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[发明专利]具有微机械的时钟发生系统部件的系统-CN201980084865.1在审
发明人： T·吉塞尔曼;G·拉梅尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01C19/5776 文献下载
摘要：时钟发生系统部件(1)，所述时钟发生系统部件具有：微机械振动元件，所述微机械振动元件能够激励以固有频率(f_osc)振动；第一电路装置(2)，所述第一电路装置由所述振动元件的固有频率(f_osc)生成时钟频率(f_odr)，所述时钟频率预先调整为预给定的期望时钟频率(f_odr_nom)；存储装置(4)，所述存储装置用于所述时钟频率(f_odr)与所述期望时钟频率(F_odr_nom)的剩余的偏差(a_odr)，其中，对于所述时钟发生系统部件已单独确定所述偏差(a_odr)；处理装置(10)，所述处理装置基于所生成的时钟频率(f_odr)和所存储的偏差(a_odr)，为所述系统(100)的至少一部分生成参考时基。
具有微机时钟发生系统部件

[发明专利]传感器数据的处理方法、电子设备及可读存储介质-CN202111284471.6有效
发明人：段杨森 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F5/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种传感器数据的处理方法、电子设备及可读存储介质，涉及数据处理技术领域，目的在于校正传感器的ODR。具体方案为：获取一组原始传感器数据，其中原始传感器数据为传感器按照实际上报数据频率ODR上报的传感器数据。根据一组原始传感器数据、目标ODR以及所述实际ODR，计算得到一组目标传感器数据。由于目标传感器数据为预估传感器按照目标ODR上报的传感器数据，不存在ODR误差，因此应用使用目标ODR实现特定功能时，不会出现功能故障。
传感器数据处理方法电子设备可读存储介质

[发明专利]全空间ODR深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺-CN201910693448.9有效
发明人：张爽;刘源;徐盛海;戴江南;陈长清 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。
空间 odr 深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN201710774112.6有效
发明人：邬新根;刘英策;刘兆;李俊贤;吴奇隆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片制备方法在对衬底进行隐形切割之前，首先在衬底背离外延单元一侧表面形成ODR介质层，以避免全角度反射镜的ODR反射层对隐形切割激光的反射导致的隐形切割工艺无法进行的问题；然后再进行ODR反射层的制备，以和ODR介质层构成所述全角度反射层；最后对衬底进行劈裂，从而获得多个LED芯片，实现了将全角度反射镜与隐形切割技术结合以制备亮度较高的LED芯片的目的。并且由于隐形切割工艺介于ODR介质层和ODR反射层的形成工艺之间，避免了直接对衬底进行隐形切割而可能导致的破片率较高的问题，提升了LED芯片的制备良率。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]发信号通知用于串流视频数据的随机存取点-CN201180037742.6有效
发明人：陈盈;马尔塔·卡切维奇 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H04N21/2343 文献下载
摘要：根据这些技术，服务器装置可发信号通知电影表示的电影分段的开放解码刷新ODR随机存取点RAP。所述媒体分段的按解码次序在所述ODR RAP帧之后的至少一个帧可能不被正确解码，且其中所述媒体分段的按显示次序在所述ODR RAP帧之后的每一帧可在不依赖于按显示次序在所述ODR RAP之前的帧的内容的情况下被正确解码根据本发明的所述技术，客户端装置可基于所述ODR RAP的发信号通知来向服务器装置递送针对所述串流媒体数据的请求。还根据本发明的所述技术，客户端装置可基于所述ODR RAP的发信号通知来开始所述电影表示的解码和/或重放。
发信号通知用于串流视频数据随机存取

[发明专利]用于发射经编码视频数据的方法和装置-CN201610076249.X有效
发明人：陈盈;马尔塔·卡切维奇 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H04N21/845 文献下载
摘要：根据这些技术，服务器装置可发信号通知电影表示的电影分段的开放解码刷新ODR随机存取点RAP。所述媒体分段的按解码次序在所述ODR RAP帧之后的至少一个帧可能不被正确解码，且其中所述媒体分段的按显示次序在所述ODR RAP帧之后的每一帧可在不依赖于按显示次序在所述ODR RAP之前的帧的内容的情况下被正确解码根据本发明的所述技术，客户端装置可基于所述ODR RAP的发信号通知来向服务器装置递送针对所述串流媒体数据的请求。还根据本发明的所述技术，客户端装置可基于所述ODR RAP的发信号通知来开始所述电影表示的解码和/或重放。
用于发射编码视频数据方法装置

[实用新型]一种自带反射碗杯的红外LED芯片-CN201920511125.9有效
发明人：徐洲;王洪占;彭钰仁;张国庆;陈凯轩;蔡端俊 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请提供了一种自带反射碗杯的红外LED芯片，该自带反射碗杯的红外LED芯片通过在衬底中第二区域的侧壁和背面依次形成ODR介质层和ODR金属反射层，进而构成反射碗杯，使射向衬底的光线可以被反射，并从LED并且，ODR介质层和ODR金属反射层形成的结构在三维结构中实际为倒置四棱台型，类似于反射碗杯的功能，进而提高LED光取出率，降低能量损失。
反射碗红外LED芯片自带金属反射层介质层侧壁衬底取出第二区域能量损失三维结构四棱台型倒置上表面反射背面申请

[发明专利]一种自带反射碗杯的红外LED芯片及制作方法-CN201910299124.7在审
发明人：徐洲;王洪占;彭钰仁;张国庆;陈凯轩;蔡端俊 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请提供了一种自带反射碗杯的红外LED芯片及制作方法，该自带反射碗杯的红外LED芯片通过在衬底中第二区域的侧壁和背面依次形成ODR介质层和ODR金属反射层，进而构成反射碗杯，使射向衬底的光线可以被反射并且，ODR介质层和ODR金属反射层形成的结构在三维结构中实际为倒置四棱台型，类似于反射碗杯的功能，进而提高LED光取出率，降低能量损失。
反射碗红外LED芯片自带金属反射层介质层侧壁衬底取出第二区域能量损失三维结构四棱台型倒置上表面反射制作背面申请

[发明专利]视频编解码器中的缓冲器管理-CN201280011976.8有效
发明人：陈盈;马尔塔·卡切维奇 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H04N21/44 文献下载
摘要：在一个实例中，一种视频解码器经配置以：根据与视频数据的开放性解码刷新ODR图片相关联的数据来确定用于所述视频数据的先前图片的识别符；确定所述先前图片当前是否存储于参考图片存储器中；以及当所述先前图片未存储于所述参考图片存储器中时，仅解码所述视频数据的具有大于所述ODR图片的显示次序值的显示次序值的图片的数据。在另一实例中，一种视频编码器经配置以：编码开放性解码刷新ODR图片；确定具有小于所述ODR图片的显示次序值的显示次序值且具有等于零的时间识别符值的先前经译码图片；以及用信号发送表示所述所确定的先前经译码图片的识别符的用于所述ODR图片的语法数据。
视频编解码器中的缓冲器管理

[发明专利]一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201610461104.1在审
发明人：周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域。在采用DBR结构反射镜的倒装LED中，引入金属Ag作为金属焊盘材料，通过Ag/TiW/Pt/Au或Ni/Ag/TiW/Pt/Au来构成金属焊盘，令带有Ag的金属焊盘和DBR结构形成ODR结构，令大部分芯片发光面均有ODR结构。采用Ag焊盘的ODR结构来提升对不同角度的入射光的反射率，可以将反射率均值提高至95%以上，预计可以提高LED的亮度约1%。
一种简易 odr 结构倒装氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种反极性小孔发光的LED芯片及其制造方法-CN202211102187.7在审
发明人：赵鹏;马英杰;蔡和勋 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种反极性小孔发光的LED芯片及其制造方法，该LED芯片的外延层包括P型窗口层和MQW发光层，P型窗口层中第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度，可以限制电流扩展，提高发光效率；ODR介质膜层和ODR金属反射层构成外延层底部的ODR反射镜，外延层的侧壁上覆盖绝缘钝化层和N电极可以构成外延层侧壁的ODR反射镜，N电极还具有第一镂空区域，ODR反射镜可以用于反射光线，使得MQW发光层发出的光线只从第一镂空区域射出
一种极性小孔发光 led 芯片及其制造方法

[实用新型]一种反极性小孔发光的LED芯片-CN202222412532.9有效
发明人：赵鹏;马英杰;蔡和勋 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种反极性小孔发光的LED芯片，该LED芯片的外延层包括P型窗口层和MQW发光层，P型窗口层中第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度，可以限制电流扩展，提高发光效率；ODR介质膜层和ODR金属反射层构成外延层底部的ODR反射镜，外延层的侧壁上覆盖绝缘钝化层和N电极可以构成外延层侧壁的ODR反射镜，N电极还具有第一镂空区域，ODR反射镜可以用于反射光线，使得MQW发光层发出的光线只从第一镂空区域射出
一种极性小孔发光 led 芯片

[发明专利]LED芯片结构及其制备方法-CN202010651688.5在审
发明人：徐洲;王洪占;郭凤丽;吴奇隆;蔡和勋;蔡端俊 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：芯片结构包括：欧姆接触点金属结构；外延结构，包括第一导电类型窗口层，所述欧姆接触点金属结构形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述第一导电类型窗口层的表面除所述欧姆接触点金属结构以外的区域为粗化界面；ODR介质膜层，形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述ODR介质膜层与所述第一导电类型窗口层的粗化界面之间具有纳米孔洞；ODR金属反射层，形成于所述ODR介质膜层远离所述第一导电类型窗口层的表面。
led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法-CN201610725210.6有效
发明人：石峰;杨凯;林鸿亮;赵宇;田海军;李波;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明方法无需在ODR介质层内开孔，而是利用整面ODR介质层与键合层形成ODR全方位反射镜，使P面保证较高的反射水平；通过湿法腐蚀从N面刻蚀至P‑GaP层，在P‑GaP电流扩展层上淀积金属，光刻实现P‑Pad
一种水平电极倒装红光 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法-CN201910528502.4有效
发明人：窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平;韩春霞;林新茗 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及电子芯片技术领域，公开了一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上生长有第一欧姆接触层，第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱，第一ODR柱上蒸镀有镜面层，镜面层的侧壁生长有SiO2保护层，镜面层上蒸镀有外延片键合层，外延片键合层上设置有Si片，Si片上蒸镀金属形成有P‑contact；第二过渡层上生长有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层生长有第二ODR柱，第二ODR柱上蒸镀金属形成有N‑contact，N‑contact在第二ODR柱上表面设置有出光孔。
一种精简外延倒装 vcsel 芯片及其制造方法

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