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[发明专利]具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法-CN202110153096.5有效
发明人： 赵见国;杨旻荟;曹锡哲;施江熠;王孟璇;田澄睿;顾浚哲 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法，该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向，沿不同方向制备具有不同周期的图形，用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底，可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题，从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量，广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。
具有对称周期结构 iii 氮化物复合衬底及其加工方法

[发明专利]一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法-CN201910461768.1有效
发明人： 赵见国;刘向;潘江涌;李元元;倪海彬;常建华 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构，包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力，从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源，实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化，最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜，广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备，并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
一种质量极性 algan 复合结构及其加工方法

[发明专利]用于生长Ⅲ族氮化物的AlN复合衬底及制备方法-CN202211423695.5在审
发明人：杨旻荟;赵见国;王海潮;田澄睿 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于生长Ⅲ族氮化物的AlN复合衬底及制备方法，包括由下至上排列的蓝宝石衬底及含有多个纳米孔洞的AlN薄膜，其中纳米孔洞的直径为300nm‑2μm，呈密堆积排列。本发明以聚苯乙烯微球为掩膜层制备含有纳米孔洞阵列的新型AlN复合衬底，可替代价格昂贵的纳米级图形化蓝宝石衬底，用于外延生长III族氮化物，并降低外延生长的III族氮化物半导体材料的缺陷密度。
用于生长氮化物 aln 复合衬底制备方法

[实用新型]一种基于激光器的综合光学实验系统-CN202222547941.X有效
发明人： 赵见国;王海潮;潘江涌;徐儒;杨旻荟 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了教学实验技术领域的一种基于激光器的综合光学实验系统，综合光学实验系统包括光学现象产生模块、光强检测模块、传动模块和系统处理模块，所述光学现象产生模块用于产生光学物理图像，光学现象产生模块包括光学导轨、激光器、光学狭缝和光屏，激光器和光学狭缝均置于光学导轨之上，激光器和光学狭缝的相对位置可调整，光强检测模块固定在传动模块之上，激光器和传动模块分别置于光学导轨的两侧，光学狭缝位于两者之间，系统处理模块同时控制光强检测模块和传动模块。本系统能够满足自动、半自动和手动进行光学实验的需求，并能自动进行相关数据采集、记录和分析，实现简单和准确的光学物理实验。
一种基于激光器综合光学实验系统

[发明专利]Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202211018417.1在审
发明人： 赵见国;索博研;徐儒;常建华 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成Ge/Si异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层。本发明晶体管具有更高的开态电流、更陡峭的亚阈值摆幅斜率、更强的栅控能力、优秀的射频特性，同时能够抑制双极性电流，改善隧穿场效应晶体管亚阈值特性。
pocket 结构 si ge 异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种激光功率计结构-CN202010601532.6有效
发明人：常建华;陈思成;赵见国;陶治;李红旭 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开一种激光功率计结构，包括激光功率计单元，该激光功率计单元包括自下而上依次设置的基板、绝缘层、金属弹性形变层；本发明的激光功率计结构基于光力效应，并通过平板电容结构实现对激光功率的测量，光力效应不需要能量吸收过程，功率测量更具及时性；本发明的激光功率计结构通过高反射镜，能有效的利用测量激光，实现在正常工作过程中对激光功率的实时监控。
一种激光功率结构

[实用新型]一种多功能的一次性桌布-CN202123248387.7有效
发明人： 赵见国;蔡欣馨 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： A47G11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多功能的一次性桌布，桌布包括桌布主体，桌布主体上设有用于固定桌布主体的紧固机构，紧固机构包括条形夹层、固定绳，固定绳滑动设置在条形夹层内；桌布主体的一侧设有阵列分布的条形夹层，相邻的条形夹层间相互垂直，条形夹层的两端设有开口，固定绳的两端穿过开口，桌布主体上吸附层，吸附层上设置有用于防滑的橡胶凸点。本实用新型桌布，采用条形夹层内设有固定绳，固定绳收紧条形夹层，使桌布贴合桌面，适合不同形状的桌子使用，通过固定绳对桌布进行固定，使用完后，固定绳紧固桌布，方便收纳垃圾，固定绳收紧条形夹层，固定桌布，紧固桌布端口，防止垃圾倾洒。
一种多功能一次性桌布

[实用新型]一种基于博流BL604的桌面照明系统-CN202122755321.0有效
发明人：顾浚哲;赵见国;杨乐晴;马尚清 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H05B45/325 文献下载
摘要：本实用新型提出一种基于博流BL604的桌面照明系统，包括：博流BL604主控芯片、PWM波输出控制电路、LED灯带和继电器控制电路；其中，博流BL604主控芯片分别连接PWM波输出控制电路和继电器控制电路，PWM波输出控制电路的输出端连接LED灯带的输入接口，继电器控制电路的输出端作为外接扩展设备的接口。本实用新型采用模块化设计，将台灯的各个模块独立出来，同时留出外部扩展的接口，一方面便于台灯硬件的升级，另一方面又便于扩展台灯的功能。
一种基于 bl604 桌面照明系统

[实用新型]一种可伸缩的多功能衣架-CN202023277927.X有效
发明人： 赵见国;杨昕宇 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： A47G25/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可伸缩的多功能衣架，包括衣架挂钩、四根普通支架、两根带有小孔的支架、两根带有小孔并可伸缩的支架和四个倒钩；两根带有小孔的支架与两根带有小孔并可伸缩的支架首尾相连组成四边形衣架框体；四根普通支架的一端分别连接在四边形衣架框体的四个连接顶点处，四根普通支架的另一端汇集连接在中心安装件下部，中心安装件上端连接一个衣架挂钩；四边形衣架框体的四个连接顶点处分别连接一个倒钩。本实用新型通过调整支架的长短，可用于不同大小的衣物和床单的晾晒，支架上的小孔也可挂置衣物，可降低挂置高度，适合老年人等行动不便人群，衣架上附带的小孔和倒钩，可用于挂置衣物和鞋子，满足了体积小、有多种用途的要求。
一种伸缩多功能衣架

[发明专利]一种GaN基绝缘栅双极型晶体管及其加工方法-CN201810776006.6有效
发明人：张雄;赵见国;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基绝缘栅双极型晶体管及其加工方法，其芯片结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN或AlN缓冲层、掩膜层、GaN柱状层、GaN集电区、N型AlxGa1‑xN缓冲层、GaN飘移区和MOS结构区。设置掩膜层可以触发GaN的外延生长模式由二维平面生长转换为柱状生长，有助于消除GaN与衬底间失配引起的应力、提高外延层的晶体质量；还能实现从GaN柱状层处进行剥离的工艺，极大地降低碎片几率，大幅度提高器件的成品率。引入N型AlxGa1‑xN缓冲层，以相对较小的厚度即可有效消除器件关断时的拖尾电流，提高器件性能。对于制备高成品率、低成本、小关断功耗的GaN基绝缘栅双极型晶体管具有重要意义。
一种 gan 绝缘栅双极型晶体管及其加工方法

[实用新型]一种制备叉指电极的硬掩膜板-CN202022961525.5有效
发明人： 赵见国;李渤 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备叉指电极的硬掩膜板，通过在现有技术的基础上进行改进，将制备叉指电极的硬掩膜板分为两部分，用于分步骤蒸镀叉指电极的电极组和连接组，使模板上交叉部位密集分布的镂空部相互独立，互不连通，减少每个独立镂空部的边缘长度，提高分布较密集的镂空部周围的模板结构对镂空部的支撑性，从而使制备叉指电极的硬掩膜板在确保电极薄度的前提下，相较于现有的模板，整体具有更好承重性能，不易发生断裂，能够用于实现更窄的线宽，更小的线间距和更大有效面积制备叉指电极，且具有低损耗、高成品率制备的优点。
一种制备电极硬掩膜板

[发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN201810004329.3有效
发明人：张雄;赵见国;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，该晶体管由下至上依次包括衬底(101)、GaN或AlN缓冲层(102)、GaN沟道层(103)、AlxGa1‑xN势垒层(104)、覆盖在AlxGa1‑xN势垒层(104)之上的绝缘层(106)、设置在绝缘层(106)之上的栅极电极(107)、设置在GaN沟道层(103)之上的源极电极(108)和漏极电极(105)以及在源极电极(108)外侧的B掺杂区(110)和在漏极电极(105)外侧的A掺杂区(109)，其中0x0.5。本发明氮化镓基高电子迁移率晶体管能有效地提高器件的开通速度，对实现高性能增强型高电子迁移率晶体管具有重要意义。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种微型发光二极管显示器结构及制作方法-CN201610759300.7有效
发明人： 赵见国;孙智江;吴自力 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型发光二极管显示器结构，还涉及该显示器结构的制造方法，该显示器的显示单元均由若干个像素构成；其特征在于：所述的每个像素均包含两个或两个以上的次像素，且一个单元内同一列的次像素连接在同一个电极A上，一个单元内同一行的次像素连接在同一个电极B上并实现行列驱动。本发明的优点在于：其无需背光源，有利于将显示器做薄，同时，其又是由性能稳定的无机半导体外延片制成，使用寿命长，且不会出现显示不均匀的状况；且能够极大程度上简化生产流程，降低生产成本。
一种微型发光二极管显示器结构制作方法

[发明专利]一种非极性图形化AlN/蓝宝石复合衬底及其制备方法-CN201811324994.7有效
发明人：张雄;陈帅;赵见国;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性图形化AlN/蓝宝石复合衬底及其制备方法，其结构包括r面图形化蓝宝石衬底、蓝宝石图形、掩膜层和AlN覆盖层，蓝宝石图形是r面图形化蓝宝石衬底的一部分，为非对称的圆锥或棱锥结构，即朝向[1101]晶向倾斜，该结构可从而有效解决非极性III族氮化物外延生长过程中沿不同方向生长速率不同而导致晶体质量难以提高的问题。同时，AlN覆盖层是蓝宝石衬底在NH3氛围下高温分解的同时与NH3直接反应生成的。本发明提供的复合衬底不仅可以有效减少III族氮化物在外延生长过程中O杂质的并入，并能在不消耗Al源的前提下，在蓝宝石衬底表面获得致密的高质量非极性AlN覆盖层，对在其上生长高质量非极性III族氮化物及相关器件具有重要意义。
一种极性图形 aln 蓝宝石复合衬底及其制备方法

[发明专利]一种偏振发光二极管芯片-CN201610836776.6有效
发明人： 赵见国;孙智江 -专利权人：海迪科(南通)光电科技有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种偏振发光二极管芯片，是一种棱台结构的发光二极管芯片，该棱台结构的发光二极管芯片包括自下而上依次设置的蛾眼结构增透层、周期性蛾眼结构/第二介质阵列层、以及具有完整结构可以正常发光的光二极管芯片，所述棱台结构的发光二极管芯片还包括在棱台斜面及顶面上设置的金属高反射层。本发明的优点在于：本发明为棱台结构的发光二极管芯片，进而形成斜面，且在斜面上设置金属高反射层，能够将横向的光线反射后出射，从而减小光能的损失；通过在发光二极管芯片的出光面设置周期性蛾眼结构/第二介质阵列表面层，可以使发光二极管出射偏振光；同时，通过设置的蛾眼结构增透层，提高光线的出射角，将原来发生全发射的光线出射。
一种偏振发光二极管芯片

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