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[发明专利]一种LED芯片的封装模块及其制备方法-CN201810299136.5在审
发明人：王光绪;郭醒;陈芳;刘军林;李树强;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法，LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
基板封装模块发光面固晶制备二次光学系统一次光学透镜圆扇形键合发光同轴光学系统光耦合效率出光效率光学透镜光学系统光源模块引线密封圆周分布直接安装耦合最大化匹配

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管-CN201810420573.8在审
发明人：刘军林;江风益;全知觉;张建立;王小兰;莫春兰;郑畅达;吴小明 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本发明，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
位错高电子迁移率晶体管高阻层沟道层势垒层阻断层衬底盖层高电子迁移率晶体管器件电子迁移率击穿电压网状分布周期结构缓冲层漏电流周期数岛状生长

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管外延结构-CN201810270885.5在审
发明人： 江风益;刘军林;张建立;全知觉;莫春兰;王小兰;吴小明;徐龙权;丁杰 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本发明在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
三维合并层应力层位错高电子迁移率晶体管晶格常数差异侧向外延外延结构高阻层硅衬底缓冲层电子迁移率击穿电压直接生长沟道层漏电流势垒层层位盖层引入

[发明专利]一种氮化物发光二极管结构-CN201810194487.X在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
多量子阱层量子垒氮化物发光二极管缓冲层量子阱衬底内量子效率量子限制发光阱减薄

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201810193977.8在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
多量子阱层空穴势垒氮化物发光二极管量子阱层缓冲层量子阱衬底多量子阱发光效率角锥结构有效调控周期结构匹配度有效地

[发明专利]一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法-CN201810093125.1在审
发明人：李树强;陈芳;郭醒;吴小明;王光绪;刘军林;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极。本发明采用的P面反射欧姆接触层，同时具备光反射和欧姆接触功能；通过P面反射欧姆接触层的区块化，通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度，可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题，有效减少N电极遮挡效应。本发明具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。
反射欧姆接触层发光二极管芯片键合基金属键合层薄膜型空间层制备多量子阱发光区扩散阻挡金属层电光转换效率间隔距离欧姆接触区域电流有效减少板正面光反射区块化基板区块遮挡优化

[实用新型]一种用于制备氮化物材料的装置-CN201721384024.7有效
发明人： 江风益;刘军林;张建立;徐龙权;丁杰;全知觉 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置。本实用新型制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本实用新型具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
本实用新型制备氮化物样品台产生装置金属保护真空系统金属源腔体衬底冷却装置合为一体控制系统腔体加热旋转装置逐层堆积组分偏析坩埚底座温度计氮化物低温泵分子泵膜厚仪上腔体碳污染下腔体阳离子阴离子载片架真空计产能干泵离化坩埚制备能耗阻挡

[实用新型]一种直接板上芯片的LED封装结构-CN201720646865.4有效
发明人：郭醒;王光绪;付江;李建华;刘军林;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率，结构紧凑，光源尺寸小。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻，从而散热能力更好，结温更低，可靠性更高。本实用新型专利解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。
一种直接芯片 led 封装结构

[实用新型]一种薄膜LED芯片结构-CN201721210860.3有效
发明人：李树强;陈芳;施维;王光绪;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜LED芯片结构，该芯片结构包括基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极，特征是上电极与下电极呈交错排列，上掺杂层的厚度大于下掺杂层的厚度。上掺杂层的厚度与下掺杂层的厚度之比r满足2≤r≤6，两个相邻上电极的分支间距w满足50微米≤w≤120微米。本实用新型能够使芯片上掺杂层和下掺杂层注入的载流子最大限度地在上电极对应的非掺杂发光区之外产生辐射复合发光，可以减少光传输到上电极下方区域的几率，从而减少上电极的光遮挡效应，可有效提高薄膜LED芯片的电光转换效率。
一种薄膜 led 芯片结构

[实用新型]一种无荧光粉型黄白光LED路灯-CN201720633003.8有效
发明人：郭醒;王光绪;付江;刘军林;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无荧光粉型黄白光LED路灯，包括LED光源、基板、散热板、后盖、电线、电源模块、安装支架和配光元件，LED光源由LED芯片组成，LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构的黄光LED芯片和AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构的红光LED芯片。该LED路灯采用无荧光粉技术，通过LED芯片光源直接出光，解决了荧光粉使用带来的色温和光效难以协调发展的问题，降低了光型控制的难易程度，简化了灯具制作工艺，同时提高灯具模块的可靠性。同时，由于黄光LED芯片和红光LED芯片直接合成的光源，实现钠黄光色的超低色温LED路灯。避免当前高色温LED路灯中蓝光成分对周边生物的潜在危害，降低光污染。
一种荧光粉白光 led 路灯

[发明专利]可照射出特定平面几何图形光斑LED芯片的制备方法及结构-CN201610210910.1有效
发明人：王光绪;江风益;刘军林;吴小明;全知觉;张建立 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
射出特定平面几何图形光斑 led 芯片制备方法结构

[发明专利]一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法-CN201710849105.8在审
发明人：李树强;陈芳;施维;王光绪;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，包括以下步骤首先利用常规的MOCVD制备AlGaInP LED外延材料，然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基板上，制备N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片；在切割分离AlGaInP薄膜LED芯片之前，利用光刻工艺对切割道以外的区域用光刻胶保护，然后将将待切割的AlGaInP薄膜LED芯片放入碘酸水溶液、盐酸和水配制的切割道腐蚀液中，把切割道对应区域的外延材料腐蚀掉，制备出切割道，最后用激光切割机或砂轮切割机沿切割道中心线将AlGaInP薄膜LED芯片分离。本发明具有很好的稳定性和一致性，且切割道腐蚀液不含剧毒的单质溴元素，有利于工艺人员身体健康和环境保护。
一种 algainp 薄膜 led 芯片切割制备方法

[发明专利]一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法-CN201710849104.3在审
发明人：李树强;陈芳;施维;王光绪;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法，包括以下步骤外延材料清洗、生长绝缘介质层、光刻P面电极孔、蒸发P面电极、光刻P面电极、蒸发光反射金属层、蒸发键合金属层、晶片键合、蒸发N面电极、光刻N面电极、电极合金、芯片粗化、芯片测试、芯片切割、芯片分选、产品包装入库，特征是在光刻N面电极步骤和芯片粗化步骤之间设有电极合金步骤，且放在晶片键合步骤之后。本发明将P面电极合金跟N面电极合金合并为一个电极合金工艺，且放在晶片键合之后，光反射金属层两侧的压力能够有效抑制光反射金属层在电极合金的高温作用下发生球聚现象，提高了光反射金属层的光反射率，同时简化了薄膜LED芯片的制备工序。
一种抑制薄膜 led 芯片反射金属层球聚方法

[实用新型]一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构-CN201720133322.2有效
发明人：李树强;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，该薄膜芯片包括P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层、N电极，特征是在N型限制层和N型粗化层之间设有N型电流扩展层，N型粗化层使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.5≤x≤1，采用稀盐酸(盐酸∶水＝x∶3，1＜x＜3)腐蚀粗化，提高出光效率；N型电流扩展层所使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.1≤x≤0.5，这种低铝组份的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料电子迁移率高，可以提高电流扩展能力。
一种 algainp 发光二极管薄膜芯片结构

[发明专利]一种对外延片进行快速退火合金的方法及设备-CN201210071424.8有效
发明人：熊传兵;江风益;方文卿;章少华;陈鹏 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种对外延片进行快速退火合金的方法及设备，涉及半导体外延片的退火合金工艺及其设备，用于解决现有技术存在的效率低、产品质量差的问题，本发明的技术方案。包括以下步骤使导热板与加热板处于分离状态，将外延片放置在导热板上；使加热板的温度达到预设的温度，使导热板和加热板发生相向运动，并相接触，进行热交换；当达到工艺所需的温度和时间后，使导热板与加热板分离，导热板降温；当外延片降到所需温度后，将其取下。本发明可以实现外延片的快速降温，提高效率，并提高外延片的质量。本发明的方法和设备适合于半导体外延片的退火、合金等工艺。
一种外延进行快速退火合金方法设备