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[发明专利]一种基于非平衡双BPSK的激光测距通信一体化实现方法-CN202211678385.8在审
发明人：姚鑫;蒙艳松;贺玉玲;张中英;王国永;焦仲科;卢樟健 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非平衡双BPSK的激光测距通信一体化实现方法，包括：在A星，发射激光器产生的激光通过1:n分束器后分别进入伪码测距支路和通信支路；伪码测距支路和通信支路各自经过BPSK调制器调制后，通过合束器合路进入光放模块，并经光学天线A发射出去；在B星，本振激光器产生的激光与经光学天线B接收的信号光经相干接收模块混频后，产生I、Q两路正交的中频信号并进入信号处理模块；通过信号处理模块对I、Q两路正交中频信号进行处理后，输出伪码测距值和通信数据。本发明能够在实现精密测距的同时，保证较高的通信速率，并且对通信链路的功率影响较小。相比传统的QPSK方案，能够分配更高比例的功率用于激光通信。
一种基于平衡 bpsk 激光测距通信一体化实现方法

[发明专利]高压紫外发光二极管及发光装置-CN202210351829.0在审
发明人：曾明俊;彭康伟;林素慧;江宾;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底和多个发光结构，多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接，各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，第一半导体层位于衬底与发光层之间，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上，其中，俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置，可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率，提升紫外发光二极管的可靠性，加强杀菌消毒能力。
高压紫外发光二极管发光装置

[发明专利]半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置-CN202180003070.0有效
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置，半导体发光元件包括半导体发光序列层和绝缘反射层，绝缘反射层包括n对介质对层，每一介质对均包括一第一材料层及一第二材料层，第一材料层的折射率小于第二材料层的折射率，其中，在m1对介质对层中，第一材料层的光学厚度均大于第二材料层的光学厚度，n≥m1≥0.5n。绝缘反射层的上述设置使其能够对半导体发光序列层发出的小角度(例如角度介于0～20°)光进行反射，大角度(例如角度介于45°～90°)光进行透射。由此可以大大减少半导体发光元件的正面出光，增加侧面出光，并且能够提高半导体发光元件的亮度。
半导体发光元件器件显示装置

[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法-CN202110831415.3有效
发明人：林素慧;黄敏;张中英;彭康伟;江宾;曾明俊;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管-CN202310857688.4在审
发明人：林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1Eg2Eg3。额外势垒能提供更好的局限效果，在元件操作时，处于外加偏压情形下所造成的能带倾斜，产生一高带隙势垒的凸出(potential barrier spike),藉由此一特殊能带差异设计，更能防止载流子溢流，增加辐射复合效率，提升亮度。
发光二极管

[发明专利]倒装发光二极管和发光装置-CN202310855872.5在审
发明人：刘士伟;徐瑾;张中英;石保军;王水杰;刘可 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管和发光装置，该倒装发光二极管包括衬底、以及位于衬底上的半导体发光单元；倒装发光二极管的中心区域处保留顶针作用的半导体堆叠层区域，形成半导体岛结构或者凸部，该半导体岛结构或者凸部所在区域作为顶针的作用区域平整，在顶针作用在上述区域时，刺破或顶破保护层风险降低。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管-CN202310858343.0在审
发明人：黄秀丽;王月娇;于艳玲;吴佳楠;张中英;蔡吉明;黄少华 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管，该发光二极管包括外延结构、反射结构、连接电极、中间电极以及焊盘电极。其中，连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，中间电极包括第一中间电极和第二中间电极，焊盘电极包括第一焊盘和第二焊盘。本申请通过在第一连接电极与第一焊盘之间设置第一中间电极，以及在第二连接电极与第二焊盘之间设置第二中间电极，利用中间电极提高焊盘电极与外部电极进行热压焊固晶过程中的稳定性，有效降低了现有技术中发光二极管在热压焊固晶过程中金锡合金与连接电极合金化导致发光二极管失效的风险。
发光二极管

[发明专利]发光二极管、LED芯粒及发光装置-CN202310879904.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;李俊贤;曾炜竣;张中英;蔡吉明;黄少华;贺春兰;潘子燕 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管、LED芯粒及发光装置，发光二极管包括：衬底；形成于衬底正面上外延层，包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；覆盖于外延层上方的保护层，其中，外延层被分割为若干芯粒，芯粒包括在横向和纵向上相交的横向侧壁和纵向侧壁，相邻芯粒之间形成切割道，切割道包括分别沿横向和纵向延伸的横向切割道和纵向切割道，保护层覆盖切割道和芯粒侧壁，横向切割道和纵向切割道的交叉区域的保护层设置有图形化结构，图形化结构包括向衬底延伸的凹槽。凹槽将裂片刀交点产生的裂纹限制在图形化结构内部，降低了裂片刀与保护层重复接触产生应力开裂的概率，并有效阻止裂纹延伸，避免切割的崩边崩角现象，确保了元件质量。
发光二极管 led 发光装置

[发明专利]发光元件及发光装置-CN202310952815.9在审
发明人：黄秀丽;于艳玲;王月娇;黄少华;蔡吉明;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别是提供一种发光元件及发光装置。发光元件包括：半导体结构，其包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面；连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面；第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面；以及焊盘电极，位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。
发光元件装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202310819370.7在审
发明人：陈大钟;徐瑾;刘士伟;石保军;王水杰;刘可;王强;张中英;黄文嘉;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及发光装置，该倒装发光二极管包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘；半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙，缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘。本申请将第一焊盘或者第二焊盘设置成具有缝隙的结构，在第一焊盘或者第二焊盘产生应力时，能够通过缝隙释放对应焊盘所产生的应力，避免对应焊盘在冷热环境转换过程中因应力较大而脱落，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310716701.4在审
发明人：曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极、第二接触电极和第一金属结构，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，第一金属结构覆盖第一接触电极和第一半导体层的上表面，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种破碎机油缸及其密封监测系统-CN201810695839.X有效
发明人：王又增;贾连辉;叶蕾;贺开伟;苏志学;郝素锋;徐金秋;张中英 -专利权人：中铁工程装备集团有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F15B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种破碎机油缸及其密封监测系统，包括油缸缸体和防护套（5），防护套（5）套设在油缸缸体外形成缸套（3）的伸缩轨道，且防护套（5）和油缸缸体之间形成油雾腔（25），在活塞杆（1）内与油雾腔（25）对应位置设置有呼吸口（7）和油气进口（8）；呼吸口（7）与第一油雾管线（26）连接，第一油雾管线（26）包括第一球阀（12）、压力表（13）、压力传感器（14）、储气罐（15）、第二球阀（16）、排气单项阀（17）和消音器（18）；油气进口（8）与第二油雾管线（27）连接，第二油雾管线（27）包括进气单项阀（9）、进气球阀（10）和气动三联件（11）。本发明提高泥水盾构施工效率。
一种破碎机油及其密封监测系统

[发明专利]发光装置及发光元件-CN202310680595.9在审
发明人：朱秀山;陈吉;李燕;荆琪;张中英;蔡吉明;卢志龙 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，包括：发光元件和波长转换层，所述发光元件发出的第一波长的光经所述波长转换层转换成第二波长的光和第三波长的光；其中，所述发光元件包括第一接触层，所述第一接触层对第三波长的反射率大于85%，从而可以增加经过波长转换层转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。
发光装置元件

[实用新型]一种高压发光二极管-CN202320590616.3有效
发明人：孙旭;陈亭玉;杨人龙;林兓兓;张中英 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管，包括：按照预设方向排列的n个发光单元，n≥2，各发光单元之间通过隔离槽隔离；桥接电极，位于所述隔离槽处，并将n个发光单元依次电性连接起来，通过依次连接的顺序定义第1发光单元至第n发光单元，其中，第n发光单元的面积最大。本实用新型可以提升高压发光二极管的抗负向静电冲击的能力，有效改善爆点问题，明显提高高压发光二极管的ESD能力和可靠性。
一种高压发光二极管

[发明专利]一种倒装LED芯片、LED封装模组及显示装置-CN202310806091.7在审
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;陈大钟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片、LED封装模组及显示装置，所述倒装LED芯片中：衬底的表面包括相互垂直的第一边和第二边；三个发光单元间隔设置于衬底上，第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元沿衬底表面的第一边的延伸方向依次排布；桥接电极设置于相邻两个发光单元上以及相邻发光单元之间，并串联相邻发光单元；第二发光单元在衬底的纵向投影均包括相互垂直的第一边缘和第二边缘，第一边缘与衬底的第二边对应平行，第一边缘的长度大于第二边缘的长度，第二发光单元的表面包括顶针作用区，第二边缘的长度大于或等于顶针的作用区的直径。本发明能够将顶针的作用力分布于第二发光单元表面，避免局部应力过大导致的芯片表面的绝缘层破裂的问题。
一种倒装 led 芯片封装模组显示装置

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