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[发明专利]腔盖及金属有机化学气相沉积设备-CN202211367782.3在审
发明人：陈张笑雄;薛涛;王群 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种腔盖及金属有机化学气相沉积设备，属于半导体技术领域。该腔盖包括外环部、内环部和驱动部。外环部具有多个外MO源管道和多个外载体管道；内环部位于外环部内，且与外环部同心布置，内环部具有多个内MO源管道和多个内载体管道；驱动部与内环部相连，用于驱动内环部旋转。本公开能够解决MO源的浓度分布不均的问题。
金属有机化学沉积设备

[发明专利]改善发光效率的发光二极管及其制备方法-CN202211448280.3在审
发明人：肖云飞;贾胜敏;陆香花;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括提供一衬底；在所述衬底上生长n型层；在所述n型层上交替生长多个量子阱层和多个量子垒层，形成发光层；在所述发光层上生长p型层；其中，所述量子阱层采用以下方式形成：形成第一InGaN层；向反应腔通入氢气，在所述第一InGaN层上形成第二InGaN层；停止通入氢气，在所述第二InGaN层上形成第三InGaN层。本公开实施例能提高电子空穴复合效率，提升发光二极管的发光效率。
改善发光效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]提高亮度一致性的发光二极管的制备方法-CN202211153536.8在审
发明人：林云真;陈建南;田艳红;尹灵峰;王江波;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括多个发光二极管芯片；检测发光二极管芯片的发光亮度；减小第一发光二极管芯片的发光区的面积，所述第一发光二极管芯片为发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片。通过对晶圆中的发光二极管芯片的发光亮度进行检测，能够得到发光二极管芯片实际的发光亮度与基准亮度之间的大小关系，对于发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片，通过减小其发光区的面积，降低其发光亮度，使发光二极管芯片的发光亮度更加接近于基准亮度，从而提高同一晶圆制得的发光二极管的发光亮度的一致性。
提高亮度一致性发光二极管制备方法

[发明专利]柔性基板和显示面板-CN202211074158.4在审
发明人：陈张笑雄;龚逸品;王群;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供了一种柔性基板和显示面板，属于显示技术领域。该柔性基板包括多个岛和多个连接桥，多个岛阵列布置；连接桥为轴对称的弯折结构，多个连接桥包括多个第一连接桥和多个第二连接桥，第一连接桥的两端沿着第一方向排列，第二连接桥的两端沿第二方向排列，第一方向为阵列的行方向和列方向中的一个，第二方向为行方向和列方向中的另一个；在第一方向上相邻的两个岛的相对两侧边分别与一个第一连接桥的两端连接，且在第二方向上相邻的两个岛的相对两侧边分别与一个第二连接桥的两端连接。该柔性基板有利于减小显示面板在弯曲或被拉伸时显示图像的失真。
柔性显示面板

[发明专利]提升亮度的发光二极管及其制备方法-CN202211208835.7在审
发明人：张圣君;冯岩;王聪;汪国华;蒯亮;王江波;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种提升亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底和位于所述衬底的承载面的外延层；所述外延层的侧壁的截面为折线，所述截面垂直于所述承载面。本公开能减少发光二极管的侧面出光，提升亮度。
提升亮度发光二极管及其制备方法

[发明专利]外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法-CN202110604189.5有效
发明人：从颖;姚振;董彬忠;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法，属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽，在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内，反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力，压差作用下，衬底会吸附在孔洞上，减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部，抵消离心力对衬底的影响，减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触，衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀，因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀，可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。
外延托盘应用发光二极管制备方法

[发明专利]隔离挡板的检漏连接头及检漏方法-CN202110003571.0有效
发明人：薛涛;蒋晓旭;袁将峰;刘华明 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： F16L15/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种隔离挡板的检漏连接头及检漏方法，属于金属有机化合物化学气相沉淀设备领域。所述检漏连接头包括：安装端子和接头端子，所述安装端子包括安装主体，所述安装主体上设有第一连接部以及用于套装在隔离挡板的冷却液管上的安装部，所述接头端子包括接头主体，所述接头主体上设有第二连接部，所述第一连接部与所述第二连接部可拆卸连接以使所述接头端子套装在所述冷却液管的管口上，所述接头主体上还设有用于将所述冷却液管的管口与检漏仪密封连通的接头部。本公开能够检测Shutter上是否存在漏点。
隔离挡板检漏接头方法

[发明专利]石墨基板-CN202110324200.2有效
发明人：葛永晖;梅劲;刘春杨;丁涛;王慧 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开提供了一种石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板具有相对的上表面和下表面，所述上表面上具有多个用于容纳外延片的凹槽，所述石墨基板的下表面上具有多个弧形凹坑，所述多个弧形凹坑与所述多个凹槽一一对应，每个所述凹槽在所述上表面上的正投影均为圆，每个所述弧形凹坑在所述上表面上的正投影均为圆弧，且所述圆弧位于对应的所述圆的圆周上，所述圆弧为所述圆上距离所述石墨基板的中心线距离最远的一段圆弧。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以缓解衬底圆边处由于离心力大导致的生长温度较高的问题，保证在衬底上形成的各个外延片的波长均匀性。
石墨

[发明专利]功率半导体器件及其制备方法-CN202210861637.4在审
发明人：王群;龚逸品;陈张笑雄;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于半导体电力电子领域。该功率半导体器件包括外延片、阳电极和阴电极；外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、GaN层、AlGaN层、GaN帽层和SiN保护层；阳电极和阴电极相互间隔，阳电极和阴电极均嵌入AlGaN层和GaN帽层内，阳电极包括在外延生长方向上依次叠设的GaN部和肖特基金属电极部，阴电极包括在外延生长方向上依次叠设的重掺N型GaN部和欧姆金属电极部。本公开能够改善电场分布，提高可靠性。
功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]改善断裂的发光二极管及其制备方法-CN202210928874.8在审
发明人：兰叶;王江波;张威 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层、钝化层和至少两个焊点块；所述外延层包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述钝化层位于所述第二半导体层上，所述钝化层远离所述基板的表面具有第一过孔和多个第二过孔；所述焊点块位于所述钝化层远离所述基板的表面，一个所述焊点块通过所述第一过孔与所述第二半导体层连接，至少一个所述焊点块通过所述第二过孔与所述第一半导体层连接。本公开实施例能改善外延层强度差容易断裂的问题。
改善断裂发光二极管及其制备方法

[发明专利]提高微型发光二极管发光一致性的生长方法-CN202210792545.5在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高微型发光二极管发光一致性的生长方法，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成三维成岛层，在形成所述三维成岛层时，控制向反应腔内通入的alkyl气体的流量不低于250ml/min，且不高于600ml/min；在所述三维成岛层上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层。在生长三维成岛层时，以不低于250ml/min，且不高于600ml/min的流量通入alkyl气体，在alkyl气体的推动下，能够提高反应腔中央区域的MO浓度，避免MO源大多集中在反应腔的边缘，使MO源在反应腔中分布更加均匀，提高微型发光二极管的发光一致性。
提高微型发光二极管发光一致性生长方法

[发明专利]芯粒转移装置及方法-CN202210729159.1在审
发明人：陈张笑雄;龚逸品;李鹏;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开提供了一种芯粒转移装置及方法，属于显示面板制造领域。该芯粒转移装置包括基座、输料组件和光镊组件；基座具有用于放置驱动面板的支撑面，基座内具有电磁线圈；输料组件的输料口朝向基座的支撑面；光镊组件与输料组件位于基座的同一侧，光镊组件被配置为，驱动输料组件输出的芯粒进入驱动面板的对应孔位中。本公开能够高效的完成巨量转移。
转移装置方法

[发明专利]提升亮度的发光二极管及其制备方法-CN202210924667.5在审
发明人：石时曼;陈星宇;吴军;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种提升亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：第一衬底、反射镜层、第一透明导电层、欧姆接触层和外延层；所述第一衬底、所述反射镜层、第一透明导电层和所述外延层依次层叠；所述第一透明导电层靠近所述外延层的表面具有多个凹槽，所述多个凹槽间隔分布；所述欧姆接触层包括位于所述多个凹槽中的块状结构。本公开实施例能减少半导体层对光线的吸收，提升发光二极管的亮度。
提升亮度发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法-CN202210695932.7在审
发明人：姚振;从颖;龚逸品;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片制备方法包括：将衬底放入反应室的石墨盘中；向反应室中通入氨气；采用至少一次阶梯式调速调整石墨盘的转速，直至石墨盘的转速满足设定转速，阶梯式调速包括依次执行的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，第一阶段时，控制石墨盘的转速增大，第二阶段时，控制石墨盘的转速减小，第三阶段时，控制石墨盘的转速增大，第四阶段时，控制石墨盘的转速不变，在同一次阶梯式调速中，石墨盘在第一阶段的最大转速小于石墨盘在第三阶段的最大转速；在衬底上生长外延层。本公开实施例能有效改善衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题。
改善发光二极管外延片飞片制备方法

[发明专利]射频器件的外延结构及其制备方法-CN202210564546.4在审
发明人：王群;龚逸品;李鹏;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种射频器件的外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该射频器件的外延结构包括依次层叠的基板、成核层、第一AlN层、第一GaN层、第二AlN层、AlGaN层和第二GaN层；所述基板包括：衬底和氧化铝膜，氧化铝膜层叠于所述衬底的表面，所述氧化铝膜位于所述衬底和所述成核层之间。本公开能改善射频器件的外延结构生长过程中因衬底受损而影响生长质量的问题，提升外延结构的生长质量。
射频器件外延结构及其制备方法