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[发明专利]一种发光二极管的芯片及制备方法-CN201711215176.9有效
发明人：程丁;丁涛;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的芯片及制备方法，属于光电子制造技术领域。芯片包括衬底、外延层、P型电极和N型电极。外延层形成在衬底上，P型电极设置在外延层的第一表面上，第一表面为外延层的远离衬底的表面，外延层上设置有电极凹槽，N型电极设置在电极凹槽内。第一表面的位于P型电极之外的区域设置有阵列布置的钴酸镍纳米线。通过在发光二极管芯片的外延层的第一表面上阵列布置钴酸镍纳米线，其中第一表面为外延层的远离衬底的表面，使外延层的第一表面的粗糙度增大，可以减少发光二极管发出的光线在第一表面处的全反射，从而提高发光二极管的光提取效率。
一种发光二极管芯片制备方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201810919463.6有效
发明人：程丁;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在电子阻挡层与P型GaN层之间设置包括交替层叠的氮化铟与氮化镓的超晶格结构，氮化铟与氮化镓的超晶格结构可起到减小外延层中的位错与缺陷的作用，可提高外延片的整体质量。并且由于超晶格结构内的氮化铟的势垒较低，因此空穴在移动至有源层中之前，会在超晶格结构内的氮化铟处大量积累，积累在超晶格结构内的大量空穴，提供了较大的空穴基数，使得能够同时进入有源层的空穴数量增加，进而使得在有源层内可与电子复合的空穴的数量增加，提高了有源层中的电子的复合效率，进而提高了发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201810982114.9有效
发明人：程丁;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与有源层之间设置有材料为掺杂Si的AlGaN层的电流扩展层。该电流扩展层中的Al组分沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，电流扩展层的势垒逐渐升高，对进入有源层的电子起到一定的阻挡作用的同时，也便于电子进入电流扩展层，电流扩展层的势垒不会过高，起到有效扩展电流的同时而也不会影响进入有源层与空穴进行复合的电子数量。与之结合的电流扩展层中Si元素的掺杂浓度沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，保证电流得到有效扩展的同时，同时增加电流扩展层在靠近有源层的一侧的电子数量，可提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201811603177.5有效
发明人：程丁;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型层。应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，每个InGaN层中的In组分沿InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小。则每个InGaN层的靠近GaN层的部分的In组分较低，可以使得InGaN层与GaN层之间的晶格更匹配，从而可以减少InGaN层与GaN层之间产生的压应力，提高应力释放层的晶体质量，进而提高LED的发光效率。同时每个InGaN层的中部In组分含量较高，可以有效释放N型层与有源层之间的压应力。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201811331954.5有效
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。将多个生长有AlN层的衬底摆放至MOCVD设备内分布在多个同心圆上的圆形凹槽内，控制AlN层上生长的GaN成核层的生长温度随同心圆的直径的增大而减小。随同心圆的直径的增大，GaN成核层的生长温度逐渐减小，圆形凹槽内的GaN成核层的的表面会由朝向圆心凹槽底面凹陷的状态变化至背离圆心凹槽底面向上凸起的状态，这种变化趋势与衬底表面出现的翘曲的变化趋势相反，因此GaN成核层的表面均较为完整，GaN成核层的表面翘曲与衬底表面的翘曲相互抵消，传递到InGaN/GaN多量子阱层的热量较为均匀，提高了InGaN/GaN多量子阱层发光波长的均匀性，进而可提高同批次得到的外延片的发光合格率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201810547184.1有效
发明人：胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、第二载流子阻挡层、有源层、第一载流子阻挡层和P型半导体层，N型半导体层、第二载流子阻挡层、有源层、第一载流子阻挡层和P型半导体层依次层叠在衬底上，第一载流子阻挡层的材料采用P型掺杂的氮化铝镓；第二载流子阻挡层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓；第二载流子阻挡层中铝的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐增大，第一载流子阻挡层中铝的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐减小。本发明尽可能使有源层中的载流子数量达到最大，促进载流子的辐射复合发光，提高LED的发光效率。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN201810634505.1有效
发明人：洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。通过将有源层中的垒层设置为包括依次层叠的InxGa1‑xN子垒层、AlaInyN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlcGa1‑cN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlaInyN子垒层、InxGa1‑xN子垒层，这种对称生长的垒层结构，在与阱层交替生长时，可减小外延层中整体积累的应力，同时也能够减小其在自身生长过程中引入的应力，进而减小外延层中由应力引起的压电极化现象，同时，垒层中分别设置在AlcGa1‑cN子垒层两侧的InxGa1‑xN子垒层可减小垒层整体与InGaN阱层之间的晶格失配，进一步减小有源层中的压电极化现象，进而减少有源层中的能带弯曲情况，增大电子和空穴波函数空间重叠，进而增大电子与空穴的有效辐射复合率，提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201810282509.8有效
发明人：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底和顺次层叠在衬底之上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，衬底为蓝宝石衬底，缓冲层包括层叠在衬底上的第一AlN层及至少一个层叠在第一AlN层上的复合层；复合层包括金属层及层叠在金属层上的第二AlN层；未掺杂的GaN层层叠在第三AlN层上；第三AlN层为最靠近未掺杂的GaN层的复合层中的第二AlN层；金属层由Ag、Au、Al或Cu制成。制备方法包括：提供衬底；在衬底上沉积缓冲层；顺次在第三AlN层上沉积未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。本发明能够提高外延层的晶体质量，并提高芯片的光提取效率，进而提高LED芯片的光电效率。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法-CN201811276028.2有效
发明人：王曼;李科;韦春余;陆香花;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个所述周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒；最靠近所述电子阻挡层的量子垒包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝镓，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化镁，所述第三子层的材料采用未掺杂的氮化镓。本发明可以提高电子和空穴的注入效率。
一种氮化发光二极管外延及其生长方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201811331970.4有效
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。将多个生长有AlN层的衬底摆放至MOCVD设备内分布在多个同心圆上的圆形凹槽内，控制AlN层上生长的GaN成核层的厚度随同心圆的直径的增大而减小。随同心圆的直径的增大，GaN成核层的厚度逐渐减小，圆形凹槽内的GaN成核层的的表面会由朝向圆心凹槽底面凹陷的状态变化至背离圆心凹槽底面向上凸起的状态，这种变化趋势与衬底表面出现的翘曲的变化趋势相反，因此GaN成核层的表面均较为完整，GaN成核层的表面翘曲与衬底表面的翘曲相互抵消，传递到InGaN/GaN多量子阱层的热量较为均匀，提高了InGaN/GaN多量子阱层发光波长的均匀性，进而可提高同批次得到的外延片的发光合格率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种适用于制作发光二极管的石墨基座-CN201610867833.7有效
发明人：周飚;胡任浩;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于制作发光二极管的石墨基座，属于半导体技术领域。所述石墨基座呈圆盘状，所述石墨基座上设有若干凹槽，所述凹槽的侧壁上设有用于将所述发光二极管悬空放置在所述凹槽内的若干凸块，所述凸块包括沿所述凹槽的延伸方向依次设置的第一台阶、第二台阶和第三台阶，所有所述第一台阶所围区域的面积大于所有所述第二台阶所围区域的面积，所有所述第二台阶所围区域的面积大于所述发光二极管的尺寸，所有所述第三台阶所围区域的面积小于所述发光二极管的尺寸。本发明提高了发光二极管的均匀性和边缘良率。
一种适用于制作发光二极管石墨基座

[发明专利]一种SMT投首自动化设备-CN201910951266.7在审
发明人：万忠民;黄泰明;周飚;刘万强;王雪彬;刘剑辉;柏亮 -专利权人：深圳市艺盛科五金电子有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B65C9/02 文献下载
摘要：一种投首自动化设备，包括机架、右端主输送线、左端主输送线、上载具输出线、下载具输入线、胶纸分离装置、旋转贴标装置、机械手装置、PCB板翻转组件、XY向运动模组；其中，所述右端主输送线包括皮带传送机构、承载板、第一顶升机构；所述承载板固定连接在所述第一顶升机构上；所述左端主输送线包括皮带传送机构、第二顶升机构、压紧板；所述压紧板设置在所述第二顶升机构的上方；所述PCB板翻转组件包括旋转电机、旋转轴、PCB吸板，所述PCB吸板上设置有多条吸盘固定条，所述吸盘固定条上固定有多个吸盘。不仅取代人工作业方式，降低工人受伤风险，同时也提高生产效率，并能够顺利与上、下游设备顺利对接，实现流水线作业。
顶升机构主输送线吸盘皮带传送机构翻转组件承载板固定条压紧板吸板左端人工作业方式机械手装置流水线作业自动化设备分离装置生产效率贴标装置下游设备旋转电机运动模组输出线输入线旋转轴胶纸下载受伤

[实用新型]一种可更换式结构不锈钢金属探针模组-CN201920315394.8有效
发明人：王锐;杜江涛;万忠民;周飚;谭国甫;陈曦;黄泰明 -专利权人：深圳市艺盛科五金电子有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可更换式结构不锈钢金属探针模组，涉及测试探针领域，包括针头、针管、缓冲弹簧、复位弹簧和旋紧螺丝，针管的一端固定设置有挡板，其另一端加工有内螺纹，旋紧螺丝与针管通过螺纹连接；针头包括针尖和滑块，滑块可滑动的设置于针管内，滑块的一端与针尖的一端连接，针尖穿过挡板，缓冲弹簧的两端分别与挡板和滑块接触设置，复位弹簧的两端分别与滑块和旋紧螺丝接触设置。其拆装简单、修复方便、制作成本低、使用寿命长、适用性广的可更换式结构不锈钢金属探针模组。
滑块针管挡板旋紧螺丝针尖可更换式结构不锈钢金属复位弹簧缓冲弹簧探针模组针头本实用新型测试探针滑块接触接触设置螺纹连接使用寿命一端连接可滑动内螺纹拆装穿过修复制作加工

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法-CN201711479868.4有效
发明人：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片还包括设置在AlN缓冲层和未掺杂的GaN层之间的插入层，插入层的生长温度为300～600℃；插入层为AlGaN/GaN结构，或者N个周期的AlGaN/GaN超晶格结构，2≤N≤20且N为整数。AlGaN子层的生长温度较低，所形成的晶粒越小且越密集，这些晶粒会拉伸形变使得间隙闭合，降低表面能，产生张应力，促使外延片向变凹的方向发展，从而改善外延片的翘曲。由于低温生长的AlGaN子层晶体质量不佳，故引入GaN子层可以湮灭大量的位错，提高外延片底层的晶体质量。
外延片氮化镓基发光二极管插入层子层晶粒半导体技术领域低温生长拉伸形变闭合表面能未掺杂张应力生长翘曲位错制造引入

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201811119425.9有效
发明人：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。将AlN层设置为包括AlN底层结构与设置在AlN底层结构上的多个锥状结构，AlN层中的锥状结构的侧壁会对N型GaN层中的位错进行阻挡，减少能够移动至锥形结构之上生长的N型GaN层的位错的数量，保证在锥形结构之上生长的N型GaN层质量，进而提高在N型GaN层上生长的外延薄膜的晶体质量，最终提高发光二极管的发光效率。
发光二极管底层结构锥形结构锥状结构外延片位错制备生长发光效率外延薄膜侧壁阻挡移动制造保证

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