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[实用新型]一种绝缘栅双极晶体管终端-CN202022416606.7有效
发明人： 尹江龙;章剑锋;向军利 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管终端。该绝缘栅双极晶体管终端包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底靠近第一表面侧的主结、浮动环、沟道截断环、氧化层；以及与所述第一表面相对的场截止层；所述浮动环设置在所述主结和所述沟道截断环之间；所述浮动环与所述主结的间距为预设间距，所述预设间距用于使所述绝缘栅双极晶体管的击穿位置在所述浮动环上。采用本申请提供的绝缘栅双极晶体管终端，可以使得在测试FS‑IGBT的击穿电压时，击穿电流的击穿位置位于浮动环上，从而可以避免由于snap‑back现象导致的测试失败的情况，可以有效提高测试效率。
一种绝缘双极晶体管终端

[实用新型]二极管-CN202022006235.5有效
发明人： 尹江龙;章剑锋;向军利 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二极管，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。根据本申请实施例提供的二极管，能够降低二极管的生产成本。
二极管

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管终端-CN202011162496.4在审
发明人： 尹江龙;章剑锋;向军利 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管终端，该绝缘栅双极晶体管终端包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底靠近第一表面侧的主结、浮动环、沟道截断环、氧化层；与所述第一表面相对的场截止层；以及位于所述场截止层的下表面侧的电场截止层和阳极区，所述电场截止层至少覆盖所述主结沿垂直于所述电场截止层表面的投影；所述阳极区与所述电场截止层相接；所述浮动环设置在所述主结和所述沟道截断环之间。采用本申请提供的绝缘栅双极晶体管终端，可以避免由于snap‑back现象导致的测试失败的情况，有效提高测试效率。
一种绝缘双极晶体管终端

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管终端-CN202011163332.3在审
发明人： 尹江龙;章剑锋;向军利 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管终端。该绝缘栅双极晶体管终端包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底靠近第一表面侧的主结、浮动环、沟道截断环、氧化层；以及与所述第一表面相对的场截止层；所述浮动环设置在所述主结和所述沟道截断环之间；所述浮动环与所述主结的间距为预设间距，所述预设间距用于使所述绝缘栅双极晶体管的击穿位置在所述浮动环上。采用本申请提供的绝缘栅双极晶体管终端，可以使得在测试FS‑IGBT的击穿电压时，击穿电流的击穿位置位于浮动环上，从而可以避免由于snap‑back现象导致的测试失败的情况，可以有效提高测试效率。
一种绝缘双极晶体管终端

[发明专利]二极管及其制备方法-CN202010958636.2在审
发明人： 尹江龙;章剑锋;向军利 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二极管及其制备方法，制备方法包括：提供第一导电类型的衬底，衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，衬底包括相对的第一表面和第二表面；在衬底的第一表面上形成第一导电类型阱区；在衬底的第二表面上形成第二导电类型阱区；在第一导电类型阱区和第二导电类型阱区上分别形成第一电极层和第二电极层；其中，第一导电类型和第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。根据本申请实施例提供的二极管及其制备方法，能够降低二极管的生产成本。
二极管及其制备方法

[实用新型]半导体器件-CN201822196795.4有效
发明人： 尹江龙;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层；源极结构包括相互独立的N+掺杂区，以及环绕每个N+掺杂区设置的P基区，相邻的P基区彼此间隔；第二电极层包括源电极及栅电极，源电极对应并连接N+掺杂区及P基区设置，栅电极对应N+掺杂区、P基区及相邻P基区之间的N‑型漂移区设置，且栅电极与N‑型漂移区及源极结构之间通过栅氧化层连接；在栅氧化层与N‑型漂移区之间设置有Al_xGa_1‑xN层，Al_xGa_1‑xN层对应并连接N‑型漂移区，0＜x≤1。本实用新型提供的半导体器件具有改善的积累层电阻及较高的工作效率。
漂移区基区掺杂区半导体器件源极结构栅电极本实用新型第二电极栅氧化层源电极第一电极工作效率依次层叠衬底层积累层电阻环绕

[实用新型]半导体器件-CN201822199954.6有效
发明人：黄玉恩;尹江龙;章剑锋;颜发明 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括电极层；半导体层，与电极层层叠设置，半导体层包括相接触设置的N型区和P型区，P型区包括氟化铝分解的受主杂质铝离子，半导体层在第一方向上具有相对的第一表面和第二表面，P型区由第一表面向第二表面方向延伸预定距离形成，预定距离为0μm～500μm且不包含0的端点，铝离子浓度在P型区的深度方向上递减形成缓变的受主杂质梯度，同一梯度的P型区中的铝离子均匀分布；N型区和P型区的接触面形成PN结。本实用新型提供的半导体器件具有较高的击穿电压，受主杂质分布更均匀。
半导体器件半导体层受主杂质铝离子本实用新型第二表面第一表面预定距离方向延伸击穿电压接触设置电极电极层氟化铝缓变递减分解

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811599418.3在审
发明人：黄玉恩;尹江龙;章剑锋;颜发明 -专利权人：瑞能半导体有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其特征在于，包括：电极层；半导体层，与电极层层叠设置，半导体层包括相接触设置的N型区和P型区，N型区和P型区的接触面形成PN结；其中，P型区包括含有氟化铝分解的受主杂质。本发明提供的半导体器件及其制造方法能够缩短制造工序的时间和减少工艺成本。
半导体器件半导体层工艺成本接触设置受主杂质制造工序电极电极层氟化铝制造分解

[发明专利]半导体器件-CN201811597948.4在审
发明人： 尹江龙;章剑锋;黄玉恩 -专利权人：瑞能半导体有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层；源极结构包括相互独立的N+掺杂区，以及环绕每个N+掺杂区设置的P基区，相邻的P基区彼此间隔；第二电极层包括源电极及栅电极，源电极对应并连接N+掺杂区及P基区设置，栅电极对应N+掺杂区、P基区及相邻P基区之间的N‑型漂移区设置，且栅电极与N‑型漂移区及源极结构之间通过栅氧化层连接；在栅氧化层与N‑型漂移区之间设置有Al_xGa_1‑xN层，Al_xGa_1‑xN层对应并连接N‑型漂移区，0＜x≤1。本发明提供的半导体器件具有改善的积累层电阻及较高的工作效率。
漂移区基区掺杂区半导体器件源极结构栅电极第二电极栅氧化层源电极第一电极工作效率依次层叠衬底层积累层电阻环绕

[发明专利]一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN201210281409.6有效
发明人：杜江锋;尹江龙;马坤华;张新川;赵子奇;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化镓接触的栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与p型掺杂氮化镓形成肖特基接触，其特征在于，它还包括一层位于氮化镓沟道层和氮化铝成核层之间的p-AlxGayN/n-AlxGayN/……/p-AlxGayN/n-AlxGayN复合缓冲层，简称pn结复合缓冲层，其中p-AlxGayN代表p型掺杂铝镓氮，n-AlxGayN代表n型掺杂铝镓氮，以抑制电子在缓冲层内的输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压。
一种具有纵向复合缓冲氮化镓基高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种Pr,Eu/Tb共掺杂的钨/钼酸盐荧光粉及其制备方法-CN201210415178.3无效
发明人：武文;宣亚文;王振岭;李春阳;尹江龙 -专利权人：周口师范学院
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种Pr，Eu/Tb共掺杂的钨/钼酸盐荧光粉，其化学组成为A1-x-yBO4:xPr，yTb/Eu，其中A元素为Ca、Ba、Sr中的一种或几种，B元素为W或Mo，0.01＜x≤0.10，0.01＜y≤0.10。其制备方法为：按摩尔比为A∶BO4∶Pr∶Tb/Eu＝(1-x-y)∶1∶x∶y的比例，将A元素的碳酸盐或氧化物、钨/钼酸的铵盐与Pr、Tb或Eu的氧化物混合，与少量无水乙醇混合，充分研磨混匀后得到混合物，经高温烧结、粉碎、研磨、烘干即可得到所述荧光粉。该荧光粉在紫外光(特别是210nm～250nm)激发下，样品分别发出485nm蓝光、585nm黄光、545nm绿光、612nm和645nm的红光，通过调节掺杂的稀土镨、铕、铽离子的种类和浓度，可分别获得绿光、黄光和白光，适于制备高亮度白光LED荧光粉。
一种 pr eu tb 掺杂钼酸荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201210341509.3有效
发明人：杜江锋;赵子奇;马坤华;尹江龙;张新川;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成的源极，漏极和栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，在氮化镓（GaN）沟道层和氮化铝（AlN）成核层之间还设有横向p-n结复合缓冲层以抑制缓冲层内的载流子输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压与输出功率。
一种具有横向复合缓冲结构氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201210324418.9有效
发明人：杜江峰;赵子奇;尹江龙;张新川;马坤华;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，该氮化镓基异质结场效应晶体管还包括与衬底接触的背电极。本发明中的背电极通过调制器件缓冲层电势分布，增大二维电子气沟道与P型铝铟镓氮缓冲层之间的电势差，使沟道二维电子气与缓冲层内P型杂质达到完全耗尽，从而使器件沟道电场分布更加均匀，提升器件的击穿电压。
一种具有电极结构氮化镓基异质结场效应晶体管

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