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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光刻对准标记的放置方法-CN201210567698.6无效
  • 丁刘胜 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-12-24 - 2014-07-02 - G03F9/00
  • 本发明公开了一种光刻对准标记的放置方法，步骤包括：1）将所有光刻对准标记集成在掩膜上的图形区域内，和当层的主图形一起制成光刻版；2）算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标；3）根据晶格的大小，在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形；4）用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域；5）后层光刻时，平移上层的集成图形进行对准。本发明将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域，利用shot的平移实现光刻对准，该方法不受切割线大小的限制，因此解决了切割线尺寸变小后的对准标记放置问题。
  • 光刻对准标记放置方法
  • [发明专利]减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法-CN201110346464.4无效
  • 丁刘胜 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-11-04 - 2013-05-08 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，包括以下步骤：第一步，形成第一层光刻胶；第二步，形成第二层光刻胶；第三步，对芯片进行曝光；第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。本发明通过两次涂胶，分别控制两次涂胶过程中芯片边缘曝光区域的大小，使得第二次涂胶过程中的芯片边缘曝光区域比第一次小，并利用第二次涂胶的边缘曝光斜坡为第一次的芯片边缘曝光区域作为硬膜进行显影，从而形成需要的图形。
  • 减少芯片边缘斜坡区域方法
  • [发明专利]光刻工艺中精确对准的校正模型-CN200910057883.9有效
  • 丁刘胜;隋建国;王强;蔡亮 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2009-09-07 - 2011-04-13 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种光刻工艺中精确对准的校正模型，直接测量得到多晶硅栅对准浅槽隔离的第一层套准数据与接触孔对准多晶硅栅的第二层套准数据；第一层套准数据与第二层套准数据进行矢量相加得到接触孔对准浅槽隔离的第三层套准数据；由所述第三层套准数据计算得到第三层最大横向套准偏移量和第三层最大纵向套准偏移量；当所述第三层最大横向套准偏移量或第三层最大纵向套准偏移量大于套准容差时，系统会自动防止产品流向下工程。本发明保证了产品质量、提高了产品良率、提升了经济效益。
  • 光刻工艺精确对准校正模型
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