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[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310443685.6有效
发明人：朴成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括衬底、位线接触插塞、插塞侧墙及电容接触节点，衬底包括隔离结构及由隔离结构定义的间隔阵列排布的有源区，有源区具有第一有源部和邻接于第一有源部沿目标方向相对两侧的第二有源部，第一有源部的顶面不低于第二有源部的顶面，目标方向为有源区的延伸方向；位线接触插塞位于第一有源部的顶面且与有源区一一对应设置；插塞侧墙环绕位线接触插塞的侧表面；电容接触节点位于第二有源部的顶面，且电容接触节点的顶面高于位线接触插塞的顶面，至少能够增加位线接触插塞与邻近的电容接触节点之间的间距且减小位线接触插塞的阻抗。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]存储器-CN202210102777.3在审
发明人：张钦福;林昭维;朱家仪;朴成;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器。利用第一分隔线和第二分隔线界定出节点接触窗，其中第二分隔线中的底部垫层和顶部主体层依次形成在字线遮蔽层上，并利用绝缘层覆盖第二分隔线，以提高所述第二分隔线对相邻的节点接触部的隔离性能。
存储器

[发明专利]存储器及其形成方法-CN202010353508.5有效
发明人：张钦福;林昭维;朱家仪;朴成;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法。利用位线和隔离侧墙构成第一分隔线，并进一步结合第二分隔线界定出节点接触窗，以及第一分隔线和第二分隔线的侧壁上还形成有绝缘层，从而可允许用于构成第一分隔线的隔离侧墙上可以形成有侧向凹陷。基于此，即可以采用更为简单的工艺制备其他组件(例如，可以直接利用图形化工艺直接形成第二分隔线)，实现了在保证器件性能的基础上，简化器件的制备工艺，提高器件的生产效率。
存储器及其形成方法

[发明专利]一种电子元件结构-CN201910593206.2在审
发明人：朱玄通;朴成 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种电子元件结构，该电子元件结构至少包括：衬底和位于其上的有源区；位于有源区上的栅极结构；栅极结构自下而上依次由多晶硅层、金属层、第一硬掩膜及第二硬掩膜层叠而成；设于栅极结构侧壁的第一、第二侧墙；第一、第二侧墙的顶部相互错开，且第一侧墙顶部高于第二侧墙顶部；第一侧墙顶部呈尖角状，且第一侧墙顶部高于第一硬掩膜顶部。本发明将电子元件结构的栅极制作成多层的层叠结构，有效缩短了栅极的高度，降低了栅极占用的空间比例，并使得栅极刻蚀工艺容易实现；另一方面将栅极的侧墙由现有工艺的单一型和较薄的结构制作成多层的、较厚的侧墙结构，提高了栅极与栅极之间的有效隔离，避免短路，提高了产品的良率。
一种电子元件结构

[实用新型]存储器-CN202020935812.6有效
发明人：张钦福;林昭维;朱家仪;朴成;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种存储器。利用相邻的位线界定出沿着第一方向延伸的凹槽，并使凹槽的底部还整体内陷至衬底中以形成下沟槽，以及在凹槽中依次排布多个接触插塞，并在相邻的接触插塞之间设置隔离柱以分隔相邻的接触插塞。由于下沟槽整体内陷至衬底中，因此可以直接以位线为掩膜刻蚀衬底形成，其形成方法简单，以及可以优先形成接触插塞再利用隔离柱分隔相邻的接触插塞，其工艺步骤较少，有利于提高器件的生产效率。
存储器

[实用新型]存储器-CN202020683900.1有效
发明人：张钦福;林昭维;朱家仪;朴成;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种存储器。利用位线和隔离侧墙构成第一分隔线，并进一步结合第二分隔线界定出节点接触窗，以及第一分隔线和第二分隔线的侧壁上还形成有绝缘层，从而可允许用于构成第一分隔线的隔离侧墙上可以形成有侧向凹陷。基于此，即可以采用更为简单的工艺制备其他组件(例如，可以直接利用图形化工艺直接形成第二分隔线)，实现了在保证器件性能的基础上，简化器件的制备工艺，提高器件的生产效率。
存储器

[发明专利]存储器及其形成方法-CN202010469881.7在审
发明人：张钦福;林昭维;朱家仪;朴成;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法。利用相邻的位线界定出沿着第一方向延伸的凹槽，并使凹槽的底部还整体内陷至衬底中以形成下沟槽，以及在凹槽中依次排布多个接触插塞，并在相邻的接触插塞之间设置隔离柱以分隔相邻的接触插塞。由于下沟槽整体内陷至衬底中，因此可以直接以位线为掩膜刻蚀衬底形成，其形成方法简单，以及可以优先形成接触插塞再利用隔离柱分隔相邻的接触插塞，其工艺步骤较少，有利于提高器件的生产效率。
存储器及其形成方法

[实用新型]一种电子元件结构-CN201921023589.1有效
发明人：朱玄通;朴成 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电子元件结构，该电子元件结构至少包括：衬底和位于其上的有源区；位于有源区上的栅极结构；栅极结构自下而上依次由多晶硅层、金属层、第一硬掩膜及第二硬掩膜层叠而成；设于栅极结构侧壁的第一、第二侧墙；第一、第二侧墙的顶部相互错开，且第一侧墙顶部高于第二侧墙顶部；第一侧墙顶部呈尖角状，且第一侧墙顶部高于第一硬掩膜顶部。本实用新型将电子元件结构的栅极制作成多层的层叠结构，有效缩短了栅极的高度，降低了栅极占用的空间比例，并使得栅极刻蚀工艺容易实现；另一方面将栅极的侧墙由现有工艺的单一型和较薄的结构制作成多层的、较厚的侧墙结构，提高了栅极与栅极之间的有效隔离，避免短路，提高了产品的良率。
侧墙电子元件结构硬掩膜本实用新型栅极结构多层源区栅极结构侧壁侧墙结构层叠结构多晶硅层结构制作刻蚀工艺有效隔离栅极制作尖角状金属层短路错开衬底良率占用

[实用新型]密码电子锁装置-CN200820135007.4无效
发明人：朴成 -专利权人：咸花淑
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： E05B49/00 文献下载
摘要：一种密码电子锁装置，包括有主控制器、按键输入模组、读卡器、红外信号接收模组、门闸开关信号输出模组、报警控制输出模组及蜂鸣器控制输出模组，其中：按键输入模组的输入输出端与主控制器的数据输入输出端连接，读卡器的存储卡数据输入输出端与主控制器的存储卡数据输入输出端连接，红外信号接收模组的输出端与主控制器的红外信号输入端连接，门闸开关信号输出模组的开关控制信号输出端与主控制器的开关控制信号输入端连接，报警控制输出模组的输入端与主控制器的报警控制输出端连接，蜂鸣器控制输出模组的蜂鸣控制输入端与主控制器的蜂鸣控制输出端连接，藉以组成一安全性高、具多种功能且开启稳定的密码电子锁装置。
密码电子锁装置

[发明专利]生产华夫板的新工艺-CN94102366.4无效
发明人：朴成 -专利权人：黑龙江省林产工业研究所
申请日： 1994-03-07 - 公布日： 1995-09-13 - 主分类号： B27N3/08 文献下载
摘要：一种生产华夫板的新工艺，包括先施胶、后干燥，最后热压成板。先将水溶性酚醛树脂胶加水稀释，然后加增稠剂使胶成为不溶于水中的悬浮胶粒，将胶水混合液施加到刨花上，经沥水后送于干燥机中控温干燥，干燥后，用铺装机将刨花铺成板坯，经热压机热压成板。此工艺施胶均匀，施胶量低，刨花损伤小，能准确控制热压前刨花的含水率；本工艺简单，可采用现有国产设备生产华夫板，也适用于胶合板和其它种类的刨花板。
生产华夫板新工艺

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