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[发明专利]一种多棒热剪炉燃烧系统装置-CN202310959842.9在审
发明人：郑闽锋;唐方舟;范亚明;李祎彧;龚凌诸;李兴友;程志强 -专利权人：福建理工大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B23D33/00 文献下载
摘要：本发明涉及多棒热剪炉技术领域，且公开了一种多棒热剪炉燃烧系统装置，包括热剪炉主体，所述热剪炉主体一侧的中部开设有入料口，所述热剪炉主体一侧的中部活动连接有入料门，所述热剪炉主体一侧的正面开设有出料口，所述热剪炉主体一侧的正面活动连接有出料门，所述热剪炉主体的内部固定套接有固定底板，所述固定底板顶部的中部固定连接有支撑杆；本发明通过空气压缩机将空间内的热能压缩吸入后通过加热管将水箱内的水加热产生蒸汽，蒸汽带动涡轮风扇转动并产生电能输送到热剪炉的动力系统处，热能与电能的相互转换使热剪炉使用电能将热剪炉加热到初始温度后可减少电能的使用，实现能源的充分利用，有利于节省能源成本。
一种多棒热剪炉燃烧系统装置

[发明专利]一种铂薄膜及其制作方法-CN202210350962.4在审
发明人：吕伟明;范亚明;王逸群;时文华;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：提供了一种铂薄膜及其制作方法，所述制作方法包括：利用抛光液对陶瓷衬底进行化学机械抛光处理，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底；在预定的衬底温度下，利用磁控溅射法在陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜；对铂薄膜进行退火处理。本发明通过采用化学机械抛光处理以及多次溅射的方式制备获得了具有厚度薄、方阻低、均一性高、成本低等优点的铂薄膜，实现了在厚度较薄的条件下，铂薄膜的电学性能与厚膜的性能相当，在保证良好性能的同时降低了生产成本。因此，将其应用于电阻温度传感器中，不仅有利于满足电阻温度传感器产品对环境温度的精准测量的要求，还有利于降低电阻温度传感器的生产成本，提高生产效率。
一种薄膜及其制作方法

[发明专利]抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法-CN202211068186.5在审
发明人：方彬;范亚明;曾中明 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法。所述抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括依次层叠设置的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，其中，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随通入所述第一反铁磁层的电流改变，且所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。本发明提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器具有抗外部磁场干扰、热稳定性高等特点。
磁场干扰自旋轨道磁性随机存储器信息存储方法

[发明专利]半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途-CN201911139127.0有效
发明人：王哲明;范亚明;陈扶;黄宏娟;赵佳豪;云小凡;张晓东;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N10/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构，所述超晶格结构所含受主包括Mg离子。本发明实施例提供的一种基于共振态掺杂实现的半导体制冷器，以P‑AlGaN/GaN超晶格阵列的方式来进行半导体制冷；其中，P‑AlGaN/GaN是基于共振态即自电离态进行的P‑N结超晶格结构，且不依赖其厚度的极化效应，且自电离效率较高。
半导体制冷结构及其 smar 校正领域用途

[发明专利]核酸扩增检测装置-CN202210167430.7在审
发明人：王宏;范亚明;殷剑;张方舟;樊丽;黄蓉 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种核酸扩增检测装置。所述核酸扩增检测装置包括：微流控扩增芯片，所述微流控扩增芯片具有用于容置反应液以及可供进行核酸扩增反应的反应腔，所述反应腔的部分腔壁为能够吸收光照而快速升温的导热结构层。本发明实施例提供的一种LED加热和风冷却的温度循环方案并配合由单面或者双面铝塑膜贴合形成的反应腔实现对反应液直接加热，实现了快速核酸扩增，具有功耗低，成本低和易现场部署等特点。
核酸扩增检测装置

[发明专利]薄膜体声波滤波器及其封装方法-CN201811580862.0有效
发明人： 范亚明;刘斌;朱璞成;刘芹篁;陈诗伟;黄蓉 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种薄膜体声波滤波器及其封装方法，所述滤波器包括硅衬底、沉积于硅衬底正面上的多层绝缘层、沉积于最顶层的绝缘层上的FBAR器件、背腔和至少两个导电柱，FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极；背腔自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成，且背腔对应的位置为压电振荡有效区域，导电柱从硅衬底的背面引出上、下电极。本发明具有增加FBAR器件机械牢固性、提高FBAR器件性能、节约电极引出空间，可靠性更高、可以保护FBAR器件的压电振荡有效区域等优点。
薄膜声波滤波器及其封装方法

[发明专利]基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法-CN201811040406.7有效
发明人：徐峰;于国浩;李军帅;邓旭光;张丽;宋亮;范亚明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，其中，x/y＝3.1～4.7；所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层包括一个以上AlGaN/InGaN超晶格结构，所述AlGaN/InGaN超晶格结构包括叠层设置的AlGaN层和InGaN层；所述第二半导体层为GaN沟道层。本发明实施例采用的AlGaN/InGaN超晶格各子层厚度均低于其临界弛豫厚度，使得超晶格AlGaN、InGaN子层相对GaN沟道层分别处于张应变、压应变状态，能够作为应力补偿结构形成与GaN沟道层完全匹配的平衡晶格，有效补偿晶格失配应力，显著减小由失配应变引起的位错缺陷密度，进而抑制AlxInyGa1‑x‑yN/GaN异质结中的逆压电效应。
基于晶格结构异质结增强 hemt 器件及其制作方法

[实用新型]一种埋弧自动焊机-CN202320073151.4有效
发明人：王天佑;田轲;范亚明 -专利权人：辛集市锐拓封头制造有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B23K9/18 文献下载
摘要：本申请涉及电焊设备的技术领域，尤其是涉及一种埋弧自动焊机，其包括焊机本体、用于架设板材的架设板、连接于所述架设板的调位机构以及连接于所述调位机构的调高机构，调位机构的数量和调高机构的数量均为两个，两个调高机构分别连接于两个调位机构，两个调位机构向相互靠近或者远离的方向运动，焊机本体放置于调高机构的上方，且调高机构架设板的上方，调高机构带动焊机本体沿靠近或者远离架设板的方向运动。本申请具有提高焊接质量的效果。
一种自动

[实用新型]一种CT穿刺定位装置-CN202223129234.5有效
发明人： 范亚明 -专利权人：蚌埠市第三人民医院（蚌埠市中心医院）
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： A61B17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CT穿刺定位装置，涉及穿刺技术领域，包括定位板，所述定位板的内部开设有第一滑槽，所述第一滑槽的内部滑动连接有第一滑块，所述第一滑块的一侧转动连接有转轴，所述转轴的一端固定连接有定位筒，所述转轴的外侧固定安装有蜗轮，所述第一滑块的一侧固定安装有支撑板，所述支撑板的一侧转动连接有蜗杆，所述蜗轮与蜗杆啮合连接，所述蜗杆的一端固定连接有第二扭环，本实用新型的有益效果为：通过扭动第二扭环控制蜗杆进行转动，利用蜗杆与蜗轮的啮合连接作用下，使得转轴进行转动，带动定位筒进行转动，从而调节定位筒的角度，进而能够调节穿刺针的穿刺角度，能够满足CT定位穿刺时不同方向的自由调节，实用性较高。
一种 ct 穿刺定位装置

[发明专利]一种半导体芯片的无损解理方法-CN202111467885.2有效
发明人：黄寓洋;范亚明 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片的无损解理方法，包括：提供一半导体芯片，定义第一解理线及第二解理线；根据第一解理线及第二解理线加工第一解理槽和第二解理槽；涂布纯光刻胶树脂形成第一上加强层和第一下加强层；再次切割，形成第三解理槽和第四解理槽；向第三解理槽和第四解理槽内涂布掺杂有增强纤维的光刻胶树脂，形成第二上加强层和第二下加强层；完成解理。本发明方法采用纯光刻胶树脂和掺杂有增强纤维的光刻胶树脂进行逐级填充形成两层加强层，能够有效的平衡半导体芯片在切割过程中受到的应力，从而显著降低芯片破裂的几率，不仅可以简化芯片解理工序，且能产生很好的经济效益，应用前景广阔。
一种半导体芯片无损解理方法

[实用新型]一种汽车转向器摇臂轴轴径测具-CN202320893725.2有效
发明人：杜孟坤;魏忠强;张军;范亚明 -专利权人：新乡市豫北靖道汽车零部件有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01B5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车转向器摇臂轴轴径测具，包括测具体，所述测具体为L型结构，所述测具体的上端设有可调节的横梁组件，测具体的上端设有与横梁组件对应的调节通孔，横梁组件的一侧固定有检测仪，所述测具体的一侧设有可调节柱端，可调节柱端通过螺栓与测具体连接，所述测具体上固定有基准块组件，基准块组件与检测件上下对应，所述测具体下端一侧设有对测具安装的固定板组件，通过千分表对检测件进行检测，通过千分表变化可以对工件轴径进行检测，以此判断工件轴径是否准确，该汽车转向器摇臂轴轴径测具，结构简单，操作简便，通过比对的方式进行检测，使得对工件检测更快速，并且可以对不同规格的工件进行检测。
一种汽车转向器摇臂轴轴径测具

[发明专利]一种逆推往复式垃圾焚烧锅炉配风协同SNCR喷枪布置装置-CN202310058345.1在审
发明人：郑闽锋;孙加康;龚凌诸;史荣会;范亚明;李祎彧 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B01D53/79 文献下载
摘要：本发明涉及SNCR脱硝设备技术领域，具体涉及一种逆推往复式垃圾焚烧锅炉配风协同SNCR喷枪布置装置。该装置包括炉膛，设于炉膛内供烟气流通的烟道，设于炉膛内部且位于炉膛底部的炉排，炉排下方设有灰斗，灰斗下方设有一次风供风系统，炉排上方设有二次风供风系统，还包括设于烟道内部的SNCR喷枪组件，SNCR喷枪组件包括喷枪总管，及设于喷枪总管上的依次向下排布的多层喷枪层，炉膛顶部设置有用于控制SNCR喷枪组件上下移动的位置控制单元，烟道中部设置有用于检测SNCR喷枪组件环境并控制位置控制单元启闭的检测单元。该装置在烟道内设有可上下移动的喷枪组件，可帮助烟气与还原剂溶液全方位混合，提高烟气的脱硝效率，达到更好的烟气还原处理效果。
一种往复垃圾焚烧锅炉协同 sncr 喷枪布置装置

[发明专利]一种逆推往复式垃圾焚烧锅炉辐射水分蒸发协同装置-CN202310058213.9在审
发明人：郑闽锋;孙加康;龚凌诸;史荣会;范亚明;李祎彧 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： F23G5/44 文献下载
摘要：本发明涉及垃圾焚烧技术领域，具体涉及一种逆推往复式垃圾焚烧锅炉辐射水分蒸发协同装置。该装置包括炉膛，设于炉膛内供烟气流通的烟道及围绕在烟道四周的膜式水冷壁，设于炉膛内部且位于炉膛底部的炉排，炉排下方设有灰斗，灰斗下方设有一次风供风系统，炉排上方设有二次风供风系统，还包括设于炉膛内壁的辐射折流板，辐射折流板与炉膛内壁之间存在夹角，辐射折流板连有控制夹角大小的第一角度控制单元，烟道中部设有检测烟道环境并控制第一角度控制单元启闭的检测单元。该装置可根据垃圾水分含量的不同，转动辐射折流板的角度以适应不同水分含量垃圾的处理。
一种往复垃圾焚烧锅炉辐射水分蒸发协同装置

[实用新型]一种转向螺杆用铰挤刺孔机床-CN202320219274.4有效
发明人：张军;范亚明;刘国徽;杜孟坤 -专利权人：新乡市豫北靖道汽车零部件有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23Q11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种转向螺杆用铰挤刺孔机床，涉及机械加工技术领域。本实用新型包括支撑壳、连接壳、铁屑盒、顶框和保护罩，支撑壳内壁下部的两侧皆固定有支撑条，支撑条上方的支撑壳内活动连接有连接壳，连接壳顶面的前部设置有铁屑盒，铁屑盒底部中央镶嵌固定有透风网，支撑壳的顶部固定有顶框，顶框内部中央贯通固定有导送框，导送框的顶部与顶框的内底部平齐，顶框上方设置有保护罩。本实用新型通过设置支撑壳、连接壳、铁屑盒、顶框和保护罩，解决了转向螺杆用铰挤刺孔机床工作时容易因为加工过程中摩擦造成温度变化造成轻微形变，产生工件加工尺寸误差，且清理机床上铁屑不便的问题。
一种转向螺杆用铰挤刺孔机床

[发明专利]一种玉米全基因组SNP芯片及其应用-CN201911186629.9有效
发明人：王凤格;田红丽;赵久然;杨扬;易红梅;许理文;王蕊;王璐;葛建镕;范亚明 -专利权人：北京市农林科学院
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明公开了一种玉米全基因组SNP芯片及其应用，本发明通过大规模的测序挖掘，针对玉米现有高密度芯片存在问题，对国内外具有广泛代表性的400份自交系玉米进行深度测序，从中挖掘优异位点，并集成6张玉米芯片的研究结果；采取生物信息数据分析，位点基本参数评估，探针设计评估等步骤，形成一套SNP位点组合，包含1536个位点，并在Affymetrix axiom技术平台上实现基因分型。本发明的玉米全基因组SNP芯片含有针对上述1536个SNP位点的探针。本发明的芯片可应用于玉米品种DNA指纹构建、品种鉴别和确权，基因组水平种质资源研究，分子标记辅助选择育种。
一种玉米基因组 snp 芯片及其应用

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