[发明专利]垂直型发光二极管

摘要

一种垂直型发光二极管，包括堆叠层，包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和导电层，导电层与P型半导体层电连接；若干间隔分布的第一沟槽，位于堆叠层内，第一沟槽露出N型半导体层；第一绝缘层，覆盖在导电层上，并覆盖第一沟槽的侧壁；导电塞，位于第一沟槽内，并与N型半导体层电连接；导电衬底，覆盖在第一绝缘层及导电塞上，并与导电塞电连接；N电极，与导电衬底电连接；第二沟槽，位于堆叠层内，沿厚度方向至少依次贯穿N型半导体层、量子阱层、P型半导体层，并露出导电层；位于第二沟槽内的P电极，与导电层电连接。本发明发光二极管内的电流均匀分布、发光分布均匀、可靠性高。

主权项

一种垂直型发光二极管，其特征在于，包括：堆叠层，包括沿厚度方向依次堆叠设置的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和导电层，所述导电层与P型半导体层电连接；若干间隔分布的第一沟槽，位于所述堆叠层内，所述第一沟槽沿所述厚度方向至少依次贯穿所述导电层、P型半导体层、量子阱层，并露出所述N型半导体层；第一绝缘层，覆盖在所述导电层上，并覆盖所述第一沟槽的侧壁；导电塞，位于所述第一沟槽内，所述导电塞被所述第一沟槽侧壁上的第一绝缘层环绕，并与所述N型半导体层电连接；导电衬底，覆盖在所述第一绝缘层及导电塞上，并与所述导电塞电连接；N电极，覆盖在所述导电衬底背向第一绝缘层的表面，并与所述导电衬底电连接；第二沟槽，位于所述堆叠层内，沿所述厚度方向至少依次贯穿所述N型半导体层、量子阱层、P型半导体层，并露出所述导电层；位于所述第二沟槽内的P电极，与所述导电层电连接，所述P电极在垂直于所述厚度方向的方向上与所述N型半导体层、量子阱层、P型半导体层存在间隔。