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[发明专利]紫外发光二极管芯片及其制备方法-CN202111552853.2有效
发明人： 徐盛海;刘源;张威;林凡 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管芯片及其制备方法，包括：衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、反射镜层、第一电极和第二电极；第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层依次层叠于衬底的表面，第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽，第一电极位于凹槽内且与第一半导体层接触，第二电极位于第二半导体层的表面；反射镜层包括依次层叠在第二半导体层的表面上的第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层，第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层均延伸至凹槽内，第一绝缘层部分位于第一电极和第二电极表面。本公开能提升紫外发光二极管芯片的发光效果，且有效防止封装后锡扩散而导致漏电的问题，提高芯片的可靠性。
紫外发光二极管芯片及其制备方法

[实用新型]真空绝热材料-CN202320344604.2有效
发明人： 徐盛海;秦裕一;许天祥 -专利权人：松下真空节能新材料（重庆）有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F16L59/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及绝热材料领域，具体涉及一种真空绝热材料。真空绝热材料包括：芯材；催化吸附组件，设置于芯材表面或内部；透明的外包材，包覆在芯材和催化吸附组件的外周，外包材具有树脂基材或者树脂涂层；催化吸附组件包含吸附剂和催化剂，催化剂能够将吸附剂无法吸附的有机气体催化分解为吸附剂能够吸附的小分子物质。外包材具有树脂基材、覆于树脂基材的阻隔膜、以及涂布于阻隔膜一面或者两面的树脂涂层。通过催化剂以及吸附剂的配合，这些有机气体最终被催化吸附组件分解吸附，保证了真空绝热材料内部的高真空度。由此在避免真空绝热材料的真空度下降的同时，能够减小热桥现象的影响，从而提高真空绝热材料的绝热效果。
真空绝热材料

[实用新型]真空绝热材料-CN202320344066.7有效
发明人： 徐盛海;秦裕一;许天祥 -专利权人：松下真空节能新材料（重庆）有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： F16L59/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及绝热材料领域，具体涉及一种真空绝热材料。本实用新型提供了一种真空绝热材料，包括芯材、吸附组件以及透明的外包材，其中，吸附组件设置于芯材表面或内部，透明的外包材包覆在芯材和吸附组件的外周。吸附组件包含至少一种能够吸附水和二氧化碳的极性气体吸附剂，以及至少一种能够吸附氮气和氧气的非极性气体吸附剂。该真空绝热材料能够兼顾保持高真空度和抑制热桥问题，具有良好的绝热效果。
真空绝热材料

[发明专利]紫外发光二极管及其制备方法-CN202211713671.3在审
发明人： 徐盛海;高艳龙;尹灵峰;刘源 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、第一欧姆接触层和第一电极；所述外延层层叠在所述衬底上，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述第一欧姆接触层和所述第一电极均位于所述凹槽内，所述第一欧姆接触层部分区域镂空，所述第一欧姆接触层和所述第一电极依次层叠在所述第一半导体层的表面，所述第一电极为反光电极。本公开能提升发光二极管的发光效果。
紫外发光二极管及其制备方法

[实用新型]紫外发光二极管芯片-CN202221735654.5有效
发明人： 徐盛海;高艳龙;尹灵峰;张威;刘源 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管芯片，包括：衬底、外延层、第一电极和第二电极；外延层层叠在衬底上，第一电极和第二电极位于外延层上，第一电极与外延层的一个半导体层连接，第二电极与外延层的另一个半导体层连接；外延层具有沿第一方向依次间隔分布的多个条状结构，多个条状结构相互平行，各条状结构具有第一端和第二端，各条状结构的第一端均位于同一侧，在第一方向上，依次分布的三个条状结构中，第一个条状结构的第一端与第二个条状结构的第一端连接，第二个条状结构的第二端与第三个条状结构的第二端连接。本公开能增大发光二极管芯片的发光面积，改善芯片发热量大的问题。
紫外发光二极管芯片

[实用新型]提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构-CN202122285302.6有效
发明人： 徐盛海;刘源;张威;林凡 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，属于发光二极管领域。p型AlGaN层延伸至n型AlGaN层的凹槽在衬底的表面的正投影呈首尾相连状，在凹槽上层叠的等比例缩小的一次n电极可以围绕在p型AlGaN层的四周。而p型AlGaN层在衬底的表面的正投影的外轮廓呈H形，一次p电极在衬底的表面的正投影为p型AlGaN层在衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案，减小了需要对发光层进行刻蚀的空间，保证出光位置集中在芯片的中部，且凹槽上层叠的一次n电极将电流从p型AlGaN层的四周导向p型AlGaN层中，电流进入较为均匀。最终可以有效提高得到的紫外发光二极管的出光均匀度。
提高均匀紫外发光二极管芯片结构

[发明专利]全空间ODR深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺-CN201910693448.9有效
发明人：张爽;刘源;徐盛海;戴江南;陈长清 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体元器件的技术领域。提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层。本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。
空间 odr 深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺

[实用新型]一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片-CN201920856700.9有效
发明人：张会雪;罗红波;徐盛海;张爽;刘源;戴江南;陈长清 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片，包括蓝宝石衬底层、AlN层、N型AlGaN层、N电极层、P型GaN层和P电极层，其中，所述AlN层、所述N型AlGaN层、所述N电极层、所述P型GaN层和所述P电极层依次沉积于所述蓝宝石衬底层表面；所述P型GaN层包括复数个平行设置的第一条状结构，所述P电极层包括复数个平行设置的第二条状结构，所述第二条状结构设置于所述第一条状结构远离所述N电极层一侧。本实用新型通过将P型GaN层和P电极层设置成复数个平行设置的条状结构，有效增加侧壁出光面积，从而实现光萃取效率的提高；同时，该结构设计使电极线宽变窄，电流扩展距离变短，更有利于N‑P电极之间的电流扩展，减少电流拥堵效应。
条状结构平行设置复数蓝宝石衬底层本实用新型电流扩展光萃取效率深紫外LED 侧壁出光电流拥堵条形阵列电极线变窄沉积芯片

[实用新型]一种紫外发光二极管芯片-CN201920663703.0有效
发明人： 徐盛海;刘源;张会雪;陈长清;戴江南 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外发光二极管芯片，包括衬底层以及依次从衬底层的表面叠加生长的氮化铝缓冲层、N型氮化镓铝层、多量子阱有源层和P型氮化镓铝层，若干个穿过P型氮化镓铝层、多量子阱有源层直至N型氮化镓铝层的分隔孔将芯片的上端分割为若干个P型孤岛，N型氮化镓铝层的表面上蒸镀有第一N电极，P型孤岛的表面上蒸镀有第一P电极，芯片的表面设置有绝缘层，绝缘层的表面设置有第二N电极和第二P电极，第二N电极和第二P电极分别通过N电极开孔和P电极开孔与第一N电极和第二P电极联通。本实用新型将芯片的单个发光区域分割成多个等同长条贯穿型分布的区域，降低了芯片电压，而且可满足更大电流驱动，有效提高了芯片的光功率。
芯片铝层绝缘层多量子阱有源层本实用新型表面设置衬底层开孔蒸镀孤岛紫外发光二极管芯片氮化铝缓冲层大电流驱动发光区域芯片电压上端分隔孔光功率分割联通叠加穿过生长贯穿

[实用新型]一种深紫外发光二极管芯片-CN201822032512.2有效
发明人： 徐盛海;刘源;陈长清;戴江南 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种深紫外发光二极管芯片，包括多个子芯片，每个所述子芯片的大小相等，且所述子芯片间横向纵向间隔距离相同，每一所述子芯片形貌为圆形，直径为20‑100um，每个所述子芯片包括衬底，依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓铝层、多量子阱有源层和P型氮化镓铝层，所述多个子芯片呈矩阵方式分布在芯片的N型氮化镓铝层上，所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从P型氮化镓铝层延伸至所述N型氮化镓铝层，每颗芯片最外侧凹槽内设有将外延片分割成多个芯片的隔离槽，所述隔离槽从N型氮化镓铝层延伸至氮化铝缓冲层；该实用新型结温分布均匀，且通过大占比的金属面积有效的提高了电流扩展和热导出能力。
芯片子芯片铝层深紫外发光二极管氮化铝缓冲层隔离槽衬底多量子阱有源层形貌本实用新型大小相等电流扩展横向纵向间隔距离矩阵方式外侧凹槽依次层叠外延片延伸导出结温金属分割

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制造方法-CN201410274219.0有效
发明人：徐瑾;金迎春;徐盛海;谭劲松;韩涛;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括外延片、透明导电层、P型电极、N型电极，外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、有源层、P型层，透明导电层层叠在P型层上，N型电极设置在N型层上，P型电极设置在透明导电层上，芯片还包括由至少两种折射率不同的非Ag材料层组成的布拉格反射层、以及P型焊点、N型焊点，布拉格反射层层叠在外延片、透明导电层、N型电极、以及P型电极的与衬底相反的表面上，布拉格反射层中设置有至少两个沿芯片的生长方向的通孔，P型焊点通过至少一个通孔与P型电极连接，N型焊点通过至少一个通孔与N型电极连接。本发明避免了芯片亮度和良率降低的情况。
焊点布拉格反射层透明导电层外延片芯片衬底通孔倒装发光二极管芯片半导体技术领域生长方向透明导电依次层叠材料层折射率良率源层制造

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201510126600.7有效
发明人：徐瑾;金迎春;徐盛海;谭劲松;吴克敏;胡引;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，属于光电子制造技术领域，该发光二极管包括依次层叠的衬底、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO导电膜、分布布拉格反射层以及绝缘层，还包括P电极和N电极，P电极中第一P电极夹持于ITO导电膜与分布布拉格反射层之间，第二P电极夹持于分布布拉格反射层与绝缘层之间，第三P电极设置在绝缘层上，三个P电极相接触，N电极中第一N电极设置于N极孔中并与N型GaN层接触，第二N电极夹持于分布布拉格反射层与绝缘层之间，第三N电极设置在绝缘层上，三个N电极相接触，第一P电极与第一N电极间隔排列。该发光二极管中电流通道更短，增强了ITO的电流扩展效果。
一种发光二极管及其制造方法

[外观设计]中网本体(KY5)-CN201630427354.4有效
发明人：韩鸣;徐盛海 -专利权人：重庆长安跨越车辆有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称中网本体(KY5)。2．本外观设计产品的用途用作汽车零部件。3．本外观设计产品的设计要点在于产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
本体 ky5

[外观设计]左装饰条(KY5)-CN201630427355.9有效
发明人：韩鸣;徐盛海 -专利权人：重庆长安跨越车辆有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称左装饰条(KY5)。2．本外观设计产品的用途用作汽车零部件。3．本外观设计产品的设计要点在于产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
装饰 ky5

[外观设计]前保险杠本体(KY5)-CN201630427359.7有效
发明人：韩鸣;徐盛海 -专利权人：重庆长安跨越车辆有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称前保险杠本体(KY5)。2．本外观设计产品的用途用作汽车零部件。3．本外观设计产品的设计要点在于产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
保险杠本体 ky5

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