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[发明专利]一种适用于旋转喷镀的双面电镀工装-CN202211515476.X在审
发明人： 房立峰;张伟;包星晨;张子文;赵加乐 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于旋转喷镀的双面电镀工装，它包括配合连接的下环体、上环体和上盖，在下环体上设有带有一组下导电梳齿片的导电环，在上环体上设有带有一组上导电梳齿片的上导电环，在上环体上还均布有一组与上盖接触的支撑筒，在支撑筒内穿设有与上导电环连接的导电柱，在上盖内置有导电盘，在导电盘上均布有一组与导电柱对应配合的导电引柱，在导电片上还设有伸出上盖的导电轴，在上盖上均布有一组穿透上盖和导电盘的电镀液交换孔。本发明结构简单、使用方便，在倾斜旋转喷镀电镀工艺腔体结构基础上，实现了晶圆双面电镀，具有双面电镀速率差异小，均匀性高，操作简单，适用性强等优点。
一种适用于旋转双面电镀工装

[发明专利]一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法-CN202011026812.5有效
发明人：张帅;刘阳;包星晨;房立峰;张伟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
一种晶圆级 au 金属膜湿法腐蚀图形方法

[发明专利]一种红外探测器芯片-CN202111479920.2在审
发明人：包星晨;王鹏;王文婧;房立峰;曾鸣鸣 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明提供一种红外探测器芯片，其特征在于：它包括硅衬底（1），在硅衬底（1）上设有支撑层（2），在支撑层（2）上设有一组热电偶层，在热电偶层与支撑层（2）上覆盖有钝化层（6），在硅衬底（1）上还设有空腔（12），相邻的热电偶层之间通过引线（11）连通。本发明具有结构简单、制造方便，在保证芯片响应灵敏度的同时有效减小了芯片和红外吸收支撑薄膜的面积，使红外吸收支撑薄膜的刚度提高，从而提高芯片整体可靠性。
一种红外探测器芯片

[发明专利]一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置-CN201910816110.8有效
发明人：陈婧瑶;张帅;潘结斌;房立峰;赵娟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置

[发明专利]一种全硅环境隔离MEMS器件的制备方法-CN201810976261.5有效
发明人：何凯旋;郭群英;宋东方;郭立建;曹卫达;房立峰 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-08-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种全硅环境隔离MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：在第一单晶硅片顶面中部刻蚀加热电阻图形、在顶面四周刻蚀悬臂梁图形；在第一SOI硅片的衬底硅四周刻蚀形成预埋空腔；第一SOI与第一单晶硅片硅硅直接键合；在第一SOI硅片的顶层硅上制备MEMS底部电极晶圆；在第二SOI硅片上制备MEMS敏感可动结构；第一SOI与第二SOI硅片硅硅直接键合；在第二单晶硅片顶面集成MEMS结构处理电路与温度控制电路；制备盖帽，盖帽与MEMS底部电极晶圆玻璃浆料键合，形成晶圆级真空封装；对第一单晶硅片底面减薄，形成加热电阻与悬臂梁；划片使加热电阻露出引线键合区；在引线键合区制备加热电阻PAD；划片露出MEMS器件PAD，完成所述全硅环境隔离MEMS器件的制备；整个器件可实现高性能指标，极大提高了环境适应性。
一种环境隔离 mems 器件制备方法

[发明专利]一种MEMS圆片级真空封装方法-CN201910793427.4在审
发明人：王帆;刘磊;张帅;喻磊;郭立建;张伟;房立峰 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
真空缓冲腔真空腔室制备圆片级真空封装制作结构层键合金硅垂直引线硅片正面活动空间键合工艺绝缘介质可动结构吸气剂层引线键合真空封装衬底层盖帽层环形槽金焊点吸气剂硅片盖帽刻蚀深腔吸除填充

[发明专利]一种高沉积速率蒸镀的蒸发舟调节固定装置-CN201710830231.9有效
发明人：刘阳;陈计学;房立峰;张帅;张伟 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开一种高沉积速率蒸镀的蒸发舟调节固定装置，包括正调节固定板、负调节固定板、正电极延长柱与负电极延长柱，正调节固定板及负调节固定板分别水平连接于正蒸镀电极及负蒸镀电极顶部；正电极延长柱及负电极延长柱分别通过固定孔竖直固定于正调节固定板及负调节固定板；正电极延长柱及负电极延长柱顶部分别螺纹连接有固定套筒，固定套筒侧壁设有水平的开口槽,两个固定套筒的开口槽相对设置，蒸发舟两端分别插入两个开口槽形成配合；两个固定套筒上部分别设有锁紧螺栓，使蒸发舟两端分别夹紧固定于相对应的锁紧螺栓与电极延长柱之间；通过电极延长柱使蒸发舟的安装位置升高，从而缩短了蒸发源和基片的距离，能够提高沉积速率。
一种沉积速率蒸发调节固定装置

[发明专利]一种批量电镀金属热沉元件的阴极装置-CN201810120521.9有效
发明人： 房立峰;陈丙根;陈计学;刘阳;张帅;王帆 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C25D17/12 文献下载
摘要：本发明公开一种批量电镀金属热沉元件的阴极装置，包括装载罩壳与装载托盘，装载罩壳呈圆锥台状，装载罩壳顶面设有导电片、底边设有导电环；装载罩壳壳壁设有电镀液通孔阵列，装载罩壳壳壁还内嵌有一组金属引线,金属引线顶端与导电片相连、底端与导电环相连；装载托盘与装载罩壳底部螺纹配合连接，形成容纳金属热沉元件的装载腔，装载托盘设有一组电镀液穿流孔；导电片中心设有螺孔，装载罩壳顶部设有与螺孔同心的安装孔，安装孔内穿设有导电柱，导电柱用于和电镀设备阴极接口螺纹连接；本装置无需对金属热沉元件夹持，电镀液流进流出装载腔实现电镀；结构简单、安装方便、稳定性好，且电镀均匀性高，满足金属热沉元件的电镀要求。
装载罩壳托盘金属热沉导电片电镀金属金属引线热沉元件阴极装置安装孔导电环导电柱电镀液装载腔电镀壳壁螺孔螺纹配合连接电镀均匀性安装方便电镀设备电镀液流螺纹连接通孔阵列阴极接口圆锥台状罩壳顶部穿流孔同心的罩壳顶底端夹持内嵌流出容纳

[发明专利]一种雪崩二极管低频参数测试装置-CN201610722805.6有效
发明人：潘结斌;陈计学;赵娟;朱小燕;房立峰 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。
一种雪崩二极管低频参数测试装置

[发明专利]一种治疗肩周炎或肌腱炎的中药组合物-CN201410113132.5有效
发明人：冯方梅;房立峰 -专利权人：崔新明
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： A61K36/8994 文献下载
摘要：本发明属于医药技术领域，特别涉及一种治疗肩周炎或肌腱炎的中药组合物及其制备方法。针对目前肩周炎或肌腱炎缺少全面有效的治疗缺陷，本发明的提供一种治疗或预防肩周炎或肌腱炎的中药组合物，其包括如下组分：薄荷10-20份、薏苡仁12-18份，徐长卿6-10份，红花10-15份、五味子10-20份，茯苓12-16份，丹参6-9份，鸡血藤20-30份，杜仲20-30份、淫羊藿10-16份、桑寄生12-18份，川芎15-25份，虎杖10-20份、白芍6-12份、麻黄10-15份、怀牛膝15-20份，甘草10-15份。该中药组合物在治疗肩周炎或肌腱炎方面具有很好的治疗效果，具有显著的临床推广价值。
一种治疗肩周炎肌腱中药组合

[发明专利]一种治疗眼底出血的中药组合物及其用途-CN201410113136.3有效
发明人： 房立峰;冯方梅 -专利权人：崔新明
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： A61K36/66 文献下载
摘要：本发明属于医药领域，涉及一种治疗眼底出血的中药组合物，其由下列原料制成：菊花、蝉蜕、牛蒡子、决明子、川芎、牛膝、淫羊藿、桔梗、丹参、黄芩、银杏叶、白蒺藜、白芷、延胡索、大蓟、茯苓。本发明治疗眼底出血的中药组合物疗效显著、安全可靠，弥补现有技术的不足，减轻眼底出血患者的痛苦，具有广阔的临床应用前景。
一种治疗眼底出血中药组合及其用途

[发明专利]一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚及其制备方法-CN201310588210.2有效
发明人：潘结斌;陈计学;展明浩;房立峰;朱小燕;吕东锋 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接；利用四个完全相同的梯形金属片构成的十字形结构在W波段的集总等效模型参数，同W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)参数阻抗匹配，满足W波段IMPATT二极管(10)在波导谐振器中工作时谐振条件，并且增强了W波段IMPATT二极管(10)的散热效果，为W波段IMPATT二极管(10)工作在高功率下提高了可靠性。
一种波段 impatt 二极管阻抗匹配引脚及其制备方法

[实用新型]中药配药桌-CN201320027941.5有效
发明人： 房立峰 -专利权人： 房立峰
申请日： 2013-01-02 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： B65B67/00 文献下载
摘要：中药配药桌，属于医疗用具技术领域。本实用新型的技术方案是：包括桌面和桌腿，其特征是在桌面上设有多个凹槽，凹槽上设有卡夹。本实用新型结构简单，使用方便，药剂人员在配药时操作简便、省时省力，减轻了医务人员的工作难度。
中药配药

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