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[发明专利]基于定截距变焦环泵浦正交偏振可调控涡旋双环激光器-CN202310760389.9在审
发明人：吕彦飞;张倩;夏菁;贾梦涵;李雨昭;杨睿;史衍丽 -专利权人：云南大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明公开了基于定截距变焦环泵浦正交偏振可调控涡旋双环激光器，包括光纤耦合输出的半导体激光阵列(1)、平凸透镜(2)、定截距变焦环泵浦光束产生系统(3)、第一圆锥镜(4)、激光增益介质(5)、V形晶体圆锥镜(6)、平面镜(7)和第二圆锥镜(8)；实现正交偏振可调控涡旋双环激光输出，激光涡旋相位的拓扑荷数可以连续调节，利用定截距变焦环泵浦系统使激光器在调节过程中保持高的模式匹配度，激光束所携带的自旋角动量和轨道角动量可以提高粒子囚禁效率和减小光束带给生物细胞热损伤，充分发挥内环切向、外环径向的双重偏振特性，在实现粒子捕获的同时又能进行高分辨成像，可以极大拓展矢量涡旋光场在生物医学领域中的应用。
基于定截距变焦环泵浦正交偏振调控涡旋激光器

[发明专利]一种平面空心涡旋光场激光器-CN202310764598.0在审
发明人：吕彦飞;夏菁;李雨昭;杨睿;史衍丽;张晋 -专利权人：云南大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面空心涡旋光场激光器，包括光纤耦合输出的半导体激光阵列(1)、平凸透镜(2)、轴锥透镜(3)、激光增益介质(4)和轴锥透镜(5)。光纤耦合输出的半导体激光阵列(1)为激光器的泵浦源；泵浦光束耦合系统由平凸透镜(2)和轴锥透镜(3)组成，产生聚焦圆环形光束用于激发涡旋相位激光在谐振腔内运转；轴锥透镜(3)锥面和轴锥透镜(5)圆柱面构成激光器的谐振腔，用于获取中心为圆形的空心平面涡旋光场激光。平面空心涡旋光场激光可以用于圆筒形材料的内侧加工和切割、高精度的平面扫描或平面抛光等领域。
一种平面空心涡旋激光器

[发明专利]一种抑制电串音的InGaAs红外焦平面探测器制备方法-CN202211170142.3在审
发明人：张家鑫;石慧;史衍丽;贾凯凯 -专利权人：山西国惠光电科技有限公司;云南大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种抑制电串音的InGaAs红外焦平面探测器制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤S1：选取InP衬底；步骤S2：沉积第一氮化硅层；步骤S3：沉积第二氮化硅层；步骤S4：沉积P型金属层A；沉积P型金属层B；步骤S5：去除N电极区域的第二氮化硅层和第一氮化硅层；步骤S6：去除N电极区域的N型InP冒层和In0.53Ga0.47As吸收层；步骤S7：沉积第三氮化硅层；步骤S8：沉积连接金属层；步骤S9：沉积UBM金属层；步骤S10：沉积增透膜；步骤S11：沉积铟柱；步骤S12：倒装互联。本发明有效解决了现有InGaAs红外焦平面探测器制备方法在抑制电串音的同时会导致InGaAs红外焦平面探测器的量子效率和探测率大大降低的问题。
一种抑制串音 ingaas 红外平面探测器制备方法

[发明专利]一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺-CN202010937303.1有效
发明人：张家鑫;史衍丽;石慧;郭金萍;贾凯凯;王伟;刘璐;郭文姬;高炜;刘建林;徐文艾 -专利权人：山西国惠光电科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，为了增大红外光的吸收效率，通过在像素之间增加Ti/Au反射层，使得未被InGaAs吸收层吸收的红外光不能穿透芯片照射到读出电路上，而是经过Ti/Au反射层后，红外光被反射回去，又被InGaAs吸收层二次吸收，这样提高了器件的光吸收率，进而提高芯片的探测效率。
一种新型 ingaas 红外平面探测器制备工艺

[发明专利]一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法-CN202010895867.3有效
发明人：张家鑫;史衍丽;石慧;郭金萍;贾凯凯;王伟;刘璐;郭文姬;高炜;刘建林;徐文艾 -专利权人：山西国惠光电科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。本发明解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.将InGaAs光电二极管阵列和读出电路进行倒装互联；b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底；c.去除InGaAs刻蚀停止层；d.涂覆正光刻胶层；e.刻蚀形成上下贯通的第一窗口；f.湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口；g.去除剩余的正光刻胶层；h.沉积增透膜。本发明适用于双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。
一种新型 ingaas 红外平面探测器制备方法

[发明专利]双脉冲叠加雪崩信号提取方法-CN202110381873.1有效
发明人： 史衍丽;刘辰;叶海峰;黄润宇;侯泽鹏 -专利权人：云南大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双脉冲叠加雪崩信号提取方法，在正常门控信号的工作条件下，采用一个通道负责提供APD的门控脉冲信号，另一个提供用于雪崩信号叠加突出的正相脉冲信号。本发明适用于常规和变形SPADs电容尖峰噪声信号下的雪崩信号提取，适用面广；提取雪崩信号时无需放大器，简化了电路，同时避免了放大器元件引入电路产生的额外噪声；可以工作在更小门控宽度的门控淬灭电路中，相较于同步门方法，要求APD上下两个电容尖峰之间需要平坦，该方法能有效地提取雪崩信号，大大地提高了APD的工作频率；降低了电路设计成本和电路排布限制，使SPADs的成本降低。
脉冲叠加雪崩信号提取方法

[发明专利]一种自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管-CN202010728040.3在审
发明人： 史衍丽;杨雪艳;朱泓遐;刘辰 -专利权人：云南大学
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，包括外延结构，所述外延结构包括InP衬底，InGaAs吸收层，InGaAsP缓冲层，倍增区，势垒区以及外延集成在器件表面的淬灭薄膜电阻。本发明的外延结构无需使用外部淬灭电路在保证器件性能的同时，加入内部势垒区对雪崩电流进行淬灭，同时在外部外延集成的淬灭薄膜电阻进行二次淬灭，两次淬灭既保证了雪崩电流淬灭完全又抑制了增益的波动性，同时也简化了器件的外部电路，可用于自由运行模式。
一种自由运行模式负反馈雪崩光电二极管

[发明专利]一种高偏振纯度可调偏振方向的旋转对称偏振空心激光器-CN201910065979.3有效
发明人：吕彦飞;史衍丽;夏菁;杨睿;刘会龙;胡总华 -专利权人：云南大学
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高偏振纯度可调偏振方向的旋转对称偏振空心激光器，包括依次设置的负圆锥镜(1)、正圆锥镜(2)、激光增益介质(3)、平面反射镜(4)、旋光晶体正圆锥(7)和旋光晶体负圆锥(8)；平面反射镜(4)下方设置有耦合光学系统(5)和半导体激光阵列(6)；激光增益介质(3)、正圆锥镜(2)、负圆锥镜(1)、旋光晶体正圆锥(7)和旋光晶体负圆锥(8)构成激光谐振腔，激光增益介质(3)的右端面为激光谐振腔的输入镜，旋光晶体负圆锥(8)作为激光谐振腔的输出耦合镜。本发明使激光器输出光束横截面光强中心具有较大暗斑尺寸，偏振分布呈旋转对称分布且偏振方向连续可调，提高了空心激光束的偏振纯度和光束质量。
偏振旋光晶体正圆锥激光增益介质激光谐振腔旋转对称圆锥平面反射镜激光器高偏振圆锥镜可调半导体激光阵列激光器输出光束耦合光学系统空心激光束输出耦合镜连续可调偏振分布依次设置输入镜右端面暗斑光强

[发明专利]一种同时输出的双波长空心激光器-CN201910066066.3有效
发明人：吕彦飞;夏菁;史衍丽;刘会龙;胡总华;薛蒙;李泽宇;陈婷婷 -专利权人：云南大学
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时输出的双波长空心激光器，包括从左至右依次设置的平面输出耦合镜(1)、V形圆锥镜(2)、正圆锥镜(3)、激光增益介质(4)、平面反射镜(5)和负圆锥镜(8)；所述平面反射镜(5)的正下方设置有耦合光学系统(6)和半导体激光阵列(7)；所述激光增益介质(4)、正圆锥镜(3)、V形圆锥镜(2)、负圆锥镜(8)和平面输出耦合镜(1)构成激光谐振腔，所述激光增益介质(4)的右端面为激光谐振腔的输入镜，平面输出耦合镜(1)作为激光谐振腔的输出镜。本发明中，激光器输出光束横截面光强中心具有较大暗斑尺寸的同心圆环，且同心圆环的内外环的波长不同，增加了空心光束的应用前景。
圆锥镜激光增益介质激光谐振腔平面输出耦合镜平面反射镜同心圆环激光器双波长正圆锥半导体激光阵列激光器输出光束耦合光学系统输出耦合镜空心光束依次设置输出内外环输出镜输入镜右端面波长暗斑光强应用

[发明专利]一种去除InP半导体材料衬底的方法-CN201910474957.2在审
发明人： 史衍丽;郝常华;王健 -专利权人：云南大学
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除InP半导体材料衬底的方法，属于半导体材料领域。通过化学腐蚀一步到位，可腐蚀高达350μm以上厚度的衬底，其中盐酸和磷酸按照1：1的混合物，且在35℃的条件下腐蚀，对于625μm厚度的InP半导体材料衬底腐蚀时间缩短了将近10h，大大提高了生产效率；减少被腐蚀的半导体材料的机械损伤和应力，免去了传统的物理去除、机械去除和化学腐蚀相互结合的繁琐制作工艺，使去除衬底更加简单快速，切实降低了产品的报废率并提升了成品率和器件的优良品质。
半导体材料衬底腐蚀去除化学腐蚀半导体材料领域机械去除机械损伤生产效率时间缩短物理去除一步到位制作工艺混合物报废率成品率传统的磷酸盐酸

[发明专利]非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法-CN201210405847.9无效
发明人： 史衍丽;余连杰;何雯瑾;邓功荣;李雄军;杨丽丽;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接。其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。该探测器的最佳工作温度在近室温，利用两级半导体制冷即可，降低了红外探测器组件的重量、功耗及制作成本。
晶态碲镉汞硅异质结红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法-CN201010129133.0有效
发明人：莫镜辉;李雄军;史衍丽 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法，其特征在于在真空腔体内，把探测器芯片固定在样品台上，将样品台倾角调整为4.5°，样品台温度设置为10℃，然后对真空腔体抽真空，使真空度达到6×10-4Pa；向真空腔体内通入工作气体，并将气体流量设定为4.0sccm～5.0sccm之间，工作压力设定为1.5×10-2Pa～2.0×10-2Pa；设置离子源参数：离子束能量为150eV～200eV，离子束流为40mA～60mA，中和电流为50mA～80mA；升起离子源与样品台间的挡板，对探测器芯片的非晶碲镉汞表面进行刻蚀清洗，清洗时间为30s～60s。本发明能显著改善钝化膜与光敏元之间以及上电极与光敏元之间的附着力，提高非晶碲镉汞红外探测器的成品率。
一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法

[发明专利]非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器-CN200910163261.4有效
发明人： 史衍丽;姬荣斌;李凡;何雯瑾;邓功荣;杨瑞宇;康蓉;彭曼泽 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器，其特征在于：由读出电路，铝电极，下电极，光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极，铝电极上设计有凹槽，在凹槽内沉积金属下电极，下电极通过铝电极与读出电路连接，在读出电路、铝电极以及下电极三个部分的表面上设计有光敏层，在光敏层上沉积金属上电极。该探测器可用于红外波段和可见光波段。通过实验测试证明：本发明能简化焦平面探测器制造工艺，消除探测器芯片和读出电路两者的材料差异，避免探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变，使单片集成式焦平面探测器的可靠性得到显著改善，并使探测器具有较高的外量子效率。
非晶碲镉汞单片集成平面探测器

[发明专利]一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法-CN200910163262.9有效
发明人： 史衍丽;庄继胜;余连杰;杨丽丽;孔令德;李雄军;莫镜辉;孙祥乐 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀(光敏面成型)；I.去胶清洗；J.光刻；K.干法刻蚀(表面清洁)；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗(上电极金属成型)。通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。
一种非晶碲镉汞单片集成平面探测器制造方法

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