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[发明专利]AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法-CN201911379222.8有效
发明人：肖和平;朱迪;谭立龙;张炳伟;邢振远 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法，涉及半导体技术领域。AlGaInP基发光二极管芯片包括P型电流扩展层和ITO透明导电层，ITO透明导电层包括设置在P型电流扩展层上的第一子层和设置在第一子层上的第二子层，第一子层的功函数大于第二子层，ITO透明导电层的载流子浓度沿ITO透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；P型电流扩展层为P型GaP层，P型电流扩展层的厚度为80~100nm。该ITO透明导电层与P型电流扩展层之间可以形成良好的欧姆接触，提高电流的注入效率，从而可以减薄P型电流扩展层的厚度，降低P型电流扩展层对光的吸收，进一步提高LED的发光效率。
algainp 发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN201911049401.5有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将发光二极管外延片中的InGaN/GaN多量子阱层设置为包括多个交替层叠的第一复合单元与第二复合单元。第一复合单元包括层叠的第一InGaN阱层与第一GaN垒层，第二复合单元包括层叠的第二InGaN阱层与第二GaN垒层，第一InGaN阱层的厚度小于第二InGaN阱层的厚度，第二InGaN阱层保证InGaN/GaN多量子阱层的发光效率，厚度小于第二InGaN阱层的第一InGaN阱层，则可以在保证发光效率的同时减小第二InGaN阱层中的In含量，减小第一InGaN阱层会带来的极化效应。设置厚度大于第一GaN垒层的第二GaN垒层起到阻挡电子的作用，保证在InGaN/GaN多量子阱层中复合的电子与空穴的数量，整体提高InGaN/GaN多量子阱层的发光效应。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管的芯片及其制备方法-CN201910541972.4有效
发明人：张春莲;李俊生;胡根水;孙虎 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。这种结构的发光二极管的芯片中，将电流阻挡层划分为分别与p电极的焊盘及电极手指接触的第一部分与第二部分，并且电极手指在衬底的表面上的正投影位于第二部分在衬底上的正投影内，电极手指在衬底的表面上的正投影的面积小于第二部分在衬底上的正投影的面积。电流阻挡层的第二部分可以较好地实现对电极手指所在区域的电流的扩展，也可减弱电极手指所在区域出现电流过于集中而在外延层中出现击穿孔洞的情况，减少外延层中会出现的发光异常情况。发光二极管的芯片中电流扩展效率提高，发光异常情况减少，芯片整体的发光均匀度会提高。
发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片-CN202110006545.3在审
发明人：张圣君;胡根水;孙虎;李俊生 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本公开提供了发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片，属于发光二极管制作领域。电极包括第一Ni电极金属层之前的金属层，温度变化时，附着在光刻胶上的Ni金属的整体体积大幅收缩，使电极制备孔远离外延层的开口缓慢扩大，部分第一Ni电极金属层蒸镀到外延层，对第一Ni电极金属层之前的金属层进行包覆，避免电极金属之间相互渗透。后续第一Pt电极金属层、第二Ni电极金属层、第二Pt电极金属层、Au电极金属层也会出现放热情况，促进Ni金属缓慢收缩、光刻胶收缩，电极制备孔的开口缓慢扩大，每一层金属都可以部分蒸镀到外延层上，并对前一层电极金属进行包覆，避免间隔的金属层之间相互渗透的情况出现，保证电极的正常使用。
发光二极管芯片制备方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201811098835.X有效
发明人：洪威威;王倩;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。AlN层在衬底上生长的多次溅射过程中，使磁控溅射设备的溅射功率逐渐递减可使磁控溅射设备中离子轰击磁控溅射设备中Al靶材的速率逐渐降低，进而使得Al原子的动能逐渐降低，Al原子在衬底上生长时沿其沉积方向生长的速率降低，Al原子更容易在衬底上横向生长，得到的AlN层的表面平整性较好，且由于AlN层的沉积速度逐渐降低，相较于快速生长得到的AlN层会产生的缺陷更少，AlN层的质量得到保证，外延层整体的质量可得到保证，发光二极管的发光效率可得到提高。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]砷化镓基红外发光二极管芯片及其制备方法-CN201910781393.7有效
发明人：王世俊;赵秀梅;邢振远;董耀尽;李彤 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓基红外发光二极管芯片及其制备方法，属于红外发光二极管领域。方法：制备GaAs基红外发光二极管LED芯片坯，芯片坯包括N型欧姆接触层、顺次层叠在N型欧姆接触层上的N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型AlGaAs电流扩展层、P型GaP电流扩展层和P型欧姆接触层，N型粗化层包括顺次层叠在N型欧姆接触层上的AlGaInP粗化引导层、AlGaAs粗化层和GaInP粗化限制层，在N型欧姆接触层上制作N型电极，去除N型欧姆接触层中除N型电极覆盖的区域之外的区域，对N型粗化层中露出N型欧姆接触层的区域进行粗化处理，以使AlGaInP粗化引导层和AlGaAs粗化层中沿GaAs基红外LED芯片坯的长度方向贯穿有多个孔洞。
砷化镓基红外发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片-CN201911134389.8有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放入反应室内；在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层由依次层叠的m个第一复合层和n个第二复合层组成，每个第一复合层由依次层叠的InGaN阱层、GaN垒层、AlInGaN插入层和InGaN插入层组成；第一复合层中各层的生长温度依次为T1、T2、T3和T4，T1＜T4＜T3＜T2；第一复合层中各层的生长速率依次为V1、V2、V3、V4，V1＝V2＜V3＝V4。本公开可有效减小LED发光波长的蓝移量。
发光二极管外延生长方法

[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法-CN202011329187.1在审
发明人：曹阳;陆香花;丁涛;吕蒙普;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型层、有源层和P型层，所述氮化镓基发光二极管外延片还包括位于所述缓冲层和所述N型层之间的复合层，所述复合层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为U型GaN层，所述第二子层为AlN层，所述第三子层为掺Si的GaN层，所述第四子层为U型GaN层。该氮化镓基发光二极管外延片可以有效堵住底层漏电通道，提升底层长晶质量，减小反向漏电流，提升LED芯片良率。
氮化发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法-CN201911159247.7有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层包括多层周期交替生长的量子阱层和量子垒层，每层所述量子阱层均包括第一子层和生长在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为InGaN层，所述第二子层为掺Si的InN层。通过在第二子层中掺入Si有利于量子阱层中In的富集，使得量子阱层中的自发辐射强度增加、有效能带宽度增大，从而可以降低droop效应，提高二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片-CN201811211085.2有效
发明人：刘旺平;张武斌;乔楠;胡加辉 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供蓝宝石衬底；采用物理气相沉积方法在蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上。本发明能够在蓝宝石衬底上形成厚度均匀的AlN薄膜，改善发光二极管外延片的波长均匀性。
一种 aln 模板及其制备方法发光二极管外延

[发明专利]发光二极管芯片分档色差的检验方法和装置-CN201910154889.1有效
发明人：林云真;陈建南;马双彪;顾小云;吴志浩;王力明;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G01J3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片分档色差的检验方法和装置，属于半导体技术领域。所述检验方法包括：获取发光二极管芯片的色坐标值、以及所述发光二极管芯片的色坐标值对应的显示参数值；当所述发光二极管芯片的色坐标值在为第一档位设定的色坐标值范围内时，判定所述发光二极管芯片属于所述第一档位，所述第一档位为用于发光二极管芯片分档的任意一个档位；按照属于所述第一档位的各个发光二极管芯片的色坐标值对应的显示参数值分别生成颜色块，并将属于所述第一档位的多个发光二极管芯片生成的颜色块排列形成的图像输出，以检验属于所述第一档位的多个发光二极管芯片是否存在色差。本发明可以实现LED芯片的有效分档，充分满足市场的要求。
发光二极管芯片分档色差检验方法装置

[发明专利]石墨基座和MOCVD设备-CN202011065399.3在审
发明人：陈张笑雄;葛永晖;梅劲;郭炳磊;卢云霞 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，所述多个外延片容置槽沿所述第一圆形端面径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面的圆心重合，所述弧面凹槽均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽之间的第一圆形端面上，所述弧面凹槽的内表面呈球冠状。本公开通过石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，弧面凹槽均匀间隔布置于外延片容置槽之间的第一圆形端面上提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性。
石墨基座 mocvd 设备

[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制造方法-CN202011145203.1在审
发明人：乔楠;李昱桦;刘源 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层，所述紫外发光二极管还包括设置在所述N型层和所述有源层之间的应力释放层，所述应力释放层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为低温InGaN子层，所述第二子层为变温AlInGaN层，所述第三子层为高温AlGaN层。紫外发光二极管外延片可以优化V型坑的开口大小，提高LED的内量子发光效率，同时提高外延片晶体质量。
紫外发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]微型发光二极管外延片的生长方法-CN202011012272.5在审
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；在衬底上生长N型层包括：在衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层；其中，向反应室内通入氢气和硅烷，在高温条件下生长第一N型层，第一N型层为掺Si的GaN层；停止向反应室内通入氢气和硅烷，同时降低反应室内温度，在第一N型层上生长第二N型层，第二N型层为不掺杂的GaN层。采用该生长方法可以反复多次释放N型层中的应力，大大改善外延片的翘曲，使得微型发光二极管各项参数的一致性更好，满足微型发光二极管各项参数的高一致性的要求。
微型发光二极管外延生长方法

[发明专利]小间距发光二极管的外延片及其制造方法-CN201910773000.8有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;胡加辉;李鹏;吴志浩 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种小间距发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的第一超晶格结构和第二超晶格结构，第一超晶格结构和第二超晶格结构中量子阱的材料采用氮化铟镓；第二超晶格结构中量子垒包括交替层叠的(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，第一子层、第二子层和第一超晶格结构中量子垒的材料采用掺杂硅的氮化镓；第一子层中硅的掺杂浓度、第二子层中硅的掺杂浓度分别为第一超晶格结构中量子垒中硅的掺杂浓度的11倍～20倍、5倍～10倍。本发明发光波长在不同电流下的变化幅度较小，可满足影院HDR的显示要求。
间距发光二极管外延及其制造方法