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[发明专利]紫外线发光元件用外延晶圆、紫外线发光元件用金属贴合基板的制造方法、紫外线发光元件的制造方法、及紫外线发光元件阵列的制造方法-CN202180066639.8在审
发明人：山田雅人;石崎顺也;土屋庆太郎;久保田芳宏;川原实 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5x≤1)为主要成分的第一导电型包覆层、AlGaN类活性层、及以AlyGa1‑yN(0.5y≤1)为主要成分的第二导电型包覆层而成的外延层。由此，可提供一种紫外线发光元件用外延晶圆，其能够比以往价格低廉地制造高质量的深紫外线区域(UVC：200～250nm)的发光元件。
紫外线发光元件外延金属贴合制造方法阵列

[发明专利]大口径III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法-CN202180046066.2在审
发明人：久保田芳宏;川原实;山田雅人 -专利权人：信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及单晶的晶种层，其设置在平坦化层的上表面，在表面具有凹凸图案，且厚度为0.1μm以上且1.5μm以下。
口径 iii 氮化物外延生长用基板及其制造方法

[发明专利]III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法-CN202180041183.X在审
发明人：久保田芳宏;川原实;山田雅人 -专利权人：信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及晶种层，其设置在平坦化层的上表面，具有0.1μm以上且1.5μm以下的厚度，且由III族氮化物的单晶形成。
iii 氮化物外延生长用基板及其制造方法

[发明专利]微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法-CN202080060319.7在审
发明人：小川敬典;大堀敬司;上田修平;近藤和纪;小材利之;松本展明;北川太一;大竹滉平;川原实 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据微小结构体的转移方法，其至少包含：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。
微小结构转移方法安装

[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法-CN201480033929.2有效
发明人： 川原实;铃木金吾 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明是一种发光元件，其具有：四元发光层；第一窗层，其形成在该四元发光层的一侧的主表面侧；第二窗层，其形成在所述四元发光层的另一侧的主表面侧，其特征在于，所述四元发光层的侧面比所述第一窗层和所述第二窗层的侧面更向所述发光元件的内侧凹陷。由此，可减少被破坏而变成不亮的不良情况，并可抑制光辐射功率输出和Vf的变动的高亮度发光元件及其制造成为可能。 1
发光元件发光层窗层主表面光辐射功率侧面凹陷制造输出

[发明专利]植物育成用照明装置及植物育成方法-CN201580014018.X在审
发明人： 川原实;山田雅人 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： A01G7/00 文献下载
摘要：本发明是一种植物育成用照明装置，包含红光LED，发光波长为在600～680nm间；以及远红光LED或红外光LED，发光波长为在700～900nm间。该红光LED所发出红光与远红光LED或红外光LED所发出远红光及红外光系为能以脉冲状交互地照射。借此提供一种促进植物光合作用，植物生长良好的植物育成用照明装置及植物育成方法。
植物育成照明装置方法

[发明专利]磊晶晶圆以及发光二极管-CN201610130003.6在审
发明人：酒井健滋;池田淳;川原实 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶晶圆，能改善在发光波长为670nm以上且690nm以下的范围，自AlGaInp系材料所构成的发光部的发光效率。本发明的磊晶晶圆包含发光层，是由以化学式(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层所积层而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，该活性层为阱层与障壁层交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。
磊晶晶圆以及发光二极管

[发明专利]GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置-CN200780042434.6有效
发明人：森勇介;佐佐木孝友;川村史朗;吉村政志;川原实;北冈康夫;森下昌纪 -专利权人：国立大学法人大阪大学;财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。
gan 晶体制造方法半导体装置

[发明专利]碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SiC)单晶-CN200580005839.3无效
发明人：北冈康夫;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;川原实 -专利权人：松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
碳化硅 sic 制造方法以及通过得到

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