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[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711142504.7有效
发明人：大野广基;江头佳祐;五师源太郎;川渕洋介;北山将太郎;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统-CN201711248022.X有效
发明人：北山将太郎;五师源太郎;大野广基;江头佳祐;川渕洋介;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
处理装置清洗方法系统

[发明专利]液处理方法、基板处理装置以及存储介质-CN201710670286.8有效
发明人：中森光则;川渕洋介;增住拓朗;山下浩司;前田昭三 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种能够去除存在于基板的图案内的纯水来快速置换为溶剂的液处理方法、基板处理装置以及存储介质等。该液处理方法在对被水平保持并在表面形成有图案的基板供给纯水之后，对基板进行干燥，该液处理方法包括：纯水供给工序，向基板的表面供给纯水；加热溶剂供给工序，在所述纯水供给工序之后，以液体的状态向存在纯水的基板的表面供给被加热到水的沸点以上的温度的溶剂；以及去除工序，去除所述基板表面的溶剂来使所述基板干燥。
处理方法装置以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711066490.5有效
发明人：五师源太郎;江头佳祐;川渕洋介;清濑浩巳;增住拓朗;大野广基;束野宪人;丸本洋;北山将太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置-CN201810170355.3有效
发明人： 川渕洋介;五师源太郎;江头佳祐;大野广基;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;北山将太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
处理装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201680056032.0有效
发明人：江头浩司;山下刚秀;本田儀幸;吉田祐希;川渕洋介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。
处理装置方法

[发明专利]液处理方法和基板处理装置-CN201710086419.7有效
发明人： 川渕洋介;立花康三;中森光则;大石幸太郎;江头佳祐;田中幸二;稻富弘朗;山下刚秀;福田喜辉;山下浩司;钓船祐;增住拓朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
处理方法装置

[发明专利]基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质-CN201980008874.2在审
发明人： 川渕洋介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止图案倒塌并行使充满在形成于基片的图案的凹部中的升华性物质升华的基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质。第1单元包括：溶液供给部，其将含有升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到处理面(Wa)；和第1液除去部，其从被供给了升华性物质溶液的处理面(Wa)上除去溶剂和处理液，在处理面(Wa)上形成升华性物质的固体膜(SS)。第2单元包括：第2液除去部(61、62、63)，其对形成有固体膜(SS)的基片(W)进行加热，将基片(W)维持在比升华性物质的升华温度低的第1温度范围内的温度，由此使残存在固体膜(SS)内的溶剂和处理液70气化；和固体膜除去部(61、62、63)，其将基片(W)加热至升华温度以上的第2温度范围内的温度，由此将固体膜(SS)从处理面(Wa)上除去。
干燥装置方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201911012334.X在审
发明人： 川渕洋介;池田恭子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，该基板处理装置能够防止在从基板表面去除干燥液时发生图案破损。所述基板处理装置包括：基板保持部，其保持基板；干燥液供给部，其对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；温度调整部，其使基板的表面温度变化；以及控制部，其控制温度调整部。控制部控制温度调整部，以使被供给至基板的表面的干燥液的液膜产生温度差。
处理装置方法以及存储介质

[实用新型]基板处理装置-CN201920567123.1有效
发明人： 川渕洋介;河野央 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置，包括：基板旋转机构；处理液喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方；置换液喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方；以及惰性气体喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方。
基板旋转机构喷出部处理液喷出部基板处理装置本实用新型惰性气体置换液

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN201811324411.0在审
发明人： 川渕洋介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括形成工序和干燥工序。形成工序中，在基片的表面形成有机溶剂的液膜。干燥工序中，在使形成有液膜的基片的周围的气体密度大于空气的气体密度的状态下，加热基片以使基片干燥。本发明能够抑制使基片干燥时的图案劣化。
基片处理基片处理装置干燥工序基片干燥形成工序液膜密度大于空气表面形成加热基片有机溶剂劣化图案

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711067648.0在审
发明人：江头佳祐;川渕洋介;五师源太郎;大野广基;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;北山将太郎;冈村聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
供给线基板处理装置处理流体处理容器超临界状态存储介质基板处理节流过滤器第一过滤器流体供给源过滤性能临界压力临界状态气体状态微粒水平对基板开闭阀基板流动

[发明专利]基板液体处理装置以及基板液体处理方法-CN201010513671.X有效
发明人：田中裕司;南辉臣;川渕洋介;伊藤规宏;上村史洋;薮田贵士;小佐井一树;乌野崇;关口贤治;藤井康 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。
液体处理装置以及方法

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