“何伟硕”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有增强的栅极接触件和阈值电压的栅极结构及其方法-CN201810790528.1有效
发明人：刘昱廷;彭彦明;何伟硕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：该半导体结构包括具有第一区和与第一区相邻的第二区的半导体衬底；形成在第一区内的半导体衬底上的第一鳍；设置在第二区内的半导体衬底上的第一浅沟槽隔离(STI)部件；以及第一栅极堆叠件，包括直接设置在第一区内的第一鳍上的第一区段和延伸至第二区内的第一STI部件的第二区段。第一栅极堆叠件的第二区段包括依次堆叠的低电阻金属(LRM)层、第一氮化钽钛层、氮化钛铝层和第二氮化钽钛层。第一区内的第一栅极堆叠件的第一区段没有LRM层。本发明实施例涉及具有增强的栅极接触件和阈值电压的栅极结构及其方法。
具有增强栅极接触阈值电压结构及其方法

[实用新型]人偶及其人偶手部结构-CN202021189703.0有效
发明人： 何伟硕 -专利权人： 何伟硕
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： A63H3/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种人偶及其人偶手部结构，其中，所述人偶手部结构包括手掌部和连接于手掌部的五个手指骨骼；手指骨骼包括第一连接件、第二连接件以及连接组件，第一连接件和第二连接件首尾交替连接，以在第一连接件和第二连接件连接处构成手指骨骼的关节；第一连接件包括位于两端的连接部，第二连接件包括位于两端的U型块，所述连接部通过所述连接组件可转动设置于所述U型块内。在本实用新型中，所述第一连接件和所述第二连接件可相对转动，进而可以方便用于调节人偶手部的姿势，使人偶的动作更加多样性。
其人偶手部结构

[实用新型]一种用于玩具娃娃的连接装置及成人玩具娃娃-CN201821912031.4有效
发明人： 何伟硕 -专利权人： 何伟硕
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： A63H3/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及成人用品技术领域，特指一种用于玩具娃娃的连接装置及成人玩具娃娃。一种用于玩具娃娃的连接装置，包括有中空管状的连接杆和套在连接杆上的套筒，连接杆可顺着套筒的长度方向在套筒内活动，连接杆上设置有限位部件，套筒的侧壁上设置有限位装置，限位部件与限位装置相卡，可使连接杆固定在套筒内。本实用新型在使用的时候，电线及接线端子可从中空管状连接杆和套筒中穿过，通过限位部件和限位装置的相互卡合，实现连接装置的直插式卡合连接，改变了现有技术中旋转的连接方式，可以避免电线缠绕在连接装置中，解决了现有技术中所存在的问题，即玩具娃娃的头部和身体以旋转的方式连接时，电线容易缠绕在连接杆中的问题。
连接杆套筒连接装置玩具娃娃本实用新型成人玩具限位部件限位装置中空管状电线成人用品电线缠绕接线端子卡合连接连接方式直插式侧壁卡合套在缠绕穿过

[发明专利]金属栅极结构及其制造方法-CN201410800258.X有效
发明人： 何伟硕;江宗育;陈光鑫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了半导体结构，包括：衬底，衬底包括第一有源区、第二有源区以及设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离件；多个栅极，设置在衬底上方并且包括延伸在第一有源区、隔离件和第二有源区上方的第一栅极以及位于第一有源区和第二有源区上方的第二栅极；以及层间电介质(ILD)，设置在衬底上方并且围绕多个栅极，其中，第二栅极配置为不传导电流并且包括设置在第一有源区上方的第一部分和设置在第二有源区上方的第二部分，ILD的部分设置在第一部分和第二部分之间。本发明还涉及金属栅极结构及其制造方法。
金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]具有不同宽度的栅极结构及其制造方法-CN201410406683.0有效
发明人： 何伟硕;江宗育;张家铭;林俊铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了具有不同宽度的栅极结构及其制造方法。提供了半导体器件结构及其制造方法的实施例。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一金属栅极结构。第一金属栅极结构具有第一宽度。半导体器件结构进一步包括邻近第一金属栅极结构形成的第一接触件以及形成在衬底上方的第二金属栅极结构。第二金属栅极结构具有小于第一宽度的第二宽度。半导体器件结构进一步包括形成在第二金属栅极结构上方的绝缘层和自对准到第二金属栅极结构的第二接触件。
金属栅极结构半导体器件结构衬底栅极结构接触件绝缘层制造自对准邻近

[发明专利]金属栅极结构及其制造方法-CN201410399989.8有效
发明人： 何伟硕;江宗育;陈光鑫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括具有第一表面的半导体层，以及限定位于半导体层的第一表面上方的金属栅极的层间介电质(ILD)。金属栅极包括高k介电层、阻挡层和功函金属层。阻挡层中位于金属栅极的侧壁处的第一部分的厚度远小于阻挡层中位于金属栅极的底部处的厚度。本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法。该方法包括在ILD中形成金属栅极沟槽，在金属栅极沟槽的底部和侧壁处形成阻挡层，去除阻挡层中位于金属栅极沟槽的侧壁处的第一部分，以及形成与阻挡层共形的功函金属层。 1
金属栅极阻挡层半导体结构侧壁处半导体层第一表面金属层功函金属栅极结构高k介电层层间介电共形去除制造

[实用新型]一种多维活动的关节机构-CN201420672783.3有效
发明人： 何伟硕 -专利权人：广州市新中易环保科技有限公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： A63H3/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及关节结构领域，公开一种能实现多维活动的关节机构，它包括第一连杆、第二连杆，两个柱形连接座，以及一块关节连杆，所述的两个柱形连接座的轴心有一个使其分别套在第一连杆和第二连杆的一端上并使第一、二连杆作轴向旋转的轴孔，以及在其柱面上设有一个凹部，所述的关节连杆的两端为弧形面，并分别与两个柱形连接座的凹部铰接。本实用新型的关节在结构上更加稳定，并且易于维修，而且关节既能作轴向旋转活动，也能实现180度或者360度角等不同程度的完全开合活动，使关节能实现多维度活动，且关节活动更贴近人体关节，因此，人偶在做出各种动作、造型或者摆姿的可塑性更加大，大大提高了人偶的模仿性、互动性和趣味性。
一种多维活动关节机构

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210165274.7有效
发明人：胡雁程;何伟硕;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括半导体基板以及第一抗反射层。半导体基板具有相对的第一型半导体表面与第二型半导体表面。第一抗反射层包括多个折射凸块以及覆盖层。这些折射凸块设置于第二型半导体表面，其中各折射凸块具有第一折射部与第二折射部。第二折射部共形地覆盖第一折射部，且第一折射部的折射率大于第二折射部的折射率。覆盖层覆盖第二型半导体表面及这些折射凸块，且覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201010535766.1有效
发明人：刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;吴振诚;梁硕玮;陈人杰;赖忠威;陈宗保 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳电池-CN201010197017.2有效
发明人：刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;陈建任;林汉涂;梁硕玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。
太阳电池

1
共 10 条