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[实用新型]碳化硅沟槽栅晶体管-CN202021271284.5有效
发明人：崔京京;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅沟槽栅晶体管。碳化硅沟槽栅晶体管包括：依次层叠的衬底层、第一外延层、第二外延层；第一沟槽，贯穿第二外延层，并且底部延伸到第一外延层中；第二沟槽，贯穿第二外延层，并且底部延伸到第一外延层中，第二沟槽与第一沟槽隔开间隔，并且第二沟槽围绕第一沟槽形成；在第一沟槽与第二沟槽之间的述第二外延层形成有源极接触区和基极接触区，第一沟槽的内表面配置有绝缘介质膜，并填充有导电介质，第二沟槽中填充有绝缘介质，在第一外延层中的第二沟槽的底部周围形成有第二导电类型的扩展区域。根据上述碳化硅沟槽栅晶体管，可以降低沟槽栅晶体管的栅介质层所承受的电场强度，同时不会较大影响晶体管的正向电流导通能力。
碳化硅沟槽晶体管

[发明专利]碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法-CN202011555663.1有效
发明人：崔京京;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法，该碳化硅沟槽栅晶体管包括衬底，外延层配置为第一导电类型；体区配置为第二导电类型；沟槽沿垂直于衬底方向贯穿体区并延伸至外延层；栅绝缘层位于沟槽内周面；栅极位于沟槽；第一源极接触区和第二源极接触区配置为第一导电类型的重掺杂区，设置于沟槽沿平行于衬底方向相对两侧，体区包括第一区域和第二区域，第一区域位于第一源极接触区与外延层之间，第二区域位于第二源极接触区与外延层之间，在垂直于衬底方向，第二区域厚度小于第一区域厚度。本申请提供的碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法，能够充分利用沟槽的垂直面以降低通道阻力，提高碳化硅沟槽栅型MOSFET总的电流导通能力。
碳化硅沟槽晶体管及其制造方法

[发明专利]碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法-CN202010625709.6在审
发明人：崔京京;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法。碳化硅沟槽栅晶体管包括：依次层叠的衬底层、第一外延层、第二外延层；第一沟槽，贯穿第二外延层，并且底部延伸到第一外延层中；第二沟槽，贯穿第二外延层，并且底部延伸到第一外延层中，第二沟槽与第一沟槽的隔开间隔并围绕第一沟槽的形成；在第一沟槽与第二沟槽之间的述第二外延层形成有源极接触区和基极接触区，第一沟槽的内表面配置有绝缘介质膜，并填充有导电介质，第二沟槽中填充有绝缘介质，在第一外延层中的第二沟槽的底部周围形成有第二导电类型的扩展区域。根据上述碳化硅沟槽栅晶体管，可以降低沟槽栅晶体管的栅介质层所承受的电场强度，同时不会较大影响晶体管的正向电流导通能力。
碳化硅沟槽晶体管及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN201921527295.2有效
发明人：崔京京;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种半导体器件。本实用新型实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一阱区及第二阱区，第二阱区包括间隔分布的多个掺杂单元，在第一方向上第一阱区的最大宽度大于等于掺杂单元的最大宽度；第二电极层，覆盖外延层及阱区设置。本实用新型实施例提供的半导体器件，在具备优异的正向额定导通能力的同时，具备更强的浪涌电流导通能力。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201921086090.5有效
发明人：崔京京;黄玉恩;章剑锋 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种半导体器件。本实用新型实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间隔；第二电极层，包括设置于第一表面上相邻阱区之间的第一金属层，第一金属层与外延层之间形成势垒高度不同的肖特基接触。本实用新型实施例提供的半导体器件，能够提高正向导通能力，又不影响反向阻断能力。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910865839.4在审
发明人：崔京京;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。本发明实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一阱区及第二阱区，第二阱区包括间隔分布的多个掺杂单元，在第一方向上第一阱区的最大宽度大于等于掺杂单元的最大宽度；第二电极层，覆盖外延层及阱区设置。本发明实施例提供的半导体器件，在具备优异的正向额定导通能力的同时，具备更强的浪涌电流导通能力。
阱区半导体器件衬底层外延层第一表面第一电极导通掺杂第二电极间隔分布浪涌电流延伸设置正向覆盖制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910624457.2在审
发明人：崔京京;黄玉恩;章剑锋 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。本发明实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间隔；第二电极层，包括设置于第一表面上相邻阱区之间的第一金属层，第一金属层与外延层之间形成势垒高度不同的肖特基接触。本发明实施例提供的半导体器件，能够提高正向导通能力，又不影响反向阻断能力。
第一表面阱区半导体器件衬底层外延层第一金属层第一电极肖特基接触第二电极反向阻断延伸设置正向导通正投影势垒制造

[实用新型]半导体器件-CN201822196795.4有效
发明人：尹江龙;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层；源极结构包括相互独立的N+掺杂区，以及环绕每个N+掺杂区设置的P基区，相邻的P基区彼此间隔；第二电极层包括源电极及栅电极，源电极对应并连接N+掺杂区及P基区设置，栅电极对应N+掺杂区、P基区及相邻P基区之间的N‑型漂移区设置，且栅电极与N‑型漂移区及源极结构之间通过栅氧化层连接；在栅氧化层与N‑型漂移区之间设置有Al_xGa_1‑xN层，Al_xGa_1‑xN层对应并连接N‑型漂移区，0＜x≤1。本实用新型提供的半导体器件具有改善的积累层电阻及较高的工作效率。
漂移区基区掺杂区半导体器件源极结构栅电极本实用新型第二电极栅氧化层源电极第一电极工作效率依次层叠衬底层积累层电阻环绕

[实用新型]半导体器件-CN201822199954.6有效
发明人： 黄玉恩;尹江龙;章剑锋;颜发明 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括电极层；半导体层，与电极层层叠设置，半导体层包括相接触设置的N型区和P型区，P型区包括氟化铝分解的受主杂质铝离子，半导体层在第一方向上具有相对的第一表面和第二表面，P型区由第一表面向第二表面方向延伸预定距离形成，预定距离为0μm～500μm且不包含0的端点，铝离子浓度在P型区的深度方向上递减形成缓变的受主杂质梯度，同一梯度的P型区中的铝离子均匀分布；N型区和P型区的接触面形成PN结。本实用新型提供的半导体器件具有较高的击穿电压，受主杂质分布更均匀。
半导体器件半导体层受主杂质铝离子本实用新型第二表面第一表面预定距离方向延伸击穿电压接触设置电极电极层氟化铝缓变递减分解

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811599418.3在审
发明人： 黄玉恩;尹江龙;章剑锋;颜发明 -专利权人：瑞能半导体有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其特征在于，包括：电极层；半导体层，与电极层层叠设置，半导体层包括相接触设置的N型区和P型区，N型区和P型区的接触面形成PN结；其中，P型区包括含有氟化铝分解的受主杂质。本发明提供的半导体器件及其制造方法能够缩短制造工序的时间和减少工艺成本。
半导体器件半导体层工艺成本接触设置受主杂质制造工序电极电极层氟化铝制造分解

[发明专利]半导体器件-CN201811597948.4在审
发明人：尹江龙;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层；源极结构包括相互独立的N+掺杂区，以及环绕每个N+掺杂区设置的P基区，相邻的P基区彼此间隔；第二电极层包括源电极及栅电极，源电极对应并连接N+掺杂区及P基区设置，栅电极对应N+掺杂区、P基区及相邻P基区之间的N‑型漂移区设置，且栅电极与N‑型漂移区及源极结构之间通过栅氧化层连接；在栅氧化层与N‑型漂移区之间设置有Al_xGa_1‑xN层，Al_xGa_1‑xN层对应并连接N‑型漂移区，0＜x≤1。本发明提供的半导体器件具有改善的积累层电阻及较高的工作效率。
漂移区基区掺杂区半导体器件源极结构栅电极第二电极栅氧化层源电极第一电极工作效率依次层叠衬底层积累层电阻环绕

[实用新型]一种页岩层间蠕变剪切测试仪-CN201621355438.2有效
发明人：冯志刚;李晓军;张孟强;黄玉恩;昶慧芹;张晓华 -专利权人：河北省高速公路管理局;西安科技大学;陕西茂业生态建设有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种页岩层间蠕变剪切测试仪，包括用于支撑页岩试件的底座、由上至下对页岩试件中间试验节段循环加载的加载机构、对呈水平布设的页岩试件进行固定的试件固定套、用于定位页岩试件试验节段的定位机构和对页岩试件应变进行测量的测量装置；所述加载机构包括砝码、布设在页岩试件中间试验节段顶部的砝码座、固定连接在所述砝码座上方且呈竖直布设的砝码杆和所述砝码杆顶端固定连接的盖板。本实用新型结构简单、设计合理且使用效果好，通过增加砝码控制施压对页岩层间蠕变剪切进行测试，结果采用数显百分表进行记录，测试结果准确。
一种页岩层间蠕变剪切测试仪

[实用新型]一种路基蠕变强度点荷载测试装置-CN201621354133.X有效
发明人：张孟强;李晓军;冯志刚;昶慧芹;黄玉恩;张小勇;孙乐 -专利权人：河北省高速公路管理局;西安科技大学;西安心学交通地质工程有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： G01N3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种路基蠕变强度点荷载测试装置，包括支架、安装在支架上的施压机构、带动施压机构由下至上移动的提升机构，以及检测单元；所述支架包括底座、位于底座上方的横板、以及底座和横板之间的两个连接柱；施压机构包括两个竖直固定在横板下方的导杆、水平安装在导杆上的支撑板，所述支撑板上固定有下压头，所述下压头的上方同轴设置有上压头，所述上压头固定安装在横板下方；所述提升机构包括固定在横板上方的两个定滑轮，定滑轮上设置有牵引绳，牵引绳的一端固定在支撑板上，牵引绳的另一端连接有砝码。该测试装置结构简单，操作方便，制造成本低，且测试结果稳定可靠。
一种路基强度荷载测试装置

[发明专利]过热保护三端双向可控硅开关及其保护方法-CN201210088367.4有效
发明人：尼克·汉姆;黄玉恩;章剑锋;马克·沃里克;安德鲁·巴特勒;金明豪 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：一种三端双向可控硅开关电路，包括：三端双向可控硅开关，具有第一和第二主端子(MT1、MT2)和栅极端子，以及晶闸管，连接在所述主端子(MT1、MT2)之一与所述三端双向可控硅开关电路的控制端子之间。当通过温度诱导泄漏电流接通晶闸管时，所述晶闸管用于防止所述三端双向可控硅开关的接通。
过热保护双向可控硅开关及其方法

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