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[发明专利]一种锆钛酸铅-锑锰酸铅压电陶瓷的制备方法-CN201811415970.2在审
发明人：张飞洋;郇正利;闫锋;唐发俊;娄岳;徐轩宇;马立智 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆钛酸铅‑锑锰酸铅压电陶瓷的制备方法。该方法以锆钛酸铅‑锑锰酸铅压电陶瓷为基础，采用传统的固相反应法，通过调节粉料粒度降低烧结温度，通过改变烧结温度降低强场损耗来改善电学性能，制备出具有较好综合性能的0.98Pb0.02Sr(Zr₄₉Ti₄₆(Mn_1/3Sb_2/3)₅)O₃+0.2wt%CeO₂压电陶瓷材料。本发明制备的压电陶瓷应用于压电变压器、压电换能器、信号发生器、微位移器、压电致动器等领域，特别是可应用于超声电机、大功率水声发射换能器等的制备，固相反应法制得的压电陶瓷工艺简单，能够有效降低成本。
制备压电陶瓷锑锰酸铅锆钛酸铅烧结水声发射换能器压电陶瓷材料压电陶瓷工艺有效降低成本固相反应法信号发生器压电变压器压电换能器压电致动器超声电机电学性能粉料粒度固相反应微位移器温度降低综合性能传统的强场应用

[发明专利]一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法-CN201610618667.7有效
发明人：陈涛;李明达;李杨;李普生;殷海丰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法。先对外延炉基座进行腐蚀；向外延炉桶式基座片坑内装入硅单晶衬底片；对硅衬底片的表面进行HCl抛光；在硅片上生长一层本征外延层；利用HCl气体将外延表面受自掺杂严重的部分抛去；进行变温变流量吹扫过程；进行掺杂外延层的生长；掺杂外延层生长达到预定时间后开始降温；对外延片的厚度进行测量，共计五个测试点的厚度，共计五个测试点的电阻率，利用扩展电阻测试法测量外延片的过渡区结构；提高了外延片厚度和电阻率均匀性水平，不均匀性<1.5%，同时降低了晶体缺陷的发生概率，缩短了过渡区的宽度，表面无层错、位错、滑移线、雾等缺陷，满足了LDMOS器件的使用要求。
一种 ldmos 晶体管用外延制备方法

[发明专利]一种掺稀土光纤预制棒的制备方法与装置-CN201811472921.2在审
发明人：耿鹏程;庞璐;梁小红;武洋;衣永青;潘蓉;王标;张慧嘉 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺稀土光纤预制棒的制备方法与装置。装置包括加热模块和温度探测模块，加热模块为半环形‑非封闭式，用于对整个支撑管区和反应管区进行加热保温，加热模块由两个以上子加热模块串联组成；温度探测模块由两个以上子温度探测模块串联组成，用于监测多个区域的温度。采用半环形‑非封闭式加热保温装置，可以对整个支撑管区和反应管区进行加热保温，且不会妨碍MCVD车床热源在反应管下方的自由往返。能够有效解决掺稀土光纤预制棒中稀土离子与铝离子掺杂不均匀的问题。装置的加热模块的高度、弧度与热辐射强度可自由调节，以适应不同直径石英管、不同沸点稀土螯合物的要求。
加热模块温度探测模块掺稀土光纤预制棒非封闭式加热保温半环形制备串联加热保温装置稀土螯合物有效解决自由调节不均匀反应管铝离子热辐射石英管中稀土沸点热源支撑离子掺杂往返监测自由

[发明专利]一种新型有机碳化硅材料LZU111及其合成方法-CN201610467805.6有效
发明人：王为;马天琼 -专利权人：兰州大学;中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：一种新型有机碳化硅材料LZU111及其合成方法，在溶剂热条件下，两种有机小分子单体四（4‑醛基苯基）硅烷和四（4‑胺基苯基）甲烷，在醋酸水溶液的催化下，通过可逆缩合反应形成亚胺键而连接成为有机碳化硅材料LZU111。该种新材料的主要结构特点是，具有2H‑SiC的基础拓扑结构和新型的三层穿插网络；主要性质特点是，具有优良的热稳定性和较大的BET比表面积。通过上述方式，本发明能够高效地获得新型有机碳化硅材料LZU111，且起始原料廉价易得，合成条件温和，对合成设备要求低。
一种新型有机碳化硅材料 lzu111 及其合成方法

[发明专利]一种砷锗镉单晶生长的锗元素补偿方法-CN201811149528.X在审
发明人：霍晓青;刘禹岑;赵堃;徐永宽;于凯 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷锗镉单晶生长的锗元素补偿方法，该方法采用由单晶生长坩埚、锗元素补偿装置和六温区生长炉组成的生长装置，对砷锗镉单晶生长的锗元素补偿进行控制。将高纯度的CdGeAs₂多晶原料放入带有Ge元素补偿装置的坩埚中，并进行真空密封，再放入六温区生长炉中，通过精确控温，实现了CdGeAs₂单晶生长和Ge元素的补偿，使所生长单晶上下两端Ge元素均匀，避免了因单晶中Ge元素不同而形成的性能不一致现象，该方法易实现，从而有效增加了单晶体的可利用率，降低了生长成本。
单晶生长锗元素补偿装置生长炉单晶放入温区单晶生长坩埚多晶原料上下两端生长装置真空密封生长不一致单晶体高纯度控温坩埚

[发明专利]一种高介电常数覆铜箔微波介质板及其制备方法-CN201611123299.5有效
发明人：张立欣;王丽婧;纪秀峰;张伟;张海涛;庞子博;武聪;贾倩倩;金霞 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C08L27/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数覆铜箔微波介质板及其制备方法，表面改性，制备出改性陶瓷粉或改性玻璃纤维；将改性陶瓷粉50~80wt%、改性玻璃纤维2~10wt%和PTFE树脂15~45wt%充分混合；向混合物加入表面活性剂2~10wt%继续混合；再加入絮凝剂5~20wt%，直至形成沉淀，过滤；烘干粉碎成“面包屑”状物；加入2~20wt%塑化剂混合形成“面团状”物质；放入压延机上压延成型生基片；烘干；将烘干后的基片按一定顺序叠层，进行热压烧结，自然冷却。原材料经混合形成“面团”具有优异的流动性和成型性。通过压延辊反复压延，保证了厚度和介电性能均一性。采用压延工艺，克服模压工艺尺寸问题和均一性问题。
压延烘干制备改性玻璃纤维改性陶瓷粉高介电常数微波介质板均一性铜箔面包屑表面活性剂表面改性充分混合介电性能模压工艺热压烧结顺序叠层压延成型面团成型性混合物面团状塑化剂絮凝剂压延辊放入状物沉淀过滤保证

[发明专利]一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法-CN201610939929.X有效
发明人：司华青;霍晓青;郭文斌;张颖武;程红娟;徐永宽;张志鹏;于凯;练小正 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管，在A端水平放置圆柱形支撑结构和衬底；盛放原料的小舟放置在B端，小舟与衬底间距为15~35cm；石英管两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封。采用该装置可以快速有效的对气相法晶体生长用原料进行提纯。通过采用高温和低温下两次恒温工艺，在一步提纯过程中，即可以去除原料中的低熔点杂质，同时实现高熔点杂质和原料的有效分离。提纯装置采用双法兰的设计保证了腔体内气流的可控性增强，保证了气相法晶体生长的原料的纯度，解决了气相法晶体生长中影响晶体质量和光电性能的关键问题。
一种气相法晶体生长原料提纯装置及其方法

[发明专利]一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法-CN201811149529.4在审
发明人：霍晓青;刘禹岑;于凯;徐永宽;赵堃 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法，该方法采用VGF生长装置对Cd元素补偿的CdGeAs₂单晶的生长过程进行控制，VGF生长装置包括由石英原料坩埚和平底石英坩埚组成的单晶生长坩埚和五温区生长炉，石英原料坩埚部分设为晶体生长区，平底石英坩埚设为元素补偿区，元素补偿区位于单晶生长坩埚的下方，两区域通过生长坩埚侧壁的元素补偿管相连通，将CdGeAs₂和Cd原料放进两层的坩埚内，分温区和步骤控制CdGeAs₂单晶生长温度，在单晶生长过程中补偿Cd元素，使晶体首尾两端Cd元素均匀分布，解决因为Cd元素不一致导致的单晶性能不统一的问题，增大单晶的有效使用体积，降低CdGeAs₂单晶生长成本。
单晶生长单晶坩埚单晶生长坩埚生长装置石英原料补偿区可补偿温区单晶生长过程平底石英坩埚晶体生长区生长过程生长坩埚石英坩埚首尾两端有效使用补偿管不一致生长炉侧壁两层统一

[发明专利]一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法-CN201610941184.0有效
发明人：霍晓青;司华青;郭文斌;张颖武;程红娟;徐永宽;张志鹏;于凯;练小正 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B29/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法。首先提纯CdS原料：将称取的原料放入安瓿瓶中，在安瓿瓶口装上蓝宝石生长衬底和导热棒，将生长区置于石英支撑管上，再一起装入石英保温外管中，然后整体放入提纯炉中进行提纯；生长CdS单晶：称取多晶料放入安瓿瓶中，称取Cd粒加入多晶料中；在安瓿瓶口放上CdS籽晶后，压上蓝宝石的导热棒抽至真空状态，放入单晶生长炉中进行单晶生长。该工艺简单，生长周期短，成本低廉。采用该方法生长的CdS单晶尺寸大，直径可达53mm，单晶透明性高，红外透过率好，不容易开裂，室温常压下可长时间保存，在2.5um‑5um部分红外透过率可以高达71.5%。
一种尺寸红外透过 cds 生长方法

[实用新型]单偏振非周期性大节距单模有源微结构光纤-CN201820658755.4有效
发明人：张慧嘉;衣永青;潘蓉;庞璐;王标;武洋;耿鹏程;王东波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单偏振非周期性大节距单模有源微结构光纤，该光纤包括有源纤芯区、内包层空气孔区、应力硼棒阵列区、外包层空气孔区和外包层基底区，内、外包层空气孔区内设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的若干空气孔，应力硼棒阵列区内设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的掺硼石英棒，使有源微结构光纤出射的光为单偏振光。经过有源微结构光纤中微结构包层和应力硼棒区的优化设计，可使在激光热量导致了光纤截面折射率发生变化的情况下，单模和高阶模仍然可以得到较好的模式分离，且仍然保持单偏振光。在高功率运转的情况下，可保证较好的光束质量和单偏振的状态，为稳定的高能量高功率激光运转奠定了基础。
微结构光纤空气孔应力硼棒单偏振外包层单模光纤单偏振光非周期性光纤轴向大节距本实用新型高功率激光微结构包层光纤截面激光热量优化设计运转高功率高阶模高能量基底区内包层石英棒纤芯区折射率阵列区贯穿掺硼出射保证

[实用新型]非周期性大节距单模有源微结构光纤-CN201820660406.6有效
发明人：张慧嘉;庞璐;潘蓉;衣永青;王标;武洋;耿鹏程;刘笑东 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非周期性大节距单模有源微结构光纤，该光纤由内到外依次包括有源纤芯区、内包层空气孔区、外包层空气孔区和外包层基底区，内包层空气孔区和外包层空气孔区内设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的若干空气孔，若干空气孔以纤芯轴心为中心，环绕于有源纤芯区周围。本实用新型提出的非周期性大节距单模有源微结构光纤经过微结构包层的优化设计，在激光热量导致了光纤截面折射率发生变化的情况下，单模和高阶模仍然可以得到较好的模式分离，在高功率运转的情况下，可保证较好的光束质量，为稳定的高能量高功率激光运转奠定了基础。
空气孔单模微结构光纤非周期性大节距外包层本实用新型内包层纤芯区光纤高功率激光微结构包层光纤截面光纤轴向激光热量优化设计高功率高阶模高能量基底区折射率运转纤芯环绕贯穿保证

[发明专利]一种能谱分析粉末样品的阵列式快速制备方法-CN201810736337.7在审
发明人：蔺娴;王鑫;李雨辰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明公开了一种能谱分析粉末样品的阵列式快速制备方法。首先将特制的样品架用无水乙醇或丙醇超声清洗干净并晾干；将单面导电胶贴于样品架开孔阵列区域背面，并保持开孔露出部分导电胶表面清洁；用专用取样勺取适量样品置于导电胶上并铺满样品架一个开孔的表面；然后用自制压棒将样品压实；用同样的方法将样品架上其它的开孔按样品的编号依次填满样品；用镊子将样品架反转抖掉未固定粉末，再用吸耳球轻吹保证没有残余未固定粉末，样品制备完成。本发明的方法易操作；定位方便；样品不宜混淆；且样品之间不易相互污染；制备单个样品所需的样品量少；并可以达到批量制样，极大地提高制样效率。
样品架开孔粉末样品快速制备能谱分析导电胶阵列式制样单面导电胶丙醇镊子表面清洁超声清洗单个样品无水乙醇样品制备阵列区域晾干取样勺吸耳球样品量反转填满压棒压实制备背面混淆自制污染保证

[发明专利]一种砷化镓单晶片清洗的方法-CN201610615118.4有效
发明人：杨艺;曹志颖 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓单晶片清洗的方法，包括：砷化镓单晶片抛光处理后，用无水乙醇清洗，去离子水冲洗，再用极稀的碱性溶液清洗，去离子水冲洗，最后用SC1药液清洗，去离子水冲洗，经甩干、检验后封装。为使晶片表面状态较好，应注意所用溶液的配比以及所用溶液的温度。本发明通过无水乙醇和碱溶液的清洗去除晶片表面的有机物，SC1号液清洗时，双氧水可把砷化镓表面层氧化，氨水可溶解砷的氧化物以及镓的氧化物，使表面层剥离，再经去离子水快速冲洗，使表面无药液残留，从而得到洁净的表面。
一种砷化镓单晶片清洗方法

[发明专利]一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法-CN201610618664.3有效
发明人：陈涛;李明达;薛兵;白春磊;殷海丰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度值分别进行设定；利用氯化氢HCl气体在高温下对外延炉基座进行刻蚀抛光；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，利用HCl气体对硅衬底片表面进行抛光；采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫；在硅片上生长一层很薄的本征外延层；进行掺杂外延层的生长；掺杂外延层生长达到预定厚度后开始降温；对外延片九个测试点的厚度进行测量，从而获得硅外延片的平均厚度及其均匀性。实现了对400μm的薄Sb衬底的外延生长的良好控制，其厚度不均匀性<0.5%，边缘无滑移线、崩边、损伤等缺陷，满足VDMOS器件对硅外延层的要求，提高了器件的加工良率。
一种 vdmos 器件 sb 衬底制备外延方法

[发明专利]一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法-CN201610941175.1有效
发明人：闫萍;庞炳远;刘洪 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法，第一步、线圈表面喷砂：第二歩、线圈表面的超声波清洗：第三步、多晶硅真空区熔及蒸发：第四歩、线圈表面清理：第五歩、覆盖硅膜层，将第三步、第四歩的过程重复进行三次，使线圈表面被真空蒸发的硅膜层完全覆盖。利用真空区熔工艺，以高纯多晶硅为原料，采用真空蒸发的方法，对线圈表面进行包硅预处理，使线圈表面形成一个牢固附着的硅膜层。采用经预蒸发处理后的线圈作为加热线圈进行真空区熔硅单晶生长时，可完全消除真空蒸发作用对单晶生长的影响，并有效避免了因硅颗粒从线圈表面脱落进入熔区所造成的材料沾污，提高了单晶的少子寿命，满足了真空区熔硅单晶生长的需要。
一种真空区熔硅单晶生长加热线圈表面预处理方法