“张中英”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果278个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]盾构机主驱动油脂深孔加工中封堵断杆装置-CN202121471665.2有效
发明人：许发成;张中英;张文乐;刘喜康;王劲松 -专利权人：中铁工程装备集团盾构制造有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： F16J15/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及结构件深孔加工技术领域，特别涉及一种盾构机主驱动油脂深孔加工中封堵断杆装置，包含：用于连接主轴承的驱动箱体封堵环件，及安装在断裂钻杆油脂深孔内用于封闭断裂钻杆油脂深孔的堵杆，堵杆前端部延伸至断裂钻杆油脂深孔，堵杆后端部与封堵环件连接；所述堵杆上还设置有与主驱动油脂润滑径向油脂腔连通的油脂通孔。本实用新型结构简单、紧凑，设计科学、合理，堵杆安装到位后能够将断裂钻杆油脂腔端面完全封闭，可以确保断裂的钻杆即使松动也不会轴向窜动而堵塞油脂通道，夹杂在钻杆排屑通道内的铁屑也不会进入油脂腔而污染主轴承和驱动密封，同时可以确保油脂通道顺畅，具有较好的应用前景。
盾构机主驱动油脂加工封堵装置

[发明专利]DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板-CN202011306041.5有效
发明人：王庆;何敏游;栗伟;陈大钟;洪灵愿;林素慧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板，该DBR结构包括多个反射膜组，每一个反射膜组包括依次叠置的具有不同的折射率的第一材料层及第二材料层；多个反射膜组形成为第一膜堆结构及位于所述第一膜堆结构上方的第二膜堆结构，第一膜堆结构和第二膜堆结构均包括多个反射膜组；第二材料层包括氧化物，并且形成第一膜堆结构的第二材料层与形成第二膜堆结构的第二材料层的氧化物的氧含量不同。例如，第二膜堆结构的第二材料层的含氧量小于第一膜堆结构的第二材料层的氧含量。上述DBR结构中的第一膜堆结构实现对芯片内部的反射最大化，第二膜堆结构增加对布儒斯特角以及附近的光的吸收，从而降低芯片的正面透光率。
dbr 结构 led 芯片半导体发光器件制造方法显示面板

[实用新型]LED芯片结构-CN202121695789.9有效
发明人：乔斐;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型公开一种LED芯片结构，包括：LED芯片；第一尖端放电结构，位于所述LED芯片上；第二尖端放电结构，位于所述LED芯片上，与所述第一尖端放电结构具有间距；连接导线，位于所述LED芯片上，一端与所述第一尖端放电结构相连接，另一端与所述第二尖端放电结构相连接，以将第一尖端放电结构和第二尖端放电结构电连接。上述LED芯片结构，通过增设尖端放电结构，利用尖端放电和避雷针工作原理，可以将静电荷引流疏散至连接导线中，结构简单，并且可以有效地保护LED芯片工作结构不受静电冲击，从而提升LED芯片品质。
led 芯片结构

[实用新型]发光二极管和显示装置-CN202121849749.5有效
发明人：杨人龙;张平;林雅雯;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光二极管，包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；外延结构包括相对的第一表面及第二表面，第一表面具有至少一顶针作业区域；第一电极，至少包括第一焊盘电极，第一焊盘电极与第一半导体层电连接；第二电极，包括第二焊盘电极及第二接触电极，第二接触电极与第二半导体层电连接，第二焊盘电极与第二接触电极电连接；第二接触电极自第二焊盘电极绕开顶针作业区域，并向第一焊盘电极的方向延伸；绝缘层，覆盖外延结构及第二接触电极，绝缘层的上表面形成有与第二接触电极相对应的第一凸起结构；第一覆盖保护层，覆盖部分第一凸起结构。上述发光二极管可以降低外力对脆性薄膜的冲击风险。
发光二极管显示装置

[发明专利]发光二极管及其制造工艺-CN202111131491.X在审
发明人：黄敏;刘鹏;夏章艮;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造工艺，发光二极管包括衬底、外延结构以及绝缘层，外延结构设置在衬底上，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，外延结构具有四个侧壁，相邻两个侧壁的连接部分形成角；绝缘层覆盖在外延结构的上方、外延结构的侧壁以及外延结构周围的衬底上，绝缘层具有第一缺口，第一缺口位于衬底的上表面，且处于外延结构的至少一个角的周围。借此设置，可降低外延结构上产生黑点，保证发光二极管产品良率和性能。
发光二极管及其制造工艺

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202180003025.5在审
发明人：林宗民;张中英;黄苡叡;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述方法包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于该基板上表面之上的发光外延叠层，该发光外延叠层自基板一侧起包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；二、在所述LED晶圆的上表面定义切割道；三、采用激光沿所述基板的切割道进行切割：将激光聚焦于在所述基板的下表面形成表面孔洞，将激光聚焦于所述基板的内部形成内部孔洞，所述表面孔洞的直径大于所述内部孔洞的直径；四、将该LED晶圆沿着所述切割道分离为若干个LED芯片。在上述发光二极管的制作方法中，在基板的表面形成的表面孔洞的直径大于所述内部孔洞的直径，能够更好控制LED劈裂的崩边崩角，获得方正的LED芯片。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管和发光装置-CN202121631161.2有效
发明人：王绘凝;栗伟;夏宏伟;陈思河;陈功;洪灵愿;彭康伟;林素慧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置。本实用新型提供的发光二极管中，通过使电流扩展层的侧面与第二半导体层表面的夹角为10～40°，以达到有利于电流扩展层上覆盖层包覆的效果。提供的发光二极管制备方法中，通过在在所述第二半导体层上逐层溅射电流扩展层材料以生长电流扩展层，并在逐层溅射过程中逐渐减少氧气的通入量的方式，以实现电流扩展层的侧面与第二半导体层表面的夹角为10～40°，同时能够在退火后形成氧浓度分布均匀的电流扩展层。
一种发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置-CN202111076835.1在审
发明人： 张中英;黄苡叡;林宗民;谢昆达;吴霁圃;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置。所述发光二极管芯片，衬底，具有相对的上表面和下表面；外延结构，位于所述衬底的上表面之上，包括依次层叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘具有一定距离；绝缘反射层，至少覆盖部分所述外延结构，并沿所述外延结构外缘露出的区域延伸覆盖至部分所述衬底的上表面；所述绝缘反射层覆盖于所述衬底的上表面的边缘具有一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁相对于衬底的上表面的倾斜角θ大于等于60°；所述衬底的上表面的至少一部分区域具有不平坦结构。
一种发光二极管芯片发光装置显示装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202180003024.0在审
发明人：黄苡叡;林宗民;邓有财;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中制作方法包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于该基板上表面之上的发光外延叠层，该发光外延叠层自基板一侧起包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；二、在所述LED晶圆的上表面定义切割道，该切割道包括相互垂直的第一切割方向和第二切割方向；三、提供激光光束聚焦于所述基板内部，沿第一方向在所述基板内部的同一截面上形成X条切割线，沿第二方向在所述基板内部的同一截面上形成Y条切割线，其中yx0，且y≥3；四、将该LED晶圆沿着所述切割道分离为若干个LED芯片。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管芯片及发光装置-CN202121352903.8有效
发明人：杨人龙;张平;张丽明;邓有财;张中英;林宗民 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光二极管芯片及发光装置，发光二极管芯片包括外延结构层和形成于外延结构层上的第一电极、第二电极，外延结构层包括局部缺陷区域，局部缺陷区域的底部为第一导电型半导体层，局部缺陷区域的侧壁为第一导电类型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的侧壁；所述第一电极形成于第二导电型半导体层表面上方的第一部分以及延伸至局部缺陷区域的侧壁以及底部的第二部分，第一电极接触局部缺陷区域的侧壁的第一导电型半导体层以及底部的第一导电型半导体层；第二电极与第二导电型半导体层电性连接，以解决现有发光二极管芯片存在局部强电场和发光面积小的问题。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]一种发光二极管以及照明或显示装置-CN202110938282.X在审
发明人：石保军;徐瑾;刘士伟;陈大钟;王水杰;刘可;张中英;黄文嘉;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管以及照明或显示装置。所述发光二极管，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面具有多个凸起和位于所述多个凸起之间的凹陷部；位于所述衬底的第一表面上的外延发光层，所述外延发光层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述衬底的第一表面包括从外延发光层露出的第一区域以及被外延发光层覆盖的第二区域；所述第一区域的凹陷部底面低于所述第二区域的凹陷部底面；所述第一区域的凹陷部底面与所述第二区域的凹陷部底面的高度差h2在1μm以下。本发明提供一种具有高可靠性的发光二极管。
一种发光二极管以及照明显示装置

[发明专利]具有图案化基板的发光元件及其制作方法-CN201810579435.4有效
发明人： 张中英;王士玮;蔡政达 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种具有图案化基板的发光元件及其制作方法，其中该发光元件包含：一图案化基板以及一发光层。图案化基板具有多个锥形体，且两相邻锥形体之间具有一间距；发光层形成于多个锥形体上，且多个锥形体的顶部面积与底部面积的面积比小于0.0064。
具有图案化基板发光元件及其制作方法

[实用新型]LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置-CN202022650373.7有效
发明人：刘士伟;徐瑾;王水杰;刘可;张中英;曾合加 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置。所述LED芯片包括：衬底；第一台面结构和第二台面结构；至少一个跨接电流阻挡块，所述跨接电流阻挡块覆盖所述第一台面结构的部分上表面和部分侧面，并覆盖所述第一台面结构和第二台面结构之间的部分凹槽；跨接导电块，所述跨接导电块的个数与所述跨接电流阻挡块的个数相同，所述跨接导电块主体部分位于所述跨接电流阻挡块上，所述跨接导电块的第一端电连接所述第一台面结构的顶层，所述跨接导电块的第二端电连接所述第二台面结构的底层；第一导电垫和第二导电垫；所述跨接导电块的俯视投影与所述第一导电垫和第二导电垫的俯视投影没有重叠部分。所述LED芯片可靠性提高。
led 芯片封装模组显示装置

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN201911122389.6有效
发明人：陈柏羽;邓有财;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管，包含：与发光二极管的第一半导体层电连接的第一电极，与第二半导体层电连接的第二电极，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第一反射层和/或第二反射层包括的材料莫氏硬度不小于6，通过高硬度材料防止接垫层受外力挤压而变形压伤，提高发光二极管的可靠性。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202110759977.1在审
发明人：陈柏羽;邓有财;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包含与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第二反射层的材料包括铑、铂或者钌，第一反射层和第二反射层通过良好的应力特性制作大角度的电极结构，有利于提升发光二极管的光电特性，提升产品可靠性。
一种发光二极管及其制作方法