[发明专利]基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法在审
申请号: | 201910375830.5 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110196258A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 蔡齐航;谢亚珍;康冀恺;刘怡良;余维松;许雅雯 | 申请(专利权)人: | 宜特(上海)检测技术有限公司 |
主分类号: | G01N23/20058 | 分类号: | G01N23/20058 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201103 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法包括以下步骤:步骤1:在TEM衍射条件下,倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心,偏离因子s等于0,此时TEM影像图中样品的缺陷模糊;步骤2:继续倾转试片,使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向移动,使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离,偏离因子s大于0,此时TEM影像图中样品的缺陷清晰;步骤3:在步骤2的衍射条件下,找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。本发明利用偏离因子s稍大于零的条件下明场像具有最大影像强度的原理,对光电材料平面结构进行缺陷分析,可在TEM中直观且清晰的看到缺陷的详细形貌。 | ||
搜索关键词: | 衍射 平面样品 衍射条件 偏离 直射 明场像 影像图 倾转 试片 拍摄 形貌 方向移动 光电材料 平面结构 缺陷分析 缺陷位置 中心偏离 清晰 对向 影像 直观 模糊 图片 | ||
【主权项】:
1.一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法,其特征是:包括以下步骤:步骤1:在TEM衍射条件下,倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心;步骤2:继续倾转试片,使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向同步移动,使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离;步骤3:在步骤2的衍射条件下,找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。
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