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[发明专利]细胞阵列计算系统-CN201510456254.9有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统，包括：主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和存储单元阵列；细胞阵列是由一个以上二维细胞阵列叠合而成的三维细胞阵列，二维细胞阵列由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成，每个细胞包括微处理器和非易失随机存储器；至少一个二维细胞阵列与对应的一个或一个以上存储单元阵列叠合形成三维结构，每个存储单元阵列中的存储单元与相应二维细胞阵列中的细胞一一对应相连，以配合细胞共同存储软件的指令代码和需要永久保存的数据；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中的每个细胞进行通信；细胞阵列中相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间的通信瓶颈，提升系统整体性能。
细胞阵列计算系统

[发明专利]一种室内外场景确定方法及装置-CN201610576451.9有效
发明人： 郭一民;况璐 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H04N5/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种室内外场景确定方法及装置。该方法中，通过分析图像的曝光值、增益值、亮度值、清晰度评价值、RGB值，得到当前场景的光强特征、光源特征和色温特征，来进行室内外场景的判断，以便进行图像采集参数的调整，与现有技术的方案相比，不需要额外添加任何硬件模块，也无需人工干预，实现更加简单。
一种内外场景确定方法装置

[发明专利]一种应用细胞阵列计算系统实现神经网络计算的方法-CN201510456306.2有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种应用细胞阵列计算系统实现神经网络计算的方法，所述细胞阵列计算系统包括：主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维阵列；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中每个细胞进行通信；相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据；所述方法包括：将细胞阵列内每个参与神经网络计算的细胞中存储一个或一个以上神经元函数的代码；任一参与神经网络计算的细胞接收到来自其他细胞所输出的对于神经元函数的代码的执行结果，作为本细胞的输入数据执行本细胞所存储的神经元函数的代码，并输出执行结果，或存入预设地址。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间存在的通信瓶颈，提升系统整体性能。
一种应用细胞阵列计算系统实现神经网络方法

[发明专利]利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统及编辑缓存方法-CN201510288523.5有效
发明人：戴瑾;郭一民 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统，包括MRAM与块存储设备，MRAM包括编辑缓存区，用于缓存文件编辑内容，块存储设备用于存储文件数据。本发明还提供一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法。利用MRAM作为编辑缓存区，在用户保存文件时，只更新MRAM中的编辑缓存区，并不擦写NAND闪存，因而能够延长系统的使用寿命，也减小系统的存储负荷。
利用 mram 作为编辑缓存存储系统方法

[发明专利]细胞阵列计算系统及其调试方法-CN201510456255.3有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统及其调试方法，所述细胞阵列计算系统包括：主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维或三维阵列，其中每一个细胞包括微处理器和非易失随机存储器；每一个细胞储存各自在所述细胞阵列中的位置作为ID以供细胞中的软件或硬件读取；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中每个细胞进行通信；相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据；所述细胞阵列计算系统还包括与所述主控CPU相连的调试接口，调试设备通过所述调试接口控制所述主控CPU对在所述细胞阵列的各个细胞中运行的软件进行调试。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间存在的通信瓶颈，提升系统整体性能。
细胞阵列计算系统及其调试方法

[发明专利]一种摄像系统以及图像识别系统-CN201510456261.9有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：一种摄像系统以及图像识别系统，所述摄像系统包括：细胞阵列计算系统和图像传感器，细胞阵列计算系统包括主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维阵列，其中每一个细胞包括微处理器和非易失随机存储器；所述图像传感器是由一个以上图像采集单元组成的二维阵列，细胞阵列与图像传感器叠合形成三维结构，图像传感器中的图像采集单元与细胞阵列中的细胞一一对应地相连；所述图像采集单元用于采集图像数据以供细胞阵列中的细胞进行处理；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中每个细胞进行通信；相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据。本发明能使摄像系统的图像处理能力得以大幅提升。
一种摄像系统以及图像识别

[发明专利]细胞阵列计算系统以及其中细胞之间的通信方法-CN201510456203.6有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统以及其中的通信方法，所述细胞阵列计算系统包括：主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维阵列；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中的每一个细胞进行通信；细胞阵列中的相邻细胞之间有通信接口，能相互发送数据；细胞阵列中参与细胞间通信的细胞包含起点细胞、终点细胞和中转细胞，起点细胞为向终点细胞发出数据的细胞，终点细胞为最终接收起点细胞所发数据的细胞，中转细胞为沿细胞间通信路径依次相邻且通过所述通信接口中转起点细胞所发数据的细胞。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间存在的通信瓶颈，提升计算系统的整体性能。
细胞阵列计算系统以及其中之间通信方法

[实用新型]一种土木施工安全防护围挡-CN201820858897.5有效
发明人： 郭一民;牛海娟;刘晓伟 -专利权人：延安大学西安创新学院
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： E04H17/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及围挡技术领域，公开了一种土木施工安全防护围挡，由多个相互连接的围挡单元组成，所述围挡单元包括：多块栏板、多个定位环、伸缩定位杆和立柱，每块栏板上左右两侧的连接面上与立柱上左右两侧的连接面上一面均设有圆形截面凸块，另一面均设有与凸块相匹配的凹槽，相邻两块栏板之间和栏板与立柱之间均通过凸块和凹槽可拆卸连接，每块栏板的背面均设有定位环，多个定位环呈直线设置，伸缩定位杆上开设有多个定位孔，这种土木施工安全防护围挡，可以根据施工的位置和空间进行调节，结构稳固，安装拆卸方便，同时避免扩大施工区域的边界，造成交通拥堵的现象。
围挡栏板施工安全防护定位环土木立柱凸块伸缩定位杆左右两侧本实用新型可拆卸连接拆卸方便结构稳固施工区域圆形截面直线设置定位孔多块拥堵匹配背面施工交通

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法-CN201710443581.X在审
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极通孔电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极通孔，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极通孔。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极通孔多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底制作

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法-CN201710447873.0在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻;张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极沟槽，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极线条。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底通孔制作线条

[发明专利]摄像系统以及图像识别系统-CN201510456293.9有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：一种摄像系统以及图像识别系统，摄像系统包括：细胞阵列计算系统和图像传感器，细胞阵列计算系统包括主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维阵列；图像传感器是由一个以上图像采集单元组成的二维阵列，细胞阵列与图像传感器叠合形成三维结构，图像传感器中的图像采集单元与细胞阵列中的细胞一一对应地相连；图像采集单元采集图像数据以供细胞阵列中的细胞进行处理；细胞阵列计算系统还包括存储单元阵列和内存单元阵列中的至少一种；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中每个细胞进行通信；相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据。本发明能使摄像系统的图像处理能力得以大幅提升。
摄像系统以及图像识别

[发明专利]自动优化写电压的磁性存储器及其操作方法-CN201710348941.8在审
发明人：叶力;戴瑾;郭一民 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动优化写电压的磁性存储器及其操作方法。本发明的自动优化写电压的磁性存储器包含MRAM芯片阵列结构，前述阵列结构中每个存储位元的写入操作通过在位线或源线上施加一定的驱动电压来实现。在写电压参考电压模块中产生多个参考电压电位，对应不同的工作温度区间。在存储位元阵列附近设置温度传感器。在写电压驱动电路模块和写电压参考电压模块中间插入一个参考电压选择模块，根据内置温度传感器录得的芯片实际工作温度来选择相对应的写电压参考电压电位，并输出至写电压驱动器，从而实现根据温度反馈自动优化的写电压方案。该设计方案能根据实际工作温度选择更优化的写入电压，有利于降低MRAM芯片的运行功耗，提升芯片寿命。
写电压自动优化磁性存储器参考电压电位参考电压模块存储位元参考电压选择模块内置温度传感器驱动器芯片工作温度区间驱动电路模块温度传感器驱动电压温度反馈温度选择写入操作写入电压芯片寿命芯片阵列运行功耗阵列结构在位线源线施加输出优化

[发明专利]一种超高密度随机存储器架构-CN201710302215.2在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高密度随机存储器架构，包括：以矩阵列方式排布布置的多个存储单元；其中，每个存储单元包括：以垂直叠加的形式生成的第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域，其中第一半导体区域和第三半导体区域具有第一掺杂类型，第二半导体区域具有第二掺杂类型；在第三半导体区域正上方邻接地形成有漏极，在第一半导体区域正下方邻接地形成有源极，在第二半导体区域垂直两侧形成有两个栅极，其中栅极与第二半导体区域经由氧化物绝缘物隔开。
半导体区域随机存储器掺杂类型存储单元邻接架构垂直叠加矩阵列绝缘物氧化物隔开漏极排布源极垂直

[发明专利]使用垂直型环绕式场效晶体管的超高密度随机存储器架构-CN201710301700.8在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用垂直型环绕式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，包括：以垂直叠加的形式生成的第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域；在第三半导体区域正上方邻接地形成有漏极，在第一半导体区域正下方邻接地形成有源极，环绕式栅极以完全环绕第二半导体区域的方式形成在第二半导体区域周围；其中环绕式栅极与第二半导体区域经由氧化物绝缘物隔开；第一半导体区域和第三半导体区域具有第一掺杂类型，第二半导体区域具有第二掺杂类型。
半导体区域环绕式场效晶体管随机存储器掺杂类型垂直型邻接架构垂直叠加绝缘物氧化物隔开漏极源极环绕

[发明专利]一种制作小尺寸磁性随机存储器结构单元的方法-CN201710312673.4在审
发明人： 郭一民;张云森;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作小尺寸磁性随机存储器结构单元的方法，包括：第一步骤：提供表面抛光的带金属通孔的半导体基底，其中金属通孔形成在金属层间电介质层，金属通孔的顶部表面可能不平整；第二步骤：在带金属通孔的半导体基底上沉积通孔阻挡层，并对通孔阻挡层进行平坦化处理；第三步骤：在平坦化后的通孔阻挡层上生长磁性隧道结和硬掩膜层，然后继续图形化制作磁性隧道结单元。
金属通孔阻挡层通孔磁性随机存储器结构半导体基底制作磁性隧道结单元磁性隧道结平坦化处理表面抛光电介质层顶部表面硬掩膜层金属层平坦化图形化沉积平整生长