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[实用新型]器件腐蚀用的装置-CN202220855468.9有效
发明人： 蔡齐航;杨鑫;余维松;刘涛;张晓威 -专利权人：苏试宜特（上海）检测技术股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种器件腐蚀用的装置，包括：内部中空且供盛装腐蚀溶液的容器，容器的顶面为敞口；固设于容器底面且呈竖向设置的支撑组件，高度可调；可拆卸地安装于支撑组件顶部的承载台，承载台的底面形成有呈水平状的粘贴面以供粘贴器件。本实用新型中承载台可拆卸地安装于支撑组件顶部以便于拆卸承载台，以方便的在承载台上安装拆卸器件，器件可粘贴于呈水平状的粘贴面上以确保器件的平整度，根据腐蚀溶液的加注量以及器件需腐蚀的高度对支撑组件的高度进行调节，进而控制器件浸入腐蚀溶液部分的高度，以控制器件的腐蚀程度，避免器件过多的浸入腐蚀溶液而造成器件损坏的问题。
器件腐蚀装置

[实用新型]可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置-CN202120518464.7有效
发明人： 蔡齐航;余维松;谢亚珍 -专利权人：苏试宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，所述支撑装置形成为一个直三棱柱的五面体结构，该直三棱柱包含两个全等的直角三角形底面和三个长方形侧面；三个所述长方形侧面中，其中两个是与所述直角三角形底面共用直角边的长方形侧面，另外一个是与所述直角三角形底面共用斜边的长方形侧面。本实用新型设计了一种直三棱柱结构的TEM制样支撑装置。利用直三棱柱五面体结构的支撑作用和直角边长方形侧面固定芯片并使芯片侧面朝上，实现了从芯片侧面进行切割的目的，解决了较深结构TEM试片厚薄不均，刀痕严重的问题，提高了TEM制备的成功率和TEM试片的品质。
用于芯片侧面 tem 支撑装置

[实用新型]可选择性区域保护的镀膜装置-CN202120366645.2有效
发明人： 蔡齐航;杨鑫;谢亚珍;余维松 -专利权人：苏试宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可选择性区域保护的镀膜装置，包括待切割样品、样品台、镀金机和遮盖板，所述待切割样品放置于所述样品台上，所述镀金机装设于所述样品台的上方并正对所述待切割样品，所述遮盖板可拆卸地安装于所述样品台上并遮挡于所述待切割样品和所述镀金机之间，所述遮盖板的尺寸与所述待切割样品的制样区域的尺寸相适配。本实用新型的镀膜装置，可在对样品进行镀膜的过程中对制样区域进行保护，既能够使样品的导电性得到提升，又不会使制样区域因镀膜而造成损伤。
选择性区域保护镀膜装置

[发明专利]穿透式电子显微镜试片的制备方法-CN201810279965.7有效
发明人：巫永仁;庄翌圣;蔡齐航 -专利权人：苏试宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种穿透式电子显微镜试片的制备方法，包括如下步骤：对一观察对象进行第一薄化处理，从而于所述观察对象内形成具有一定厚度的一观察片体；对所述观察片体进行L型切割，使得所述观察片体的一侧部和底部与所述观察对象相分离；于所述观察片体上靠近其与所述观察对象相分离的端部的上表面和所述观察对象之间沉积形成一连接结构，通过所述连接结构连接所述观察片体的上表面和所述观察对象；对所述观察片体进行第二薄化处理至设定厚度，从而得到穿透式电子显微镜试片；以及从所述观察对象中取出所述穿透式电子显微镜试片。本发明采用L型切割，从而在减薄过程中可将应力释放，避免观察片体弯曲的问题。
穿透电子显微镜试片制备方法

[发明专利]用于砷化镓半导体的结染色溶液及其结染色方法-CN201810304929.1有效
发明人：庄翌圣;蔡齐航;巫永仁 -专利权人：苏试宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于砷化镓半导体的结染色溶液及其结染色方法，所述结染色溶液包括由重量比值为1.5～4的硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)组成，并在40～60℃的温度范围下混合制成的第一溶液，以及由重量比值为0.5～7的柠檬酸(C6H8O7)和过氧化氢(H2O2)组成，并在5～20℃的温度范围下混合制成的第二溶液。借此，利用第一溶液、第二溶液进行二次选择性蚀刻，以克服现有结染色溶液一次性蚀刻所导致的反应过激问题，并完成砷化镓半导体的结染色操作，且通过本发明结染色方法能够使砷化镓半导体的掺杂区域显现，并于光学显微镜与扫描式电子显微镜下皆可观测出明显轮廓，利于进行半导体的失效分析。
用于砷化镓半导体染色溶液及其方法

[发明专利]一种基于平面样品转截面样品的特定微小区域标定方法-CN201910505783.1在审
发明人： 蔡齐航;谢亚珍;郭语柔 -专利权人：苏试宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明的一种基于平面样品转截面样品的特定微小区域标定方法，包括步骤：将平面样品放入透射电子显微镜中观察，并记录平面样品上的特定微小区域的位置信息；根据记录的位置信息对对平面样品进行金属线性沉积，于平面样品上形成线性路径；将带有线性路径的平面样品放入透射电子显微镜中，观察线性路径是否落入特定微小区域内：若是，则以该线性路径作为将平面样品转截面样品时的执行位置；若不是，则再次对所述平面样品进行所述金属线性沉积，直至有所述线性路径落入所述特定微小区域内为止。本发明弥补了扫描式电子显微镜分辨率不高的缺点，可以对特定微小区域进行精准的定位，避免了误认盲切，能够得到符合要求的截面样品。
一种基于平面样品截面特定微小区域标定方法

[实用新型]用于平面样品上形成定位标记的辅助装置-CN202020774326.0有效
发明人： 蔡齐航;谢亚珍;余维松 -专利权人：苏试宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于平面样品上形成定位标记的辅助装置，包括：相对设置且供夹住平面样品的第一固定板和第二固定板，且该第一固定板和第二固定板可拆卸地连接，该第一固定板的一侧间隔开设有若干条形孔；对第一固定板进行喷金，以透过条形孔于平面样品的表面形成定位标记线。本实用新型有效地解决了缺陷定位困难的问题，能够提升缺陷的定位精度，大大减少误认或盲切的状况发生，保证后续的检测精度，且本装置结构简单，便于实现。
用于平面样品形成定位标记辅助装置

[发明专利]用于平面样品上形成定位标记的辅助装置及其使用方法-CN202010396221.0在审
发明人： 蔡齐航;谢亚珍;余维松 -专利权人：宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于平面样品上形成定位标记的辅助装置及其使用方法，包括：相对设置且供夹住平面样品的第一固定板和第二固定板，且该第一固定板和第二固定板可拆卸地连接，该第一固定板的一侧间隔开设有若干条形孔；对第一固定板进行喷金，以透过条形孔于平面样品的表面形成定位标记线。本发明有效地解决了缺陷定位困难的问题，能够提升缺陷的定位精度，大大减少误认或盲切的状况发生，保证后续的检测精度，且本装置结构简单，便于实现。
用于平面样品形成定位标记辅助装置及其使用方法

[实用新型]一种TEM平面样品的定位裂片装置-CN201920904324.6有效
发明人： 蔡齐航;谢亚珍;郭语柔 -专利权人：宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种TEM平面样品的定位裂片装置，包括：承载平台；设于所述承载平台上的裂片针，沿待裂片材料的待裂片位置设置于所述待裂片材料的底部位置，所述待裂片材料上设有与所述待裂片位置在同一直线上的裂缝，且所述裂缝指向所述待裂片位置，通过所述裂缝快速定位所述裂片针的位置和方向，在裂片过程中，用手按压所述待裂片位置的两侧，所述裂缝自然沿着所述待裂片位置继续分裂。本实用新型结构简单，操作方便，能够快速且精准的定位裂片，且保证待裂片位置处的裂缝光滑平直，裂片质量好、效率高。
一种 tem 平面样品定位裂片装置

[发明专利]基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法-CN201910375830.5在审
发明人： 蔡齐航;谢亚珍;康冀恺;刘怡良;余维松;许雅雯 -专利权人：宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G01N23/20058 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法包括以下步骤：步骤1：在TEM衍射条件下，倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心，偏离因子s等于0，此时TEM影像图中样品的缺陷模糊；步骤2：继续倾转试片，使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向移动，使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离，偏离因子s大于0，此时TEM影像图中样品的缺陷清晰；步骤3：在步骤2的衍射条件下，找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。本发明利用偏离因子s稍大于零的条件下明场像具有最大影像强度的原理，对光电材料平面结构进行缺陷分析，可在TEM中直观且清晰的看到缺陷的详细形貌。
衍射平面样品衍射条件偏离直射明场像影像图倾转试片拍摄形貌方向移动光电材料平面结构缺陷分析缺陷位置中心偏离清晰对向影像直观模糊图片

[发明专利]TEM蓝宝石衬底LED试样晶格方向的确认方法-CN201810307635.4有效
发明人： 蔡齐航;庄翌圣;巫永仁 -专利权人：宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种TEM蓝宝石衬底LED试样晶格方向的确认方法，其特征在于，包括步骤：将LED试样放置于DB‑FIB机台上，获取所述LED试样中蓝宝石衬底的俯视图，所述俯视图中密布有图形化蓝宝石结构；以相邻三个图形化蓝宝石结构的连线作为六边形的一条边，于所述俯视图上连线形成一六边形；将所述六边形中相间位的两个角进行连线，令得到的连线方向作为所述LED试样的待切片的晶格方向。本发明仅在DB‑FIB下就可以直接于影像拍摄模式下，观察LED基板的俯视图就可以直接判断晶格方向，不需透过后续TEM反复切片确认，在整个制样的过程中大幅提升其效率也减低切错晶格方向的基板。
晶格方向俯视图连线六边形蓝宝石衬底图形化蓝宝石切片影像拍摄基板条边制样密布观察

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