社;新日铁住金高新材料株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C22C38/06 文献下载
摘要：一种蓄电装置容器用钢箔，具备轧制钢箔、在所述轧制钢箔的表面形成的镍层、和在所述镍层的表面形成的铬系表面处理层，所述镍层具备上层部和下层部，所述上层部与所述铬系表面处理层接触，且其金属元素中含有90质量％以上的Ni，所述下层部与所述轧制钢箔接触，且其金属元素中含有Fe和小于90质量％的Ni，所述镍层中的轧制方向的反极图的<111>极密度为3.0以上且6.0以下，所述镍层具有相对取向差为2°以上且5°以下的两个晶体的晶界即亚晶界、和相对取向差为15°以上的两个晶体的晶界即大角度晶界，所述亚晶界的长度即晶界长度L5与所述大角度晶界的长度即晶界长度L15之比L5/L15的平均值为1.0以上。
装置容器用钢箔以及制造方法

[发明专利]一种电缆金属护层保护器耐老化能力评估方法及系统-CN202310704564.2在审
发明人：刘淡冰;胡欣欣;王亚迪;蚁殷翔;陈霖;李闻博;叶宇婷;李奕霖;伍斯恒;李迪;陈兆炜;黄嘉明;李惠鸿;朱五洲;廖雁群 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司珠海供电局
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及电缆器件质量评估技术领域，公开了一种电缆金属护层保护器耐老化能力评估方法及系统，其方法通过对电缆金属护层保护器施加直流老化电压，并确定含晶界的ZnO压敏陶瓷断面试样，对含晶界的ZnO压敏陶瓷断面试样沿晶界深度方向进行深度刻蚀，获得不同刻蚀深度下的晶界氧的含量分布，从而确定首次刻蚀的晶界氧的占比，根据首次刻蚀的晶界氧的占比的大小对电缆金属护层保护器的耐老化能力进行评估，从而在晶界理化层面对高压电缆金属护层保护器的耐老化能力进行判定，能够精准地对高压电缆金属护层保护器的耐老化能力进行评价，提高了高压电缆金属护层保护器的耐老化能力评估结果的可靠性。
一种电缆金属保护老化能力评估方法系统

[实用新型]一种安全压敏电阻器-CN202022257046.5有效
发明人：黄丽珍 -专利权人：惠州市嵩隆力上电子有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种安全压敏电阻器，其技术方案要点是：包括氧化铋晶界层和分散在所述氧化铋晶界层内的氧化锌晶粒，还包括：第一电极，所述第一电极固定在所述氧化铋晶界层的一侧；第二电极，所述第二电极固定在所述氧化铋晶界层的另一侧；硅胶树脂层，所述硅胶树脂层封装在所述氧化铋晶界层、所述第一电极以及所述第二电极的外部；环氧树脂层，所述环氧树脂层设置在所述硅胶树脂层的外部；以及氧化铝陶瓷块，所述氧化铝陶瓷块部分嵌设在所述氧化铋晶界层内，所述氧化铝陶瓷块部分穿出所述硅胶树脂层与所述环氧树脂层；本安全压敏电阻器在使用时具有良好的安全性，并能够防止其工作过热。
一种安全压敏电阻

[发明专利]非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法-CN202110587842.1在审
发明人：余盈荧;巩倩;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜及其制法。所述非晶碳层诱导的金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜包括依次形成于碳纳米管层表面的作为缓冲层的非晶碳层以及金属层，所述碳纳米管层与非晶碳层的接触面形成第一界面，所述非晶碳层和金属层的接触面形成第二界面，所述金属层远离非晶碳层的一面为第三界面，所述第一界面、第二界面与第三界面均具有至少一个凸起结构和至少一个下凹结构。本发明通过非晶碳的选择性沉积显著优化了CNT薄膜的表面粗糙度，使得接触界面区域大大降低，降低了界面接触电阻，提升了薄膜的电导率，进而提升了金属化碳纳米管电磁屏蔽薄膜的电磁屏蔽性能。
非晶碳层诱导金属化纳米电磁屏蔽薄膜及其制法

[发明专利]用于高温应用的变阻器-CN201980025660.6有效
发明人： P.拉文德拉纳坦;M.贝罗利尼 -专利权人：京瓷AVX元器件公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01C7/102 文献下载
摘要：本发明涉及包含介电材料的变阻器，该介电材料包含由氧化锌晶粒以及位于该氧化锌晶粒之间的晶界层组成的烧结陶瓷。该晶界层包含其量小于10摩尔％的正温度系数热敏电阻材料，基于该晶界层计。
用于高温应用变阻器

[发明专利]一种晶界层陶瓷电容器及其制造工艺-CN201611051519.8有效
发明人：刘剑林;韩玉成;朱威禹;黄伟训;廖东 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶界层陶瓷电容器及其制造工艺，晶界层陶瓷电容器包括金电极、晶界层陶瓷和TiW过渡层，采用晶界层陶瓷介质，并且采用特殊的切割工艺，将产品制成梯形结构；使得本发明产品体积小、电容量大；可靠性高，生产过程工艺步骤减少，避免光刻工艺，避免金层电极附着力下降；采用特殊的划片工艺极大提高产品的合格率，降低生产成本。
一种晶界层陶瓷电容器及其制造工艺

[发明专利]用于热辅助磁记录的合金和结构设计-CN200710086010.1无效
发明人： A·达斯;M·G·拉辛 -专利权人：贺利氏公司
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G11B5/62 文献下载
摘要：用于热辅助磁记录的磁记录介质包括具有由晶界相分隔的磁性晶粒的磁性数据存储层。所述晶界相具有比所述磁性晶粒的热导率更高的热导率。所述磁记录介质进一步包括吸热层和布置于所述磁性数据存储层和吸热层之间的一个或多个中间层。所述一个或多个中间层的每一个具有由晶界相分隔的结晶相晶粒。所述晶界相具有比所述结晶相晶粒的热导率更高的热导率。在所述磁性数据存储层和所述中间层中的晶界相提供了高热导率导管，以将热从所述磁性数据存储层扩散至所述吸热层。
用于辅助记录合金结构设计

[发明专利]热辅助磁记录用的磁记录介质-CN201280071385.X有效
发明人：内田真治 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明的热辅助磁记录用的磁记录介质至少包括非磁性基体和磁记录层，磁记录层具有下部磁记录层与上部磁记录层，下部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒状结构，该非磁性晶界包围磁性晶粒，且由以碳为主要成分的材料构成，上部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒状结构，该非磁性晶界包围磁性晶粒，且由与下部磁记录层的非磁性晶界不同的材料构成。
辅助记录介质

[发明专利]具有晶界多层结构的高性能烧结Nd-Fe-B磁体的制备方法及其制备的产品-CN201611150742.8在审
发明人：张培;胡梅娟;吴敏;张雷;张鹏国 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶界多层结构的高性能烧结Nd‑Fe‑B磁体的制备方法及其制备的产品，目的在于解决现有方法无法实现对晶界结构的精细调控，导致晶界强化效果单一、重稀土资源浪费严重等问题。本发明制备的磁体多层晶界结构，分布在主相晶粒边界的重稀土薄壳层具有较高的磁晶各向异性场，因此能够抑制在反向磁场中晶界薄弱区域的磁畴反转，进而提高磁体的矫顽力和高温稳定性。同时，重稀土薄壳层只分布在主相晶粒边界，很少扩散到主相和晶界中心区域，能大大减少重稀土用量，降低磁体生产成本。另外，本发明磁体中高电位晶界中心层的形成，能缩小晶界相与Nd2Fe14B主相的电极电位差，减小电化学腐蚀驱动力，明显提高磁体的抗腐蚀性能
具有多层结构性能烧结 nd fe 磁体制备方法及其产品

[发明专利]半导体层结构、多晶硅薄膜晶体管、制作方法、显示装置-CN201310016196.9在审
发明人：王祖强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体层结构、多晶硅薄膜晶体管、制作方法、显示装置，通过采用晶界连接线技术，即在多晶硅材质的半导体层中晶界位置处，形成用于连接晶界的微掺杂区，从而可减少多晶硅的晶界缺陷，提高了晶粒均匀性
半导体结构多晶薄膜晶体管制作方法显示装置

[发明专利]一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法-CN201110216528.9有效
发明人：王焱;孙静;靳喜海;刘阳桥 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法，其特征在于以具有高导电氮化物单元(核)/高介电绝缘层结构(壳)的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元，采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO3/TiN、BaTiO3/ZrN、CaTiO3/TiN、MgTiO3/NbN、(Ba，Sr)TiO3/TiN和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/NbN等。本发明的设计理念突破了传统晶界层电容器仅限于SrTiO3和BaTiO3等极个别陶瓷材料这一缺点，将其推广到一系列高介电陶瓷材料，从而可以大大扩展“晶界层电容器”的家族规模。
一类高介电损耗仿晶界层电容器及其制备方法

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