[发明专利]一种提升氮化铝单晶生长中块体材料挥发量的填充方法有效
| 申请号： | 202110515641.0 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113215655B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张丽;赖占平;齐海涛;程红娟;李宝珠;陈建丽;王增华;史月增 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提升氮化铝单晶生长中块体材料挥发量的填充方法，将多个中空薄壁圆筒按照从大到小的顺序依次放置在粉料烧结钨坩埚底部的卡槽内，钨坩埚与中空薄壁圆筒同轴，两种粒径的氮化铝粉料由外向内依次填充于两个中空薄壁圆筒之间的区域，添置的顺序为大粒径‑小粒径‑大粒径‑小粒径，直至填满整个钨坩埚内腔；从外向内依次取出所有的中空薄壁圆筒，经常规烧结后获得氮化铝块体材料。本发明利用了不同粒径AlN粉体具有不同烧结动力和团聚速率的特性，在烧结后不同粒径AlN粉体的界面处形成了大量通道，从而有助于提升氮化铝单晶生长中的原料挥发量和气体扩散量，进而提升晶体的生长速率，有效节约了生长时间和降低生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 氮化 铝单晶 生长 块体 材料 挥发 填充 方法 | ||
【主权项】：
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