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[发明专利]一种拍摄图片的方法及设备-CN201810096146.9有效
发明人：杨青河;周飚;何琦;闫三峰 -专利权人：青岛海信移动通信技术股份有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术领域，特别涉及一种拍摄图片的方法及设备，用以解决在有些场景下拍摄得到的图片经过HDR处理之后，会出现异常的人造效果，图片质量较差的问题。本发明实施例使用预设的曝光参数，采集待拍摄对象的原始图片；将原始图片划分为多个子区域，确定每个子区域的亮度值，并将亮度值的差值不大于临界值的相邻子区域进行合并处理，得到组成原始图片的多个目标区域；针对任意一个目标区域，根据预设的曝光参数、原始图片中像素点亮度值的平均值，以及目标区域中像素点亮度值的平均值，确定目标区域对应的曝光参数，并使用曝光参数采集待拍摄对象的合成图片；根据采集到的合成图片，合成待拍摄对象的目标图片。
一种拍摄图片方法设备

[发明专利]外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法-CN201810547183.7有效
发明人：胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的第一圆形底面上设有多个凹槽，所述第一圆形底面上、以及所述多个凹槽内均铺设有碳化硅层；所述碳化硅层的上表面的第一区域的平整度小于所述碳化硅层的上表面的第二区域的平整度，所述第一区域为所述碳化硅层的上表面的非中心区域，且所述第一区域在所述石墨基座的第二圆形底面的投影真包含于所述第一圆形底面在所述第二圆形底面的投影，所述第二圆形底面为与所述第一圆形底面相反的表面，所述第二区域为所述碳化硅层的上表面除所述第一区域之外的区域。本发明可实现对各个衬底外延生长情况的准确监控。
外延生长石墨基座利用监测方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法-CN201910815397.2有效
发明人：洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的多量子阱层的每个量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱子层、第二量子阱子层和第三量子阱子层，第二量子阱子层的In/Ga比大于等于第一量子阱子层和第三量子阱子层的In/Ga比；第一量子阱子层中掺有Si；每个量子垒层均包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层；第二量子垒子层的Si/Ga比大于等于第一量子垒子层和第三量子垒子层的Si/Ga比。该发光二极管外延片可以改善多量子阱层中的能带倾斜现象，增加电子和空穴的波函数在空间分布上的重叠度，提高LED的内量子效率。
发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法-CN201811276029.7有效
发明人：王曼;张琰琰;陆香花;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述氮化镓基发光二极管外延片还包括电子调整层，所述电子调整层设置在所述应力释放层和所述有源层之间；所述电子调整层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓，所述电子调整层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减小。本发明通过可以提高有源层中电子和空穴的复合发光效率。
一种氮化发光二极管外延及其生长方法

[发明专利]一种终端设备和相机资源共享方法-CN201911331030.X在审
发明人：司书山;周飚;周春萌 -专利权人：青岛海信移动通信技术股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本申请提供一种终端设备和相机资源共享方法，涉及图像采集技术领域。当外设接口连接有外接摄像头时，处理器响应开启内置摄像头的操作，先确定外接摄像头的状态。如果外接摄像头处于开启状态，控制外接摄像头释放公共相机资源，并开启内置摄像头，以避免外接摄像头正在占用公共相机资源时，内置摄像头再次调用公共相机资源，避免公共相机资源发生冲突。
一种终端设备相机资源共享方法

[发明专利]具有自动清粪功能的养殖设备、清粪方法及存储介质-CN202110181831.3在审
发明人：黄辉;郑昌海;周飚;许博雅 -专利权人：五邑大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： A01K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了具有自动清粪功能的养殖设备、清粪方法及存储介质；其中养殖设备包括养殖架、检测装置、水幕式冲洗器和控制器，养殖架设有排泄区，检测装置用于检测排泄区是否存在排泄物，控制器被配置为：响应于检测装置的表示排泄区存在排泄物的第一信号，控制水幕式冲洗器以贴近排泄区的状态对排泄区进行水幕式冲洗；通过检测装置能及时发现排泄物，通过水幕式冲洗器以低压喷水且与排泄区距离近，避免水溅射，减少细菌随水飞溅传播，有利于营造健康的养殖环境。
具有自动功能养殖设备方法存储介质

[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201811098835.X有效
发明人：洪威威;王倩;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。AlN层在衬底上生长的多次溅射过程中，使磁控溅射设备的溅射功率逐渐递减可使磁控溅射设备中离子轰击磁控溅射设备中Al靶材的速率逐渐降低，进而使得Al原子的动能逐渐降低，Al原子在衬底上生长时沿其沉积方向生长的速率降低，Al原子更容易在衬底上横向生长，得到的AlN层的表面平整性较好，且由于AlN层的沉积速度逐渐降低，相较于快速生长得到的AlN层会产生的缺陷更少，AlN层的质量得到保证，外延层整体的质量可得到保证，发光二极管的发光效率可得到提高。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]谐振腔发光二极管及其制造方法-CN201910215605.5有效
发明人：顾俊;胡任浩;胡加辉;周飚 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振腔发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述谐振腔发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、钝化层，所述P型层和所述透明导电层上均设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述衬底的远离所述N型层的一面设有下反射镜层，所述钝化层上设有上反射镜层。此时可以通过提高Al在GaN中的掺杂浓度即可达到下反射镜高反射率的要求。由于下反射镜层设置在衬底的远离N型层的一面上，因此提高Al的浓度不会影响RCLED的外延质量。
谐振腔发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201811451158.5有效
发明人：洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。向反应腔内通入三甲基镓，三甲基镓作用在AlN层上，三甲基镓中的镓原子会被AlN层远离衬底的表面上势能较低的微坑吸引，镓原子填充进AlN层上的微坑，使得AlN层的表面较为平整；而间断性地通入三甲基镓，可避免镓原子填充过度使微坑处出现凸起，使AlN层远离衬底的表面的粗糙度减小，保证AlN层上生长的三维GaN成核层的表面平整度，进而保证整个外延片的表面平整度，有利于提高发光二极管的发光均匀度。而镓原子填充AlN层上的微坑，也可避免AlN层在微坑处的缺陷转移至三维GaN成核层中，提高三维GaN成核层的质量，有利于保证外延片的晶体质量，进而提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]基于补光的图像处理方法、装置、移动终端和存储介质-CN201811014395.5有效
发明人：周飚;于江;杨青河 -专利权人：青岛海信移动通信技术股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H04N9/64 文献下载
摘要：本发明实施例提供了基于补光的图像处理方法、装置、移动终端和存储介质，所述方法包括：当启动所述摄像头时，在所述屏幕中显示白色的底色图像数据，以发射设定色温的光线；在指定的存储区域读取设定数据，所述设定数据为针对所述屏幕的色温设置的色彩增益；在所述色温的光线下，调用所述摄像头采集候选图像数据；根据所述色彩增益校正所述候选图像数据的色彩，获得目标图像数据。针对屏幕的色温设置相应的色彩增益gain，可以校正因屏幕色温差异导致的色彩偏差，实现了针对屏幕个性化差异的色彩调节，保正采集到的图像数据色温正常。
基于图像处理方法装置移动终端存储介质

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法-CN201811063190.6有效
发明人：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供至少两种衬底，衬底上设有掺杂氧元素的氮化铝层，至少两种衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度不同；提供一石墨基座，石墨基座上设有多个口袋；在每个口袋中放置一个衬底，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度相同，分布在至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度自至少两个同心圆的圆心沿至少两个同心圆的径向逐渐减少；同时在每个口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。本发明可使得所有口袋中形成的外延片的翘曲一致。
一种氮化发光二极管外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法-CN201811137764.X有效
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供至少两种设有氮化铝层的衬底，各种衬底上的氮化铝层的厚度不同；提供一石墨基座，石墨基座上设有多个口袋；在每个口袋中放置一个衬底，衬底上的氮化铝层朝向口袋的开口，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层的厚度相同，分布在至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层的厚度自至少两个同心圆的圆心沿至少两个同心圆的径向逐渐减少；在每个口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。本发明可使得所有口袋中形成的外延片的翘曲一致。
一种氮化发光二极管外延生长方法

[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法-CN201910035234.2有效
发明人：王曼;孙正;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型层，其中，多量子阱层包括多层InGaN层和多层AlxGa1‑xN层交替层叠形成的周期结构，其中，0＜x＜0.5，多层AlxGa1‑xN层中掺杂有Si，从n型GaN层一侧向p型层一侧，多层AlxGa1‑xN层中的Al的组分含量和Si的掺杂浓度均逐渐增大。可以减缓电子从n型GaN层一侧注入多量子阱层的速度，促进电子的横向扩展，提高电子和空穴在多量子阱层中的复合效率，从而使LED的发光效率得到进一步提高。
发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法-CN201811390203.0有效
发明人：洪威威;王倩;董彬忠;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：提供一衬底；将衬底放入PVD设备中，在衬底上沉积AlN缓冲层；将沉积有AlN缓冲层的衬底放入碱性溶液中，碱性溶液与AlN缓冲层反应，使AlN缓冲层的表面为Al极性面；将沉积有AlN缓冲层的衬底放入MOCVD设备中，在AlN缓冲层的Al极性面上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。当AlN缓冲层表面为Al极性面时，与未掺杂的GaN层之间的晶格匹配度更高。因此本发明提供的制造方法可以提高AlN缓冲层与GaN层之间的晶格匹配度，从而提高生长出的发光二极管外延片的晶体质量，进而提高LED的发光效率。
一种发光二极管外延制造方法

[发明专利]石墨基座-CN201910307319.1有效
发明人：胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨基座，属于半导体技术领域。石墨基座为圆盘形结构，石墨基座的第一圆形端面设有多个用于容纳外延片的圆形槽和至少一个第一环形槽，石墨基座的第二圆形端面设有至少一个第二环形槽；第一圆形端面上的所有圆形槽的圆心位于至少两个同心圆上，至少两个同心圆的圆心、至少一个第一环形槽的圆心与第一圆形端面的圆心重合，至少一个第二环形槽的圆心与第二圆形端面的圆心重合，至少一个第二环形槽的总体积大于至少一个第一环形槽的总体积。本发明可以均匀释放石墨基座同一表面热膨胀产生的应力，同时弥补石墨基座两个圆形端面热膨胀产生的应力差异，有效避免石墨基座在应力作用下变成凹型，提高同一石墨基座形成的外延片的均匀性。
石墨基座

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