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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201110196836.X有效
发明人：颜裕林;陈键辉;刘沧宇;尤龙生 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底之该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]电子元件封装体及其形成方法-CN201110157771.8有效
发明人：钱文正;倪庆羽;张恕铭 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种电子元件封装体及其形成方法，其中该电子元件封装体的形成方法包括提供一承载基底，具有一上表面及一相反的下表面；于承载基底的该上表面形成至少一凹槽；于凹槽中设置一具有导电电极的晶片，晶片并由一上封装层所覆盖；于承载基底的凹槽中形成一填充层，填充层围绕上述晶片；自下表面薄化承载基底至一既定深度；于晶片内或承载基底内形成至少一穿孔；以及于穿孔的侧壁上形成一导电层，且导电层与导电电极形成电性接触。本发明可有效舒缓过于密集的导电通路布局。
电子元件封装及其形成方法

[发明专利]芯片封装体-CN201010157720.0有效
发明人：蔡佳伦 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装体，包括：芯片，具有多个导电垫，设置于芯片周围；以及密封环，包括多个金属条状物，设置于两邻接导电垫所围的空间范围内，且每一金属条状物不同时与两邻接的导电垫电性连接。
芯片封装

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201110086811.4有效
发明人：郑家明;刘建宏 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面，且具有至少一侧表面；至少一沟槽，自该上表面朝该下表面延伸，且自该侧表面朝该基底的一内部延伸，其中该沟槽接近该上表面的一口径不等于该沟槽接近该下表面的一口径；至少一绝缘层，位于该沟槽的一侧壁上；至少一导电图案，位于该绝缘层上，且该侧表面与该沟槽中的该导电图案之间隔有一预定距离而使部分的该绝缘层露出；以及至少一导电区，与该导电图案电性连接。本发明通过形成具有倾斜侧壁的穿孔，可使侧边电极的形成过程更为顺利，确保切割晶圆时穿孔中的导电图案不受拉扯而脱落。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]晶片封装体-CN201110076203.5有效
发明人：邱新智;郑家明;许传进;楼百尧 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：一种晶片封装体，包括：基底，具有第一表面及第二表面；光学元件，设置于该第一表面上；导电层，位于该第二表面上，且电性连接该光学元件；保护层，设置于该第二表面及该导电层之上，该保护层具有开口，露出该导电层；导电凸块，设置于该第二表面上，该导电凸块具有底部部分及上部部分，该底部部分填充于该开口中而与露出的该导电层电性接触，该上部部分位于该开口之外，并朝远离该开口的方向延伸；凹陷，自该导电凸块的表面朝向该导电凸块的内部延伸；以及遮光层，设置于该第二表面上，且延伸至该导电凸块的该上部部分之下，并部分位于该凹陷之中而与部分的该导电凸块重叠。本发明可使光学元件更为精确地运作而不受光线或噪声的影响。
晶片封装

[发明专利]电子元件封装体及其制造方法-CN201110073355.X有效
发明人：张恕铭;楼百尧;温英男;刘建宏 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括：至少一半导体芯片、至少一抵接部、一钝化保护层以及一基板。半导体芯片具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中至少一重布线设置于半导体芯片的第一表面上，且电连接于半导体芯片的至少一导电垫结构。抵接部设置于重布线上并与其电性接触。钝化保护层覆盖半导体芯片的第一表面且环绕抵接部。基板贴附于半导体芯片的第二表面。本发明也揭示上述电子元件封装体的制造方法。
电子元件封装及其制造方法

[发明专利]封装用的光学盖板、影像感测件封装体及其制作方法-CN201110069626.4有效
发明人：林佳升 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种封装用的光学盖板、影像感测件封装体及其制作方法。该封装用的光学盖板具有改良防焊堰体结构，且包含有一透明基板、至少一环状堰体结构以及一阻障层。环状堰体结构设于透明基板上，其中至少一环状堰体结构围绕着一光感应区域。阻障层顺应的覆盖着至少一环状堰体结构的一侧壁。此外，一种封装用的光学盖板的制造方法、一种影像感测件封装体及其制作方法也被提出。
封装光学盖板影像感测件及其制作方法

[发明专利]影像感测元件封装构件及其制作方法-CN201110067998.3有效
发明人：张恕铭;黄田昊 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种影像感测元件封装构件及其制作方法，该影像感测元件封装构件，其包含有：一影像感测晶粒，其具有一主动面以及相对于该主动面的一背面，且在该主动面上设有一影像感测元件区域以及一外接垫；一直通硅晶穿孔结构，贯穿该影像感测晶粒，连接该外接垫；多层重布线路，形成在该像感测晶粒的该背面上；以及一防焊层，覆盖在该多层重布线路上。
影像元件封装构件及其制作方法

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201110059862.8有效
发明人：颜裕林;陈键辉;刘沧宇;尤龙生 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底的该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连结的导电通路。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]芯片封装体及其形成方法-CN201110066186.7无效
发明人：郑家明 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装体及其形成方法，该芯片封装体包括：基底，具有上表面及下表面；保护层，位于该基底的该上表面上；多个导电垫结构，设置于该基底的该上表面，其中所述多个导电垫结构的上表面至少部分露出；多个开口，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；以及多个可移动块体，位于所述多个开口之间，且分别与该基底连接，其中每一所述多个可移动块体与其中所述多个导电垫结构电性连接之一。
芯片封装及其形成方法

[发明专利]感光式芯片封装构造及其制造方法-CN201110071298.1有效
发明人：刘建宏 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2007-02-01 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种感光式芯片封装构造及其制造方法，主要在晶片一侧利用接合层建构感光芯片，该感光芯片上方则设有彩色滤光阵列，另建构设有堰墙的玻璃基板，该玻璃基板覆盖在彩色滤光阵列上方，同时利用玻璃基板与彩色滤光阵列形成适当间隙，通过建构在晶片上方的感光芯片直接接收光线，可增加光线的穿透率。
感光芯片封装构造及其制造方法

[发明专利]芯片封装体-CN201110036781.6有效
发明人：林超彦;蔡文洲;方铭宏;王仁彦;陈志豪;邱国峻;傅圣翔 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-02-12 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装体，其包括：基底，具有第一和第二表面；元件区或感测区和导电垫，设于第一表面上；孔洞，自第二表面延伸至导电垫；绝缘层，位于孔洞的侧壁上；承载基底，位于第二表面及绝缘层上；线路重布层，位于承载基底与绝缘层间，且位于孔洞中而电性接触导电垫，线路重布层的边缘外露于承载基底与绝缘层所组成的侧壁；第二线路重布层，位于承载基底上，且沿着承载基底与绝缘层所组成的侧壁朝第二表面延伸，并电性接触线路重布层的外露边缘；缓冲层，位于基底的第二表面上或下，且位于第二线路重布层与基底间而使第二线路重布层不接触基底。
芯片封装

[发明专利]发光二极管封装、高反射型硅次基板及其制造方法-CN201110036945.5有效
发明人：吴上义;陈键辉 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-02-12 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管封装、用于发光二极管封装的高反射型硅次基板及其制造方法，其中所述用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法：首先提供一硅基板；在硅基板上形成一反射层；蚀刻掉部分的反射层及硅基板，形成一孔洞；进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化硅基板，使孔洞变成一直通硅晶穿孔；形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；形成一金属晶种层，覆盖住绝缘层；在绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；在未被该光致抗蚀剂图案覆盖的金属晶种层上形成一金属层；再去除光致抗蚀剂图案；最后，去除未被该金属层覆盖的该金属晶种层。
发光二极管封装反射型硅次基板及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201110025048.4有效
发明人：倪庆羽;徐长生 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明有关于一种晶片封装体及其制造方法，晶片封装体包括具有晶粒的半导体基底、设置于半导体基底之上的封装层以及设置于半导体基底与封装层之间的间隔层，其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成的表面具有凹陷部。晶片封装体的制造方法包括在半导体晶圆的多个晶粒与封装层之间形成多个间隔层，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部，以及沿着相邻两个晶粒之间的切割道分割半导体晶圆，以形成多个晶片封装体。本发明能够避免晶片封装体产生脱层现象，从而可有效避免水气及空气进入晶片封装体中，以提升晶片封装体的可靠度、避免元件发生电性不良。
晶片封装及其制造方法

[发明专利]晶片封装体-CN201110020991.6有效
发明人：林佳升;蔡佳伦;徐长生;李柏汉 -专利权人： 精材科技股份有限公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供一种晶片封装体，晶片封装体包括半导体基底，具有第一表面和相对的第二表面。间隔层设置在半导体基底的第二表面下方，并且盖板设置在间隔层下方。形成凹陷部邻接半导体基底的侧壁，由半导体基底的第一表面至少延伸至间隔层。然后，保护层设置在半导体基底的第一表面之上以及凹陷部内。本发明可提升晶片封装体的信赖性，并避免导线层产生脱层现象。
晶片封装

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