专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种LED结构及其制作方法-CN201510114615.1有效
  • 孙传平;张宇;李起鸣;徐慧文 - 映瑞光电科技(上海)有限公司
  • 2015-03-16 - 2018-10-16 - H01L33/12
  • 本发明提供一种LED结构及其制作方法,所述LED结构自下而上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层,其中:所述蓝宝石衬底与所述缓冲层之间还形成有一AlN层,所述AlN层不连续。本发明的LED结构的制作方法在蓝宝石衬底上生长缓冲层之前,先用NH3在高温下处理蓝宝石衬底,使其表面生长一AlN薄层,之后再用H2高温处理,使所述AlN薄层部分残留,在蓝宝石衬底上形成含有AlN的低密度表层,从而实现更好的晶格过渡效果,进一步降低晶格失配对GaN外延层的影响,提高GaN生长晶体的质量,且该制作方法简单可靠。本发明得到的LED结构用于制作LED芯片,可以提高芯片亮度及电性品质。
  • 一种led结构及其制作方法
  • [发明专利]LED芯片结构及其制作方法-CN201510152736.5有效
  • 朱秀山;徐慧文;李智勇;朱广敏;余婷婷;张宇;李起鸣 - 映瑞光电科技(上海)有限公司
  • 2015-04-01 - 2018-10-02 - H01L33/00
  • 本发明提供一种LED芯片结构及其制作方法,其中制作方法包括:提供包括正面、背面的衬底;依次形成N型半导体层、有源层和P型半导体层;形成N电极、P电极;形成折射率小于衬底的折射率的缓冲层。LED芯片结构包括:衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层;与N型半导体层电连接的N电极以及与P型半导体层电连接的P电极;形成于衬底背面的缓冲层,缓冲层的折射率小于衬底的折射率。本发明的有益效果在于,增加折射率小于衬底的缓冲层,减小从衬底中透射出的光线可能产生的全反射的几率,这样能够减小光线在衬底表面发生全反射的几率,增加光线的透射率,进而提升LED芯片结构的亮度。
  • led芯片结构及其制作方法
  • [发明专利]一种垂直LED芯片结构及其制备方法-CN201610132852.5有效
  • 吕孟岩;徐慧文;李起鸣 - 映瑞光电科技(上海)有限公司
  • 2016-03-09 - 2018-09-18 - H01L33/00
  • 本发明提供一种垂直LED芯片制备方法包括:1)提供生长衬底,于生长衬底上形成外延层,2)于外延层上依次形成金属电极层及键合衬底;3)采用低能量激光剥离生长衬底,其中,相邻两小光斑间的重叠率超过50%。本发明还提供一种垂直LED芯片结构包括:键合衬底;依次位于键合衬底之上的金属电极层、P‑GaN层、多量子阱层及N‑GaN层;依次位于N‑GaN层表面的钝化层及N电极。本发明解决了现有技术中大尺寸LED芯片垂直制程中,键合后的晶圆内应力大,极易造成键合衬底破裂或形变严重,并对外延层结构及性能产生恶劣的微观影响直接导致严重漏电,致使成品率极低的问题。
  • 一种垂直led芯片结构及其制备方法
  • [发明专利]LED芯片及其制作方法-CN201510153145.X有效
  • 朱秀山;徐慧文;李智勇;朱广敏;余婷婷;张宇;李起鸣 - 映瑞光电科技(上海)有限公司
  • 2015-04-01 - 2018-08-28 - H01L33/46
  • 本发明提供一种LED芯片及其制作方法,制作方法包括:提供衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层;形成第一、第二透明导电层;形成功函数大于透明导电层的含银的金属反射层,其中位于第一透明导电层上的金属反射层为P电极,位于第二透明导电层上的金属反射层为N电极;LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层,第一、第二透明导电层;金属反射层,其中位于第一透明导电层上的金属反射层为P电极,位于第二透明导电层上的金属反射层为N电极。本发明的有益效果在于,降低P、N型半导体层与金属反射层之间的势垒高度,进而减小P、N型半导体层与金属反射层之间的欧姆接触,减小LED芯片的工作电压,增加LED芯片的发光效率。
  • led芯片及其制作方法
  • [实用新型]一种套圈结扎装置-CN201720289551.3有效
  • 唐志;徐慧文;范茗侨;丁小良;沙德青 - 南京微创医学科技股份有限公司
  • 2017-03-23 - 2018-04-27 - A61B17/12
  • 本实用新型公开了一种套圈结扎装置,包括第一拉索、第一拉环、第二拉索、第二拉环、套圈、套圈锁定装置、第一内管、第二内管和弹簧管,其特征在于,所述套圈锁定装置包括阻尼体、套圈锁上滑块和套圈锁下滑块,所述套圈一端为固定端,固定在套圈锁下滑块上,所述第一拉索通过第一拉环与固定在套圈锁下滑块上的线环相连,所述套圈另一端为自由端,自由端穿过套圈锁上滑块的中孔通过第二拉环与第二拉索相连,所述套圈锁上滑块具有滑块导向槽,滑块导向槽端部为突出平面高度的挡块结构,以限制套圈锁下滑块在套圈锁上滑块的滑块导向槽内运动,且不超出套圈锁上滑块两端的端面。
  • 一种结扎装置
  • [发明专利]高压倒装LED芯片及其制造方法-CN201510323808.8有效
  • 徐慧文;张宇;李起鸣 - 映瑞光电科技(上海)有限公司
  • 2015-06-12 - 2018-03-06 - H01L33/38
  • 一种高压倒装LED芯片及其制造方法。其中,所述高压倒装LED芯片包括两个以上的芯片单元区域;Mesa平台,每个所述芯片单元区域的所述Mesa具有第一沟槽;第一电极,相邻所述第一电极之间具有第二沟槽;第一绝缘层,所述第一绝缘层填充所述第二沟槽并部分填充所述第一沟槽,直至剩余所述第一沟槽保留为第三沟槽;位于所述第一绝缘层且暴露所述第一电极的第四沟槽;互联电极,所述互联电极填充所述第三沟槽和第四沟槽,相邻所述芯片单元区域之间,所述互联电极串联其中一个所述芯片单元区域的所述第一电极和另一个所述芯片单元区域的所述第一半导体层。所述高压倒装LED芯片结构性能提高,封装良率也提高。
  • 高压倒装led芯片及其制造方法
  • [发明专利]垂直型发光二极管-CN201610601672.7在审
  • 朱秀山;童玲;徐慧文 - 映瑞光电科技(上海)有限公司
  • 2016-07-27 - 2018-02-06 - H01L33/06
  • 一种垂直型发光二极管,包括堆叠层,包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和导电层,导电层与P型半导体层电连接;若干间隔分布的第一沟槽,位于堆叠层内,第一沟槽露出N型半导体层;第一绝缘层,覆盖在导电层上,并覆盖第一沟槽的侧壁;导电塞,位于第一沟槽内,并与N型半导体层电连接;导电衬底,覆盖在第一绝缘层及导电塞上,并与导电塞电连接;N电极,与导电衬底电连接;第二沟槽,位于堆叠层内,沿厚度方向至少依次贯穿N型半导体层、量子阱层、P型半导体层,并露出导电层;位于第二沟槽内的P电极,与导电层电连接。本发明发光二极管内的电流均匀分布、发光分布均匀、可靠性高。
  • 垂直发光二极管
  • [发明专利]动力机-CN201710594437.6在审
  • 徐慧文 - 徐慧文
  • 2017-07-13 - 2017-11-21 - H02K53/00
  • 本发明属于机械制造领域,主要由实心圆、上半圆、下半圆以及用于防止安全事故发生的钢圈和钢筋,然后是捆绑用的钢皮带,再就是用于得到电流的装置构成,安装时应注意把下半圆、实心圆、上半圆的南极放在一头,北极放在一头,因为这是永磁铁,此发明能解决人类的能源问题。
  • 动力机

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