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[实用新型]一种布置便捷的防鸟刺-CN202320660549.8有效
发明人：程斌;周宁安;程红娟;杨琦;王丽兵 -专利权人：宁夏诚盛电气有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： A01M29/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种布置便捷的防鸟刺，涉及防鸟刺技术领域，包括固定环，所述固定环的内部转动连接有螺栓，所述固定环的上表面固定安装有固定块，所述固定块的内部滑动连接有连接块，所述连接块的上表面固定安装有固定环，所述固定环的上表面固定安装有刺针，所述固定块的内部滑动连接有滑动杆，所述滑动杆的一端固定安装有拉块，所述拉块的侧面固定安装有固定套，所述固定套的内部固定安装有拉簧，本实用新型，通过设置了固定块、连接块、滑动杆、拉块、固定套、拉簧，实现了对于防鸟刺拆装与维护的便捷，使防鸟刺安装时，不需要固定多处固定结构，避免了工人使用工具才可以进行安装固定，从而提高了工作效率。
一种布置便捷防鸟刺

[发明专利]一种晶片缺陷的快速标记方法-CN202211523463.7有效
发明人：张弛;王英民;程红娟;李晖;霍晓青;高飞;王健;王磊;高鹏程 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片缺陷的快速标记方法。本方法将晶片粘贴板表面均匀划分若干个区域，每个区域均匀设有若干个方格，每个方格之间设有相互垂直的沟槽，每个方格表面均设有数字编号作为用于记录晶片表面缺陷的标记。本发明设计的晶片粘贴板能将晶片在贴片过程中的所用的粘贴蜡均匀排出，保证晶片粘贴后的TTV能够达到2μm内，解决了晶片在贴片过程中TTV较差的问题；对透明或半透明晶片加工过程中的表面划痕、缺陷等损伤通过晶片粘贴板上的数字坐标能对显微镜下标记的缺陷进行快速准确定位，有效解决了晶片粘贴不平和缺陷快速定位分析的问题。本发明有助于后续对晶片表面质量问题进一步研究分析。
一种晶片缺陷快速标记方法

[实用新型]一种喷涂雾化器清洗专用装置-CN202320904300.7有效
发明人： 程红娟 -专利权人：晋城市人民医院
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种喷涂雾化器清洗专用装置，属于喷涂雾化器清洗设备技术领域。包括：驱动总成和冲洗机构以及刷洗机构，冲洗机构和驱动总成传动连接，驱动总成驱动冲洗机构转动且往复摆动，刷洗机构罩设在喷涂雾化器内部，刷洗机构与喷涂雾化器内壁贴合，刷洗机构和驱动总成传动连接，刷洗机构可转动，实现了转盘转动同时对喷涂雾化器的内部摆动式的清理，并且通过刷子刷洗内壁清洁更彻底的技术效果。
一种喷涂雾化器清洗专用装置

[发明专利]一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法-CN202310225035.4有效
发明人：赖占平;王增华;程红娟;王英民;郝建民;张丽;殷利迎;史月增 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法。在采用的高温炉中没有设置双加热器热场条件下，采取在高温炉中垂直放置圆形加热器，同轴放置钨坩埚和圆形钨套筒，圆形钨套筒和钨坩埚的底部与圆形加热器垂直方向的中部在同一水平面上；圆形钨套筒分为薄壁区域和厚壁区域。通过在钨坩埚的外侧嵌套具有特定外形的钨套筒，利用金属钨高热导和高比热容的特点来实现高实现温度分布模式的精确重构，最终满足氮化铝单晶生长对温度分布的要求。采用本发明有效避免常规方法所引入的高温炉温度分布模式设计难度大、单晶生长工艺复杂度的显著提升、设备成本、维护成本显著提升等问题。
一种用于实现氮化铝单晶生长温度分布方法

[发明专利]一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法-CN202310226703.5在审
发明人：殷利迎;赖占平;程红娟;张丽;王增华;史月增;郝建民;王英民 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法，该方法将一个倒置的坩埚固定在PVT炉内，将原料块放在形状与挡板中心孔形状相同且开有中心孔的原料支撑板上；用支撑杆将原料支撑板自坩埚下方开口处送至上方，并保持原料支撑板外轮廓与挡板中心孔取向的一致；整体旋转一定角度置于挡板上；将籽晶固定在坩埚的下盖上，盖严坩埚下开口，装料过程完成；待生长结束后，取下下盖，用支撑杆深入至原料支撑板底部并顶起旋转一定角度，下移支撑杆，原料支撑板和原料块整体下移，直至从坩埚下开口取出。本发明可以避免频繁移动大重量坩埚的操作，大大简化原料及籽晶的放置和取出，有望实现对气体组分输运以及生长速率的简单控制。
一种适用于尺寸氮化晶体生长原料装进取出方法

[发明专利]一种在无下辅热钨加热器的高温炉中实现下辅热的方法-CN202310226694.X在审
发明人：王英民;王增华;程红娟;张丽;史月增;殷利迎 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在无下辅热钨加热器的高温炉中实现下辅热的方法，该方法采取在高温炉中垂直放置一个圆形加热器，在圆形加热器内同轴放置一个圆形钨支撑件，圆形钨支撑件的下端与圆形加热器下端处于同一水平面上，在圆形钨支撑件上放置钨坩埚；圆形钨支撑件的上下端加工多个槽孔，每个槽孔一一对应；当加热器以30 kW的额定功率工作时，钨坩埚底部的温度达到2280‑2300℃。本发明利用烟囱效应使得近常压状态下的高温炉中的气体发生对流加热坩埚底部，使得坩埚底部获得高于坩埚侧壁的温度，实现了单加热器具备下辅热能力，有效避免了因常规方法引入的高温炉设计难度大、设备损坏几率高、维护成本高以及工艺复杂或工艺稳定性差等问题。
一种无下辅热钨加热器高温实现下辅热方法

[发明专利]一种氮化铝单晶衬底加工方法-CN202211573914.8有效
发明人：张弛;程红娟;王英民;李晖;高飞;王磊;张丽;王增华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝单晶衬底加工方法，首先设计氮化铝晶体的粘接装置，并结合粘接装置制定了加工方法，粘接装置包括支架、升降杆、缓冲杆和真空吸盘；加工方法包括晶体粘接工艺过程和晶体减薄工艺过程。通过采用粘接装置对氮化铝单晶进行粘接，配合新制定的减薄工艺方法，能得到无开裂、表面光滑、满足工艺使用要求的晶体。本发明解决了氮化铝晶体生长结束部分无法将切割面粘平的问题，使用粘接装置粘接后进行减薄磨削加工的晶体经工艺验证晶体无开裂现象，表面光滑平整，表面粗糙度值Ra=9.21nm，满足了衬底使用要求，提高了氮化铝晶体的利用率。本粘接装置结构简单，操作便捷。
一种氮化铝单晶衬底加工方法

[发明专利]助熔剂法生长氮化镓过程中抑制活性金属被氧化的方法-CN202211472881.8在审
发明人：董增印;张嵩;王英民;程红娟;孙科伟;王再恩;李贺;王双 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种助熔剂法生长氮化镓过程中抑制活性金属被氧化的方法，包括以下步骤：第一步：将氮化镓籽晶置于坩埚底部；第二步：将装有氮化镓籽晶的坩埚放入充有氮气或者氩气保护气的手套箱中；第三步：在充有保护气的手套箱中将活性金属和金属镓放入坩埚内，加热至200℃将活性金属和金属镓融化并形成合金；第四步：将坩埚降温静置，直至坩埚内的合金冷却至常温状态；第五步：将过量的高纯液氮加入坩埚内，并在坩埚上盖一带出气孔的坩埚盖，此时，高纯液氮挥发出的氮气屏蔽活性金属与空气中的氧气接触。本发明能够确保坩埚内的活性金属在转移过程中不被氧化，有利于在氮化镓生长过程中氮气融入合金中，提升了氮化镓的合成率。
熔剂生长氮化过程抑制活性金属氧化方法

[发明专利]一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽坩埚制备方法-CN202310173706.7在审
发明人：史月增;赖占平;程红娟;郝建民;张丽;王增华;殷利迎;王英民 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽坩埚制备方法。将圆形钽桶压在钽片上，外部裹上一至两圈钽箔，再紧密套在石墨环托里进行加热碳化，碳化过程中，圆形钽桶、钽片、钽箔三者发生膨胀，在被石墨环托束缚的情况下紧密结合在一起形成碳化钽坩埚。本方法以较低成本制备出所需碳化钽坩埚；采取本方法制备的坩埚减少了籽晶处的轴向温差，有助于在籽晶处形成轴向温度较为均匀热场，有助于大尺寸氮化铝单晶的生长，且适合在碳化硅、氮化铝双重高温气氛下稳定不形变，可长时间稳定使用。
一种碳化硅生长氮化使用碳化坩埚制备方法

[发明专利]一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽衬底制备方法-CN202310173708.6在审
发明人：史月增;赖占平;程红娟;郝建民;张丽;王增华;殷利迎;王英民 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽衬底制备方法。将钽片夹在石墨纸中间，再夹在石墨片中间，然后放置在双温区石墨高温加热炉中，按三步升温加热过程进行碳化，将碳化后的钽片进行磨抛，然后再将钽片夹在石墨纸中间，再夹在石墨片中间，然后再放置在双温区石墨高温加热炉中加热进行表层碳化，得到碳化钽衬底。采取本方法可以制备出在高温气氛下稳定不形变、不开裂、长时间生长氮化铝所用平整衬底。
一种碳化硅生长氮化使用碳化衬底制备方法

[发明专利]一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构-CN202011141095.0有效
发明人：董增印;张嵩;王健;程红娟;李强;程文涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构。该结构为多层结构，外层为石英管，左端密封在HVPE的法兰上，起到支撑的作用；中层为两个热解氮化硼管，分别为第一热解氮化硼管和第二热解氮化硼管，防止腐蚀性气体Cl2和石英管接触，内层是热解氮化硼坩埚，用于盛放液态的金属镓；第一热解氮化硼管套在石英管中；第二热解氮化硼管套在第一热解氮化硼管中；热解氮化硼坩埚放置在第二热解氮化硼管内。采用本发明后，可以有效的防止腐蚀性气体Cl2和石英管接触，防止石英管被腐蚀，避免β‑Ga2O3外延膜中掺入Si杂质，降低外延膜的载流子浓度，提升外延膜的纯度。
一种降低 hvpe 外延 si 含量结构

[实用新型]一种电力系统检修箱-CN202223249409.6有效
发明人：孙城江;程红娟;孙宁 -专利权人：杭州国科同创科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： A45C5/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电力系统检修箱，涉及检修箱领域,包括箱体，所述箱体的一侧转动连接有箱盖，所述箱盖的两侧皆设置有转动支撑结构，所述箱体内放置有储物仓，所述箱体内的底端设置有多组固定隔板，所述箱体内的四角皆设置有照明结构，所述照明结构的盒体与储物仓的外壁接触，所述箱盖盖在箱体上时其顶面与箱体顶面平齐，且底面与储物仓的顶面接触。本实用新型设置翻盖式的箱体结构，在箱盖上设置能够旋转的支撑结构，在箱体内设置能够便捷提起的储物仓，在实际使用中能够使箱盖翻转与地面平齐后，将储物仓提起放在箱盖上，此时便可便捷的同时使用箱体内的储物空间以及储物仓内的储物空间，箱体整体的结构简单，制造方便，实用性强。
一种电力系统检修

[发明专利]一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法-CN202211194544.7有效
发明人：高飞;张弛;王英民;李晖;王健;霍晓青;李宝珠;程红娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。
一种确定双面研磨晶片上下表面去除方法

[发明专利]一种提升氮化铝单晶生长中块体材料挥发量的填充方法-CN202110515641.0有效
发明人：张丽;赖占平;齐海涛;程红娟;李宝珠;陈建丽;王增华;史月增 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升氮化铝单晶生长中块体材料挥发量的填充方法，将多个中空薄壁圆筒按照从大到小的顺序依次放置在粉料烧结钨坩埚底部的卡槽内，钨坩埚与中空薄壁圆筒同轴，两种粒径的氮化铝粉料由外向内依次填充于两个中空薄壁圆筒之间的区域，添置的顺序为大粒径‑小粒径‑大粒径‑小粒径，直至填满整个钨坩埚内腔；从外向内依次取出所有的中空薄壁圆筒，经常规烧结后获得氮化铝块体材料。本发明利用了不同粒径AlN粉体具有不同烧结动力和团聚速率的特性，在烧结后不同粒径AlN粉体的界面处形成了大量通道，从而有助于提升氮化铝单晶生长中的原料挥发量和气体扩散量，进而提升晶体的生长速率，有效节约了生长时间和降低生长成本。
一种提升氮化铝单晶生长块体材料挥发填充方法

[发明专利]一种氮化铝单晶生长用复合籽晶托的制备方法-CN202210701352.4有效
发明人：张丽;王增华;程红娟;殷利迎;史月增;郝建民;赖占平;王英民 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝单晶生长用复合籽晶托的制备方法，复合籽晶托的结构是由钨厚片、钨薄片和烧结固熔层组成，制备方法如下：将组成烧结固熔层的混合粉体添加到水溶性溶剂和分散剂中，搅拌配置成混合粉体悬浮液；然后在钨厚片上沉积一层厚度均匀的混合粉体悬浮液并固化；将钨薄片垂直放置在固化的混合粉体悬浮液上面，并用钨材质的重块压平；最后将复合籽晶托的结构放置在高温炉内进行保温、煅烧，使得结构中悬浮液分散剂和基础粉体氮化铝粉挥发完全，经过煅烧后的烧结固熔层形成仅由添加粉体构成的孔隙均匀分布的多孔结构层，最终获得完整一体的复合籽晶托。本发明可有效解决由热失配引起的晶体中裂纹或开裂现象，提升生长晶体的完整性。
一种氮化铝单晶生长复合籽晶制备方法

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