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[发明专利]清洗光刻版的辅助载具和光刻版清洗机-CN201810380557.0有效
发明人：黄杰 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明公开了清洗光刻版的辅助载具和光刻版清洗机，属于光刻版加工领域。将辅助载具设置为包括载板及至少2个压块，载板上设置有安装槽，光刻版平行放置在安装槽内。在清洗机对光刻版进行清洗时，固定放置在清洗机上的辅助载具随载台一同旋转。至少2个的压块的转动轴均位于压块的中部，并将其分为第一部分与第二部分，第一部分与第二部分分别延伸至安装槽的上方与下方，其重心设置在第二部分上，在辅助载具的旋转过程中，便于压块将光刻版压紧在载板上对光刻版进行固定，使得光刻版不会脱离载台而受损。
清洗光刻辅助

[发明专利]金属有机化学气相沉积设备及其使用方法-CN202110983017.3在审
发明人：袁将峰;招晨;刘华明 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种金属有机化学气相沉积设备及其使用方法，属于外延生长技术领域。调节部件为一端与反应腔的顶部相连的环形挡板，环形挡板的内周壁与外周壁均为光滑柱面，在环形挡板的内周壁去除了气体缓冲环的存在，提高反应腔内气场的稳定性与分布均匀性。环形挡板整体套在加热部件外，且环形挡板的高度大于加热部件的高度而低于外延托盘的最小高度，反应腔内的气体的热量也会相对较为均匀，温度均匀传递至气体也可以提高气体的温场与流畅稳定性，代替缓冲环的导流作用。最终可以有效提高反应腔内的气流分布均匀度以及温度分布均匀度。
金属有机化学沉积设备及其使用方法

[发明专利]用于等离子刻蚀机的托盘及等离子刻蚀机-CN202110604185.7在审
发明人：葛丁壹;翁伟;孟令芳 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于等离子刻蚀机的托盘及等离子刻蚀机，属于半导体技术领域。所述托盘包括：托盘本体和多组定位组件，所述多组定位组件呈环形排列在所述托盘本体的上表面上，每组所述定位组件均包括用于对晶圆定位的多个定位销，每组所述定位组件中的所述多个定位销围绕形成晶圆放置区域，所述晶圆放置区域的外轮廓与所述晶圆的外轮廓相同。采用该托盘可以提高LED芯片干法刻蚀的均匀性。
用于等离子刻蚀托盘

[发明专利]降低电压的发光二极管芯片及其制备方法-CN202110856930.7在审
发明人：陶刚;李俊生;胡根水;孙虎 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了降低电压的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延片中的覆盖电流阻挡层的复合透明导电层包括依次层叠的第一透明导电子层与第二透明导电子层。第一透明导电子层覆盖电流阻挡层所有表面，第一透明导电子层具有与衬底的表面平行的第一表面，第二透明导电子层在衬底的表面的正投影的外轮廓与电流阻挡层在衬底的表面的正投影的外轮廓重合，电流的传递整体较为均匀。第二透明导电子层与p电极连通，形成良好的欧姆接触的同时实现电流的良好传导。电流整体遇到的体电阻降低，发光二极管外延片整体所需的电压则得到降低，出光率提高，亮度也得到提高。
降低电压发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管模组、显示阵列及其制作方法-CN202010116271.9有效
发明人：兰叶;吴志浩;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管模组、显示阵列及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管模组包括电路板和呈圆柱状的像素单元，所述像素单元竖直设置在所述电路板上；所述像素单元内设有呈辐射状的隔离槽，所述隔离槽将所述像素单元划分为多个呈扇形状的发光结构；所述发光结构属于红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的一种芯片，多个所述发光结构包括属于红光芯片的发光结构、属于绿光结构的发光结构和属于蓝光芯片的发光结构，属于同一种芯片的相邻两个所述发光结构之间的圆心角相等。本公开可以有效提高像素单元发出光线的均匀性，改善像素单元的发光效果。
发光二极管模组显示阵列及其制作方法

[发明专利]芯片扩膜方法-CN202011386401.7有效
发明人：李浩然;肖千宇;蔡永成;闫俊辰;薛康;张少峰;王斌 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了芯片扩膜方法，属于发光二极管技术领域。如果第一承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，需要进行调整操作，对第一承载膜进行加热，作为热收缩膜的第一承载膜缩膜，直至第一承载膜上每两个相邻的发光二极管芯粒之间的间距均为零；将第一承载膜上的多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜并对第二承载膜进行扩膜，使每两个相邻的发光二极管芯粒之间的距离均相等。若第二承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，则重复以上步骤，直至第二承载膜上多个发光二极管芯粒分布均匀。相对于传统方式中，发光二极管芯粒排列不整齐就需要重新排列或直接报废的情况，可以大幅度提高发光二极管的制备效率并降低发光二极管的制备成本。
芯片方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202011506700.X有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在第一n型GaN层上增加了SiO2调节层，SiO2调节层包括在第一n型GaN层的表面间隔分布的多个同心SiO2调节圆环，多个同心SiO2调节圆环的圆心为第一n型GaN层的表面的圆心，每个SiO2调节圆环均包括多个等距离间隔分布的多个SiO2调节柱。SiO2调节柱的直径随SiO2调节圆环的直径的增加而减小，衬底的圆心附近的第二n型GaN层的生长会略快于衬底的边缘附近的第二n型GaN层的生长，由此抵消由温度导致的边缘附近区域与圆心附近区域会形成的厚度差。使得第二n型GaN层整体生长的厚度更为均匀，提高发光二极管的发光均匀度。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的粘片方法-CN202110815204.0在审
发明人：丁博文;蒋科;管成龙;李钊;葛新荣;胡根水;李俊生 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的粘片方法。该粘片方法包括：在粘片机台的陶瓷盘的表面上加入石蜡；将待粘片的发光二极管外延片放置在所述陶瓷盘的表面上，所述发光二极管外延片的正面朝向所述陶瓷盘；在粘片机台的压轴的端面设置圆形垫片，所述圆形垫片的中心线与所述发光二极管外延片的中心线重合；控制所述压轴对所述发光二极管外延片施压，使所述发光二极管外延片固定在所述陶瓷盘的表面上。本公开实施例能够改善粘片后石蜡层厚度不均匀的问题，有效避免减薄切削后发光二极管外延片的厚度不一致、亮度不均的不良现象。
发光二极管外延方法

[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法-CN202010731331.8有效
发明人：从颖;姚振;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、过渡层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述过渡层、所述未掺杂氮化镓层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述过渡层包括复合层，所述复合层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠在所述缓冲层上；每个所述第一子层为掺杂Si的AlN层，每个所述第二子层为掺杂Mg的AlN层。本公开可以有效提高外延片的晶体质量。
发光二极管外延及其生长方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法-CN202010699049.6有效
发明人：王群;郭磊磊;葛永晖;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极；所述缓冲层铺设在所述衬底上，所述未掺杂氮化镓层铺设在所述缓冲层上；所述N型半导体层和所述P型半导体层间隔设置在所述未掺杂氮化镓层上；所述N型半导体层和所述P型半导体层之间形成凹槽，所述凹槽呈倒梯形棱柱状；所述有源层铺设在所述凹槽的内壁上；所述N型电极设置在所述N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上。本公开可以提高LED芯片的正面出光效率。
发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片、芯片及其制备方法-CN202010693608.2有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和插入半导体层，缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层、P型半导体层依次层叠在衬底上，插入半导体层位于缓冲层和未掺杂氮化镓层之间；插入半导体层内具有多个空腔，每个空腔贯穿插入半导体层；多个空腔间隔分布在第一表面上，第一表面为缓冲层远离衬底的表面；每个空腔的横截面的面积沿远离第一表面的方向先减小后增大，横截面为空腔平行于第一表面的截面。本公开有利于将射向芯片非正面的光线反射到芯片正面射出，提高LED的正面出光效率。
发光二极管外延芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202011040882.6有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层均掺杂有n型杂质，用于提供用于复合的电子。电子在第一石墨烯层与第二石墨烯层中也具有较高的迁移速率。电子的迁移速率得到增加，进入有源层的电子的速率增加，因此可以将n型层中的n型杂质的浓度减小至6E17～8E18/cm‑3。电子迁移速率加快，弥补第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层中因n型杂质的减少而带来的电子总量的减少，不会影响发光二极管的发光效率。而n型杂质的减少会使得第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层的晶体质量提高，最终有效提高有源层的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管显示面板-CN201910117967.0有效
发明人：叶青贤;向光胜;杨中和 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管显示面板，该发光二极管显示面板包括载板和沿行方向排列的多列发光二极管芯片，同一列发光二极管芯片包括颜色相同的多个发光二极管芯片，相邻列的发光二极管芯片的颜色不同，颜色相同的发光二极管芯片产自不同的多个晶圆。由于颜色相同的发光二极管芯片产自不同的多个晶圆，产自不同晶圆的同一颜色的发光二极管芯片，主发光波长、亮度等发光参数也有一定的区别，由于有产自多种晶圆的同一颜色的发光二极管芯片，减弱了发光二极管芯片之间的距离与发光二极管芯片的发光参数之间的关系，从而可以提高发光二极管显示面板整体的显示效果。
发光二极管显示面板

[发明专利]红黄光发光二极管芯片及其制备方法-CN202110631577.2在审
发明人：肖和平;朱志佳;王瑞瑞;朱迪 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法。该红黄光发光二极管芯片中n型层、多量子阱层、p型层和第一透明导电层依次层叠设置在衬底上，第一透明导电层的边缘具有露出n型层的凹槽，n型电极位于n型层表面，且位于凹槽的底部；钝化层覆盖在第一透明导电层和凹槽的表面，钝化层位于第一透明导电层上的区域设有开口；第二透明导电层层叠于钝化层和第一透明导电层上，且部分位于凹槽中，第二透明导电层通过开口与第一透明导电层电连接，p型电极设置在第二透明导电层上，且p型电极位于凹槽内。本公开实施例能够缩减p型层中载流子的流动路径，提高红黄光发光二极管芯片的注入效率，且改善发光二极管的发光效率。
红黄光发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法-CN202110529994.6在审
发明人：石祥生;邢振远;王世俊;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本公开提供了具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法，属于红光二极管制作领域。在衬底与n型AlInP限制层之间增加反射结构，反射结构本身反射的光线的波长范围为600～900nm，反射结构可以包括依次层叠的n个布拉格反射镜，每个布拉格反射镜所反射的光线的波长逐渐增加，对几乎红光波长范围内的所有光线进行反射，有效保证红光二极管的出光效率。在布拉格反射镜的数量较多的情况下，也可以大幅度提高对不是垂直入射的光线的反射率，最终有效提高红光二极管的外量子效率以提高红光二极管的出光效率。
具有反射结构红光二极管芯片及其制备方法