“倒装LED芯片”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果917333个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]倒装LED芯片-CN201420853928.X有效
发明人：张昊翔;丁海生;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装LED芯片，在实用新型提供的倒装LED芯片中，通过合理设计LED衬底结构、层叠外延磊晶结构、阻挡层和电极，以及LED衬底结构、层叠外延磊晶结构、阻挡层和电极的搭配关系，在提高倒装LED芯片的发光亮度的同时，提高了其轴向发光亮度；同时，所采用的LED衬底结构还能更好地提高倒装LED芯片外延的晶体质量和倒装LED芯片的抗击穿能力，也更有利于倒装LED芯片性能和可靠性的提高；再者，在正装LED芯片中设置了二元阻挡层，所述二元阻挡层在提高发光亮度和发光均匀性的同时能够更好地控制倒装LED芯片内部光的传播方向。
倒装 led 芯片

[发明专利]倒装LED芯片-CN201811627021.0在审
发明人：沈铭 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片，包括：倒装LED芯片本体；以及间隔设置在所述倒装LED芯片本体正面上的奇数个条状通孔；其中，奇数个条状通孔中的一个条状通孔为中心条状通孔，其经过所述倒装LED芯片本体的中轴线本发明解决了由于顶针刺破所述倒装LED芯片中心条状通孔上的绝缘保护层而导致的倒装LED芯片出现漏电失效的问题。
倒装LED芯片通孔扩孔结构条状通孔中心条状插栓顶针绝缘保护层间隔设置条状凹槽漏电中轴线针刺贯穿

[实用新型]倒装LED芯片-CN201520009033.2有效
发明人：袁章洁;许顺成 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于衬底上；透明导电层，设置于外延层上；P型电极和N型电极，分别间隔设置于透明导电层与外延层上，N型电极还包括条状N型电极，条状N型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成；P型电极还包括条状P型电极，条状P型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成；绝缘层，设置于P型电极、N型电极与外延层上；焊盘，设置于绝缘层之上。本实用新型提供的倒装LED芯片中的各电极为枝条状，设置于倒装LED芯片的顶面上，使得电流在LED芯片中的运动面积更大，提高电流在芯片中的分别均匀性和扩散面积，提高发光亮度。
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN202022524302.2有效
发明人：赵进超;石时曼;田文 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装LED芯片，衬底的外侧壁的至少部分倾斜，利用第一反射层至少包裹衬底的外侧壁的倾斜部分，第一反射层将衬底侧面出射的光有效反射，增加了倒装LED芯片的轴向出光；进一步地，衬底的外侧壁的至少部分倾斜，在制备倒装LED芯片时可以利用外力实现衬底的裂片，避免使用激光划片时对芯片造成损伤，提升了倒装LED芯片的良率。
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN201520009023.9有效
发明人：袁章洁;许顺成 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于所述衬底上；透明导电层，设置于所述外延层上；电极与焊盘，设置于所述透明导电层顶面上，还包括布拉格绝缘反射层，所述布拉格绝缘反射层设置于所述电极与所述焊盘之间本实用新型提供的倒装LED芯片以布拉格反射层(DBR)替代常用的金属反射层，避免了使用Ag时导致的倒装LED芯片漏电率高、光衰严重的问题，采用枝条状电极结构相比传统开VIA孔结构制作P电极与N电极的倒装芯片结构，电流分布更均匀，使得本实用新型提供的倒装LED芯片结构的良率高，发光均匀性好，产品可靠性高，在中小功率芯片上尤为明显。
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN201520071245.3有效
发明人：王冬雷;陈顺利;莫庆伟 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：倒装LED芯片，包括衬底、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层，还包括：第一绝缘层、P型电极、N型电极、形成于P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽、第二绝缘层、第二绝缘层上形成有散热孔本实用新型在N型电极或P型电极上设置穿过第二绝缘层的导热柱，可以直接将热量向外导出或导出至P焊盘和N焊盘，不必再经过第二绝缘层，使芯片散热速度更快，散热效果更好。
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN201721796854.0有效
发明人：刘岩;孙雪敬;闫宝玉;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种倒装LED芯片，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域；设置在所述第一区域的第一反射层；和设置在所述第一反射层上的金属防护层；还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层
绝缘层半导体层反射层倒装LED芯片反射复合层第二区域第一区域衬底绝缘金属防护层透明绝缘层不重叠

[实用新型]倒装LED芯片-CN201620358438.1有效
发明人：张思藤;莫庆伟;陈顺利 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：倒装LED芯片，包括衬底以及位于衬底表面上彼此相互独立的多个芯片，每个芯片包括依次生长于衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有反射层；每个芯片的外延层及反射层表面形成有第一绝缘层第二N引线电极及第二绝缘层，第二绝缘层上形成有至少三个焊盘，三个焊盘分别与四个引线电极中的一个或两个相连，从而实现主发光二极管的焊盘和静电防护二级管的焊盘分开，以分别对主发光二极管和静电防护二极管进行LED
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN202021803721.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种倒装LED芯片，倒装LED芯片包括衬底和依次设于其上的半导体层、透明导电层和绝缘保护层，半导体层、透明导电层和绝缘保护层分别形成有贯通其上下表面的第一通孔、第二通孔和第三通孔，第一通孔通过分别设置第一通孔、第二通孔和第三通孔形成顶针伸入区，可使顶针在顶起LED芯片时，沿顶针伸入区进入到LED芯片正面内部，相抵于高硬度的衬底，而不会刺在薄而脆的绝缘保护层或导电层上，以避免所述绝缘保护层被尖锐的顶针扎破而使该层脱落
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN202022234878.5有效
发明人：赵进超;逯永建;李超 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装LED芯片，N电极引出端直接与N型半导体层电性连接，P电极引出端直接与电流扩展层和P型半导体层电性连接，N电极引出端和P电极引出端既作为电极引出端又充当欧姆接触层，省略了第一层金属，规避了绝缘反射层对第一层金属的覆盖差导致的裂纹或断层的问题，可以解决由于绝缘反射层产生裂纹或断层而导致的漏电问题，有利于提升倒装LED芯片的性能。P电极引出端直接与P型半导体层连接，增加了粘附力，提高了倒装LED芯片的推力。
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN201922013090.9有效
发明人：张晓平 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：公开了一种倒装LED芯片，包括：衬底；位于衬底表面上的外延层，外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，PN台阶，位于外延层中，其上台阶面为第二半导体层，下台阶面为第一半导体层，上台阶面和下台阶面连接形成本实用新型的倒装LED芯片大大缩小了反射镜层距PN台阶的侧面的距离，提高反光效率。
倒装 led 芯片

[实用新型]倒装LED芯片-CN202120117251.3有效
发明人：彭翔;金力;封波 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：生长衬底；半导体多层结构，表面形成有发光区域和电极区域；电极区域表面设置有贯穿连接至n型半导体层的n电极；发光区域表面设置有：反射结构，包括介电反射层及金属反射层
倒装 led 芯片

[实用新型]一种倒装RGB芯片的LED封装结构-CN201820418709.7有效
发明人：雷平川;袁瑞鸿;张智鸿;林纮洋;吴奕备;万喜红;雷玉厚 -专利权人：福建天电光电有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型提供一种倒装RGB芯片的LED封装结构，包括BT树脂基板、红色LED倒装芯片、绿色LED倒装芯片以及蓝色LED倒装芯片，所述BT树脂基板的正面和反面均设置有电镀层，所述红色LED倒装芯片、绿色LED倒装芯片、蓝色LED倒装芯片设置于所述BT树脂基板的电镀层上，且红色LED倒装芯片、绿色LED倒装芯片、蓝色LED倒装芯片通过助焊剂固定在BT树脂基板的电镀层上，使得红色LED倒装芯片、绿色LED倒装芯片、蓝色LED倒装芯片的PN结与BT树脂基板的电镀层相接合。本实用新型倒装结构RGB芯片可将产品尺寸做的更小,使显示屏分辨率更高。
倒装芯片基板红色LED 蓝色LED 绿色LED 电镀层本实用新型倒装显示屏分辨率倒装结构助焊剂接合

[发明专利]一种双色无限长灯带-CN202210834513.7在审
发明人：蒙兴春;戴轲 -专利权人：广东宇珈光电照明科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： F21S4/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双色无限长灯带，包括电路板、LED倒装芯片一、LED倒装芯片二，其特征在于：所述LED倒装芯片一及LED倒装芯片二间次排布于电路板上，且所述LED倒装芯片一及LED倒装芯片二通过荧光胶条封装LED倒装芯片一、LED倒装芯片二、CSP倒装芯片不仅体积小，成本低，而且通过荧光胶条混色导光后灯带发出的光不会出现颗粒感，提高了光效。
一种无限长灯带

[实用新型]一种双色无限长灯带-CN202221833219.6有效
发明人：蒙兴春;戴轲 -专利权人：广东宇珈光电照明科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： F21S4/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双色无限长灯带，包括电路板、LED倒装芯片一、LED倒装芯片二，其特征在于：所述LED倒装芯片一及LED倒装芯片二间次排布于电路板上，且所述LED倒装芯片一及LED倒装芯片二通过荧光胶条封装LED倒装芯片一、LED倒装芯片二、CSP倒装芯片不仅体积小，成本低，而且通过荧光胶条混色导光后灯带发出的光不会出现颗粒感，提高了光效。
一种无限长灯带

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条