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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201210143672.9有效
发明人：刘建宏 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底之至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一第一绝缘层，设置于该第一基底之一侧边之上，且填充于该第二基底之该至少一开口之中；一承载基底，设置于该第二基底之上；一第二绝缘层，设置于该承载基底之一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上之该第二绝缘层之上，且电性接触其中一所述导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201210146748.3有效
发明人：沈信隆;谢俊池 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一承载基底，设置于该第二基底之上；至少一阻挡块体，对应地设置于该第二基底的该至少一开口之上，且大抵完全覆盖该至少一开口；一绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上的该绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]芯片封装体及其制造方法-CN201180009571.6有效
发明人：黄玉龙;刘沧宇 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种芯片封装体，其包括：半导体基底，具有装置区；封装层，设置于半导体基底上；间隔层，设置于半导体基底与封装层之间，且围绕装置区；以及辅助图案，具有形成于间隔层的中空图案、位于间隔层与装置区之间的实体图案、或前述的组合。
芯片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201110102543.0有效
发明人：陈秉翔;陈键辉;张恕铭;刘沧宇;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一晶片；一第二晶片，设置于该第一晶片之上，其中该第二晶片的一侧面为一化学蚀刻表面；以及一连结块体，设置于该第一晶片与该第二晶片之间而使该第一晶片与该第二晶片彼此连结。本发明可使晶片封装体具有较佳的可靠度，并可减轻封装制程中对晶片的损坏风险。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]晶片封装体及其制作方法-CN201110092927.9有效
发明人：颜裕林;刘国华;黄玉龙;刘沧宇;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体的制作方法包括提供一半导体晶圆，其具有多个元件区，且元件区之间间隔有多个切割道；将一封装基板接合至半导体晶圆，其中封装基板与半导体晶圆之间具有一间隔层，间隔层定义出多个空腔，空腔分别露出元件区，且间隔层具有多个贯穿孔，贯穿孔邻近半导体晶圆的外缘，且贯穿孔中填入一粘着材料，间隔层具有粘性且间隔层的材质不同于粘着材料；以及沿着切割道切割半导体晶圆、封装基板与间隔层，以形成多个彼此分离的晶片封装体。本发明可改善晶圆切割制程的可靠度以及提升晶片封装制程的制程良率。
晶片封装及其制作方法

[发明专利]具有电磁屏蔽作用的集成电路晶圆及其制造方法-CN201110071300.5无效
发明人：陈耀翔;刘沧宇;何彦仕;张恕铭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电磁屏蔽作用的集成电路晶圆及其制造方法，该集成电路晶圆主要包含一集成电路层，集成电路层的顶面设有多个焊垫且设有一绝缘层，绝缘层于对应各焊垫的位置开设有一贯孔，该贯孔用以供一封装金属层注入，绝缘层的顶面设有一电磁屏蔽层，电磁屏蔽层与集成电路层的焊垫之间保持电性绝缘，用以提供电磁屏蔽的效果，借此，本发明的集成电路并不需要设置金属屏蔽罩以有效简化整体制程，同时亦可利用贯孔的设计而方便后续的封装制程。
具有电磁屏蔽作用集成电路及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201110057693.4有效
发明人：黄郁庭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其形成方法，包括：基底；信号导电垫，设置于基底之上；接地导电垫，设置于基底之上；第一导电层，设置于基底之上，且电性连接信号导电垫，其中第一导电层自基底的上表面沿着基底的第一侧面朝基底的下表面延伸，且第一导电层突出于下表面；第二导电层，设置于基底之上，且电性连接接地导电垫，其中第二导电层自基底的上表面沿着基底的第二侧面朝基底的下表面延伸，且第二导电层突出于下表面；以及保护层，设置于基底之上，其中保护层完全覆盖第一导电层的位于基底的第一侧面上的全部部分，且第二导电层的位于基底的第二侧面上的全部部分未被保护层所覆盖。本发明于提供防电磁干扰的屏蔽结构的同时，还能确保信号线路的品质。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]晶片封装体-CN201210044614.0有效
发明人：颜裕林;陈世明;林锡坚;黄玉龙;刘沧宇 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一元件区以及一与元件区相邻的非元件区；一封装层，设置于半导体基底之上；一间隔层，设置于半导体基底与封装层之间，且围绕元件区与非元件区；一环状结构，设置于半导体基底之上以及封装层之下，并位于间隔层与元件区之间，且围绕一部分的非元件区；以及一辅助图案，包含设置于间隔层或环状结构中的中空图案、或设置于间隔层与元件区之间的实体图案、或前述的组合。本发明能够增加晶片封装体的可靠度。
晶片封装

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201210030867.2有效
发明人：林佳升 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明揭示一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一半导体晶片，具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，并具有至少一导电垫邻近于第一表面，且具有一开口自第二表面朝第一表面延伸而露出导电垫，邻近第一表面的开口口径大于邻近第二表面的开口口径；一绝缘层及一重布线层依序设置于第二表面上，且延伸至开口的侧壁及底部，其中重布线层经由开口与导电垫电性连接；一保护层覆盖重布线层且局部填入开口，以在开口内的保护层与导电垫之间形成一孔洞。本发明可防止重布线层与半导体晶片的导电垫发生剥离，进而增加晶片封装体的可靠度。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201210020705.0有效
发明人：林佳升;洪子翔 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底；一元件区，设置于该基底之中或之上；一信号导电垫，设置于该基底之中或之上，且电性连接该元件区；一接地导电垫，设置于该基底之中或之上；一信号导电凸块，设置于该基底的一表面上，该信号导电凸块通过一信号导电层而电性连接该信号导电垫；一接地导电层，设置于该基底的该表面上，且电性连接该接地导电垫；以及一保护层，设置于该基底的该表面上，该保护层完全覆盖该信号导电层的全部侧端，且部分覆盖该接地导电层而使该接地导电层的一侧端于该基底的一侧边露出。本发明的晶片封装体的接地导电结构不受限于基底的角落，且能减低晶片封装体的导线密度，提升晶片封装体的效能与良率。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]转接板及其形成方法-CN201210025745.4有效
发明人：杨铭堃;刘沧宇;何彦仕 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种转接板及其形成方法，该转接板包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一孔洞，自该基底的该第一表面朝该第二表面延伸；一第二孔洞，自该基底的该第一表面朝该第二表面延伸，其中该第一孔洞的一口径不同于该第二孔洞的一口径；一绝缘层，位于该基底之上，且延伸于该第一孔洞的一侧壁上及该第二孔洞的一侧壁上；以及一导电层，位于该基底上的该绝缘层之上，且延伸进入该第一孔洞的该侧壁上，其中该第二孔洞之中大抵不具有任何的导电层。本发明可形成具有不同结构或特性的转接板。
转接及其形成方法

[发明专利]电容耦合器封装结构-CN201210019307.7有效
发明人：姚皓然;刘建宏;温英男;李士仪;杨惟中;楼百尧;李宏仁 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种电容耦合器封装结构，其包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。
电容耦合器封装结构

[发明专利]电源模组及其封装方法-CN201210020683.8无效
发明人：姚皓然;楼百尧;刘建宏;杨惟中 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明揭露一种电源模组及其封装方法，该电源模组包括一基板；一电感装置，该电感装置为形成于该基板上且具有一既定的路径图样的一导体路径层；一连接层，形成于该基板之上，并与该电感装置的一第一端电性连接；以及一第一晶体管，通过该连接层而构装于该基板之上。本发明所述的电源模组可有效降低成本及表面积，并且易于搭配不同的脉冲宽度调制控制器，增加电路设计的便利性。
电源模组及其封装方法

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201210015337.0有效
发明人：楼百尧;刘沧宇;林佳升;洪子翔 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一导电垫结构，位于该基底的该第一表面上；一介电层，位于该基底的该第一表面与该导电垫结构之上，其中该介电层具有一开口，该开口露出部分的该导电垫结构；以及一覆盖层，位于该介电层之上，且填入该开口。本发明可有效提升晶片封装体的可靠度。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法-CN201110369951.2有效
发明人：张义民;林义闵;林柏伸 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法。此方法包括下列步骤：提供一基材，基材上形成有一电镀籽晶层以及一图案化光致抗蚀剂层，图案化光致抗蚀剂层具有一开口。形成一铜层于开口中，铜层的底部覆盖于电镀籽晶层上。形成一阻障层于铜层上，阻障层至少覆盖铜层的一顶部，其中阻障层的氧化电位大于铜层的氧化电位。移除图案化光致抗蚀剂层，以进行一蚀刻制作工艺，其中裸露的铜层及部分电镀籽晶层经蚀刻而形成一线路层。进行一浸渍制作工艺，以全面性形成一抗氧化层于阻障层以及线路层所显露的表面上。
改善冠状缺陷线路结构及其制作方法

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