[实用新型]一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片有效
| 申请号： | 201920856700.9 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN209896093U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张会雪;罗红波;徐盛海;张爽;刘源;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 42231 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片，包括蓝宝石衬底层、AlN层、N型AlGaN层、N电极层、P型GaN层和P电极层，其中，所述AlN层、所述N型AlGaN层、所述N电极层、所述P型GaN层和所述P电极层依次沉积于所述蓝宝石衬底层表面；所述P型GaN层包括复数个平行设置的第一条状结构，所述P电极层包括复数个平行设置的第二条状结构，所述第二条状结构设置于所述第一条状结构远离所述N电极层一侧。本实用新型通过将P型GaN层和P电极层设置成复数个平行设置的条状结构，有效增加侧壁出光面积，从而实现光萃取效率的提高；同时，该结构设计使电极线宽变窄，电流扩展距离变短，更有利于N‑P电极之间的电流扩展，减少电流拥堵效应。 | ||
| 搜索关键词： | 条状结构 平行设置 复数 蓝宝石衬底层 本实用新型 电流扩展 光萃取效率 深紫外LED 侧壁出光 电流拥堵 条形阵列 电极线 变窄 沉积 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片，其特征在于，包括蓝宝石衬底层、AlN层、N型AlGaN层、N电极层、P型GaN层和P电极层，其中，/n所述AlN层、所述N型AlGaN层、所述N电极层、所述P型GaN层和所述P电极层依次沉积于所述蓝宝石衬底层表面；/n所述P型GaN层包括复数个平行设置的第一条状结构，所述P电极层包括复数个平行设置的第二条状结构，所述第二条状结构设置于所述第一条状结构远离所述N电极层一侧。/n
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