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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]深度过滤器-CN202222746788.3有效
发明人： M·吴;J·E·汤利 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B01D24/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种深度过滤器，其特征在于，所述深度过滤器包括串联的两个或更多个层，其中至少一个层包含聚芳酰胺纤维、合成助滤剂及聚合物粘合剂。
深度过滤器

[实用新型]用于过滤液体的过滤器组合件-CN202222945918.6有效
发明人： J·C·L·埃尔萨恩多;B·L·格雷格索恩 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B01D29/35 文献下载
摘要：本实用新型描述用于过滤液体的过滤器组合件。用于过滤液体的所述过滤器组合件包含过滤器壳体及安置于所述过滤器壳体的经围封空间中的滤筒。所述过滤器壳体包含附装到碗状物以形成所述经围封空间的盖。所述盖包含用于所述经围封空间的流体入口端口、流体出口端口及排气端口。所述滤筒包含安置于所述碗状物的槽中从而阻止所述滤筒相对于所述碗状物的旋转的径向突部。一种制造过滤器组合件的方法包含将滤筒插入到碗状物中及将所述盖附装到所述碗状物。
用于过滤液体过滤器组合

[实用新型]定向气体扩散器及设备-CN202223054556.8有效
发明人： M·阿多里西奥;D·麦克里姆蒙;V·瓦尔克;D·戴恩;B·斯库勒 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种定向气体扩散器及设备。所述定向气体扩散器，其特征在于所述定向气体扩散器包括：细长壳体，所述壳体包括：入口端；封闭端；长度，其在所述入口端与所述封闭端之间；开口，其在所述壳体的正面上沿着所述长度延伸；及通道，其在所述入口与所述封闭端之间延伸。所述通道是沿着所述长度由以下各项界定：所述开口，其沿着所述正面延伸；细长背面；及细长侧面，其中所述通道具有长度、宽度、深度及沿着所述通道长度的不同横截面面积。
定向气体扩散器设备

[发明专利]使用沸石吸附剂存储GeH4的存储及运送容器-CN202180068668.8在审
发明人： O·比尔 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F17C13/04 文献下载
摘要：本发明描述用于从其中锗烷(GeH4)与包含沸石咪唑骨架的固体吸附剂介质保持吸附关系的容器选择性地施配所述锗烷作为试剂气体的存储及施配系统以及相关方法。
使用吸附剂存储 geh4 运送容器

[发明专利]蚀刻剂组合物-CN202180064442.0在审
发明人：许家荣 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供了相对于存在的低k介电层选择性地蚀刻硬掩模层和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。更具体地，本发明涉及一种相对于低k介电层选择性地蚀刻氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。可能存在于微电子装置上的其它材料不应被所述组合物基本上去除或腐蚀。
蚀刻组合

[发明专利]用于产生铝离子的方法及系统-CN202180066316.9在审
发明人： B·L·尚贝尔;J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;O·比尔 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明描述离子植入装置、系统及方法，且特定来说，本发明描述一种可用于产生铝离子束的离子源。
用于产生离子方法系统

[发明专利]具有位置指示器的阀系统-CN201980057598.9有效
发明人： C·斯坎内尔;J·R·德普雷斯;P·基尔;P·穆佐 -专利权人： 恩特格里斯公司;罗达莱克斯股份有限公司
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F16K37/00 文献下载
摘要：本发明公开一种阀系统，其具有阀位置指示器。所述阀位置指示器允许从一或多个观看位置观看阀位置。在一个实例中，所述阀位置指示器包含阀组合件上的侧阀打开/关闭指示器及顶阀打开/关闭指示器。指示器锁定机制将所述阀位置指示器牢固锁定成与控制阀的位置对准。
具有位置指示器系统

[实用新型]涂覆有抗裂氟退火膜的制品-CN202122827231.8有效
发明人： N·困达;劳季钧;S·J·安杰洛尼;W·内夫 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及涂覆有抗裂氟退火膜的制品。提供与具有优异的抗等离子体蚀刻性且可延长RIE组件的使用寿命的涂层相关的制品。制品具有真空兼容衬底及覆盖所述衬底的至少一部分的保护膜。所述膜包括含钇的氟化金属氧化物，其中使用AC电源沉积氧化钇。所述膜在所述膜的30％总厚度的深度处具有至少10的氟原子％，并且所述膜不具有当使用激光共聚焦显微镜以1000倍的放大率观察所述膜的整个深度时可见的在所述膜的表面下方的表面下裂纹。
涂覆有抗裂氟退火制品

[发明专利]相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物-CN201880024145.1有效
发明人： S·M·比洛迪奥 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供适用于从微电子装置中通过相对于含硅材料蚀刻含硅‑锗材料而选择性移除的组合物，所述微电子装置具有表面上含有这些材料的特征，所述组合物含有氢氟酸、乙酸、过氧化氢和至少一种额外的酸，所述酸会改良如通过蚀刻速率或选择性中的一或多者所测量且可调以获得所需Si:Ge移除选择性和蚀刻速率的性能。
相对于选择性蚀刻调配

[发明专利]用于移除硬掩模的方法-CN202180052005.7在审
发明人：吴幸致;E·I·库珀;杨闵杰 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供适用于蚀刻，即移除，已掺杂有例如硼、氯或氮的元素的非晶碳硬掩模的组合物及方法。所述组合物利用浓硫酸、水及至少一种氧化剂。在所述方法的操作中，即使在存在例如二氧化硅、氮化硅、氮化钽及多晶硅的层的情况下，所述组合物也以良好选择性来选择性地移除经掺杂硬掩模层。
用于硬掩模方法

[发明专利]高压过滤器-CN202310316883.6在审
发明人： M·兰多尔弗 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01D35/30 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种高压过滤器，其包含：第一壳体及第二壳体，其具有互补渐缩表面；垫圈，其位于所述渐缩表面之间；过滤器元件，其居中地安置于所述壳体内；及压缩轴环，其装配在所述第二壳体上方且旋拧到所述第一壳体上。还提供制成且使用高压过滤器的方法。
高压过滤器

[发明专利]具有增强型容纳的衬底容器-CN201680050060.1有效
发明人： G·盖勒格;S·索姆纳 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：可通过射出模制金属浆料而形成用于半导体制造工业中的衬底容器及/或其部分。更特定来说，可通过射出模制含有镁或镁合金的金属浆料而形成此类衬底容器及/或其部分。与相当的由基于聚合物的材料形成的衬底载体相比，其中衬底容器的至少一部分由含有镁或镁合金的金属浆料射出模制而成的所述衬底容器可展现对湿气及氧气的经改进渗透控制。示范性衬底容器可包含晶片容器、光罩盒、磁盘运送器及/或半成品盒。
具有增强容纳衬底容器

[实用新型]静电吸盘底座-CN202222466219.3有效
发明人： C·瓦尔德弗里德;J·莱辛斯基;F·波帕;M·亚尔迪兹利 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请案涉及一种静电吸盘底座。描述用于在处理工件的步骤期间支撑所述工件的静电吸盘及通过增材制造技术制备的静电吸盘底座组件。
静电吸盘底座

[发明专利]使用双(烷基芳烃)钼前体的钼气相沉积-CN201980009112.4有效
发明人： R·小赖特;孟双;B·C·亨德里克斯;T·H·鲍姆;P·S·H·陈 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明描述通过使用双(烷基芳烃)钼作为用于这类沉积的前体将钼材料沉积到衬底上的气相沉积方法，所述双(烷基芳烃)钼在本文中又称为(烷基芳烃)2Mo，例如双(乙基苯)钼((EtBz)2Mo)；以及含有所沉积材料的结构。
使用烷基芳烃钼前体钼气相沉积

[发明专利]具有不同烧结点的不同材料的节点和纤维的经烧结多孔材料与相关制备方法和用途-CN201880081037.8有效
发明人： R·S·泽勒 -专利权人： 恩特格里斯公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B22F3/11 文献下载
摘要：本发明描述多孔经烧结金属体，制备和使用所述多孔经烧结金属体的方法，以及将所述多孔经烧结金属体用于包含过滤流体的商业应用，包含用于需要高效(高LRV)过滤的应用中的方法。
具有不同烧结材料节点纤维多孔相关制备方法用途

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