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[发明专利]晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法-CN201610124502.4有效
发明人：张恕铭;黄玉龙;刘沧宇;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法，该晶片尺寸等级的感测晶片封装体包括感测晶片、触板以及着色层。感测晶片具有相对的第一上表面与第一下表面，且包括：感测元件以及多个相邻该感测元件的导电垫，位于邻近该第一上表面处；多个硅通孔，位在第一下表面且露出其所对应的导电垫的表面；多个导电结构，设置于第一下表面；及一重布线层，位于第一下表面以及多个硅通孔内，用以分别连接每一导电垫以及每一导电结构。触板具有相对的第二上表面与第二下表面，且设置于感测晶片上。着色层位于感测晶片与触板之间。本发明不需要选择提高电容值所需要的高介质系数材料，由此降低了生产成本，且可使感测晶片封装模组的效率更高。
晶片尺寸等级封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体与其制备方法-CN201610319417.3有效
发明人：刘沧宇;孙唯伦;李柏汉 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种晶片封装体与其制备方法。晶片封装体包含：晶片，其具有上表面及下表面；感应元件，设置于上表面；散热层，设置于下表面；以及多个外部散热连结，设置于散热层下，并接触散热层。本发明能够有效地将晶片封装体运作时产生的热量传导至外部，且制程简单。
晶片封装与其制备方法

[发明专利]半导体电镀系统-CN201510570170.8有效
发明人：何彦仕;张恕铭;沈信隆;苏昱豪;吴冠荣;郑怡 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其制造方法、半导体电镀系统，该晶片封装体包含晶片、绝缘层与重布线层。晶片具有基底、焊垫与保护层。基底具有相对的第一表面与第二表面。保护层位于第一表面上。焊垫位于保护层中。基底具有穿孔，保护层具有凹孔，使焊垫从凹孔与穿孔裸露。绝缘层位于第二表面、穿孔的壁面与凹孔的壁面上。重布线层包含连接部与无源元件部。连接部位于绝缘层上，且电性接触焊垫。无源元件部位于第二表面的绝缘层上，且无源元件部的一端连接在第二表面上的连接部。本发明不仅可节省大量的组装时间，且能降低已知电感元件的成本，还可提升设计上的便利性。
晶片封装及其制造方法半导体电镀系统

[发明专利]晶片封装体-CN201510535128.2有效
发明人：林超彦;林义航 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一上表面及一下表面；一凹口，邻近于半导体基底的一侧壁，其中凹口沿着自半导体基底的上表面朝下表面的一方向而形成；元件区或感测区，位于半导体基底的上表面；一导电垫，位于半导体基底的上表面；以及一导电层，电性连接导电垫，且沿着半导体基底的侧壁延伸至凹口。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。
晶片封装

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510477089.5有效
发明人：简玮铭;李柏汉;刘沧宇;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含晶片、透光板、间隔元件与遮光层。晶片具有影像感测器、及相对的第一表面与第二表面。影像感测器位于第一表面上。透光板设置于第一表面上，且透光板覆盖影像感测器。间隔元件位于透光板与第一表面之间，且间隔元件围绕影像感测器。遮光层位于间隔元件与影像感测器之间的该第一表面上。本发明可避免影像感测器产生鬼影影像。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201610269194.4有效
发明人：沈信隆;赖俊谚;黄郁庭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含一晶片、一间隔层、一乘载基板以及一遮光保护层。晶片具有相对的一第一表面与一第二表面，以及一侧面位于第一表面与第二表面之间。间隔层位于第一表面上，而乘载基板位于间隔层上。遮光保护层位于晶片的第二表面下，且遮光保护层延伸入乘载基板中并覆盖晶片的侧面。本发明不仅能够有效阻隔水气，还可以遮蔽自乘载基板的侧面处进入的光线，由此提高了制程的良率与晶片封装体的侦测精度。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制作方法-CN201810566004.4在审
发明人：何彦仕;刘沧宇;李柏汉 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体，包含晶片、绝缘层、重布线层、钝化层与封装层。晶片具有感应器、焊垫、通孔、相对的顶面与底面。感应器与焊垫位于顶面，且焊垫位于通孔中。绝缘层位于晶片的底面上与围绕通孔的侧壁上。重布线层位于绝缘层上，且电性接触通孔中的焊垫。钝化层位于绝缘层与重布线层上。在底面的钝化层具有开口，且重布线层的一部分位于开口中。封装层位于晶片的顶面上，且覆盖感应器与焊垫。封装层具有背对晶片的平面。封装层可避免感应器与焊垫受到水气、油渍或灰尘污染，且封装层的平面可让晶片封装体的顶部为全平面设计，可方便组装并提升使用者按压的触感。
焊垫封装层绝缘层晶片重布线层感应器通孔晶片封装体钝化层顶面开口按压电性接触灰尘污染封装体全平面水气油渍背对侧壁触感底面种晶制作组装覆盖

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201510168772.0有效
发明人：温英男;刘建宏 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一第一装置基底，贴附于一第二装置基底的一第一表面上；一第三装置基底，贴附于第二装置基底相对于第一表面的一第二表面上；一绝缘层，覆盖第一装置基底、第二装置基底及第三装置基底，其中绝缘层内具有至少一开口；至少一凸块，设置于开口的底部下方；以及一重布线层，设置于绝缘层上，且经由开口电性连接至凸块。本发明可将多个不同尺寸的装置基底/晶片彼此垂直堆叠而将其整合于同一晶片封装体内，使得单一晶片封装体具有多种集成电路功能，因此可缩小后续接合的电路板的尺寸。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201510381462.7有效
发明人：林建名;黄郁庭;傅振宁;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，中介片具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片之间。重布局线路配置于中介片上方以及穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路，封装层具有开口暴露出沟槽。本发明更容易有效控制并确保半导体晶片与中介片两者的连接，且可有效减低晶片封装体内部的电子元件被高温影响的疑虑。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶圆涂布系统与晶片封装体的制备方法-CN201610235850.9有效
发明人：陈语同;苏冠群;许传进;陈键辉;叶晓岚;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆涂布系统与晶片封装体的制备方法。该晶圆涂布系统包含一晶圆底座、一流动性绝缘材料喷洒装置以及一晶圆倾斜升降销。晶圆底座具有一承载部与一旋转部，承载部装设于旋转部上，并用以承载一晶圆，且旋转部用以相对于一预定轴旋转。流动性绝缘材料喷洒装置位于晶圆底座上方，用以喷洒一流动性绝缘材料至晶圆，而晶圆倾斜升降销设置使晶圆与重力方向夹一第一锐角。本发明不仅提升了晶片封装体的绝缘性，还能够避免后续形成的导电层产生断线。
晶圆涂布系统晶片封装制备方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201610213046.0有效
发明人：何彦仕;张恕铭;沈信隆 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含：一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一无源元件，位于第一表面上；一第一保护层，覆盖第一无源元件，第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面；以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构，位于第一保护层中，并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上，且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件，其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间，且能降低已知电感元件的成本。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510098467.9有效
发明人：孙唯伦;简玮铭;李柏汉;刘沧宇;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层的开口中的导电层上。本发明能提升半导体结构的良率，且能提高材料选用的便利性。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制作方法-CN201410758635.8有效
发明人：孙唯伦;林佳升;何彦仕;刘沧宇 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体包含封装基材、半导体元件与多个导电结构。半导体元件具有中央区与围绕中央区的边缘区。导电结构位于封装基材与半导体元件之间。导电结构具有不同的高度，且导电结构的高度从半导体元件的中央区往半导体元件的边缘区逐渐增大，使得半导体元件的边缘区与封装基材之间的距离大于半导体元件的中央区与封装基材之间的距离。由此，本发明的半导体元件的正面(即影像感测面)为凹面，可模拟成视网膜的形状，当半导体元件的影像感测面感测影像时，光线容易集中，可降低影像失真的可能性。
晶片封装及其制作方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201410355382.X有效
发明人：何彦仕;刘沧宇;张恕铭;黄玉龙;林超彦;孙唯伦;陈键辉 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一晶片，具有上表面、下表面及侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构，位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线，具有第一端点及第二端点，其中第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接。本发明可以降低晶片封装体中的封装层的覆盖厚度，增加感测区的敏感度，并且可以维持基底的结构强度。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201610268753.X有效
发明人：陈语同;林建名;许传进;何志伟;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。
半导体结构及其制作方法