专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种便于排线的线路板-CN202321055582.4有效
  • 喻献华;刘传凯;杨武梅 - 珠海市好乐意电子科技有限公司
  • 2023-05-05 - 2023-10-17 - H05K1/02
  • 本申请公开了一种便于排线的线路板,涉及线路板技术领域,包括线路板本体,所述线路板本体上方安装有排线板,所述排线板与线路板中间四角处通过安装结构固定,所述排线板上设置有多个导线固定结构,所述导线固定结构包括穿线孔、限位杆、弹簧和夹板,所述排线板上设置有多个散热孔,所述散热孔内均嵌入安装有防尘网。在排线板上设置有多个散热孔,并且在散热孔内嵌入安装有防尘网,散热孔能够将线路板上产生的热量及时的排出,避免热量集中在线路板影响电路的正常连通的问题,在穿线孔内安装限位杆、弹簧和夹板,夹板在限位杆和弹簧的作用下能够对导线夹紧,避免导线在运行时与线路板连接处松动,影像设备使用的问题。
  • 一种便于排线线路板
  • [发明专利]凹槽栅MIS增强型HEMT器件及其制造方法-CN202310746509.X在审
  • 李京波;汪禹;刘传凯;钱昊;王小周 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-09-08 - H01L29/06
  • 本申请公开了凹槽栅MIS增强型HEMT器件及其制备方法,其中器件包括由下至上依次设置的:衬底、AlGaN缓冲层、GaN‑Recover层、U‑GaN层、非故意C掺杂GaN层、GaN沟道层、AlN层、AlGaN层、Si掺杂AlGaN层以及GaN帽层,还包括:凹槽,形成于GaN帽层、Si掺杂AlGaN层以及AlGaN层;栅介质层,位于GaN帽层的上表面且覆盖凹槽的侧壁和底壁,栅介质层上具有贯穿栅介质层的第一凹口和第二凹口,第一凹口和第二凹口分别位于凹槽的两侧;源电极,位于第一凹口;漏电极,位于第二凹口;栅电极,设于栅介质层的外表面且位于凹槽处。本发明通过将AlGaN刻蚀减薄,降低刻蚀处的二维电子气浓度,从而达到关断的效果,不需要外延P‑GaN,降低了工艺难度。
  • 凹槽mis增强hemt器件及其制造方法
  • [发明专利]一种小型断路器的自动组装设备-CN201811439024.1有效
  • 柴龙敏;韩立勇;葛冠超;蔡杰;吴金锐;刘传凯;王峰 - 宁波海天智联科技有限公司
  • 2018-11-29 - 2023-08-08 - B23P19/027
  • 本发明公开了一种小型断路器的自动组装设备,包括合装装置,合装装置由具有六个自由度的机械臂以及连接在机械臂上的合装治具组成;合装台,合装台沿纵向固定有第一侧板和第二侧板,第一侧板和第二侧板相对设置,且两者之间形成供排列后的小型断路器移动的移动空间;夹取机构,夹取机构设置在合装台上,以接收从合装治具移送的小型断路器;拨动机构,拨动机构设置在合装台上,以逐个传输经夹取机构移送的小型断路器;横向推进机构,横向推进机构设置在拨动机构的出料口处,以接收由拨动机构移送的小型断路器;纵向推进机构,用于将经横向推进机构排列后的整排小型断路器向移动空间纵向推进;优点是装配效率高且成品质量较高。
  • 一种小型断路器自动组装设备
  • [发明专利]一种大电流耗尽型HEMT器件及其制备方法-CN202310182731.1在审
  • 李京波;王小周;龚彬彬;韩理想;刘传凯 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-07-28 - H01L29/778
  • 本申请公开了一种大电流耗尽型HEMT器件及其制备方法,其中,大电流耗尽型HEMT器件,包括:衬底;GaN缓冲层,位于衬底的上表面;U‑GaN层,位于GaN缓冲层的上表面;AlN插入层,位于U‑GaN层的上表面;AlGaN层,位于AlN插入层的上表面;栅介质层,位于AlGaN层的上表面,栅介质层上具有延伸至AlGaN层的第一接触孔和第二接触孔,栅介质层为Al2O3;源电极,形成在第一接触孔上;漏电极,形成在第二接触孔上以及栅电极,形成在栅介质层上;AlGaN层包括位于下方的非掺杂层以及位于上方的掺杂层,掺杂层进行Si原子掺杂。本申请U‑GaN层和AlGaN层形成2DEG,AlN插入层可以一定程度提高电子气浓度;针对欧姆接触和大电流的需求,在AlGaN的外延生长中进行掺杂,在提高2DEG浓度的同时改善电极的接触特性。
  • 一种电流耗尽hemt器件及其制备方法
  • [发明专利]紫外光电探测器及其制备方法-CN202310356611.9在审
  • 李京波;汪禹;王小周;韩理想;刘传凯;钱昊;刘航瓒 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-04-04 - 2023-07-21 - H01L31/113
  • 本申请公开了紫外光电探测器及其制备方法,其中,紫外光电探测器包括:衬底;缓冲层,位于衬底表面;高阻GaN层,位于缓冲层表面;p‑GaN埋层,位于高阻GaN层表面;n‑GaN沟道层,位于p‑GaN埋层表面;AlN插入层,位于n‑GaN沟道层表面;Al0.25Ga0.75N隔离层,位于AlN插入层表面;n‑Al0.25Ga0.75N层,位于Al0.25Ga0.75N隔离层表面;p‑GaN帽层,位于n‑Al0.25Ga0.75N层表面,p‑GaN帽层、n‑Al0.25Ga0.75N层和Al0.25Ga0.75N隔离层形成有第一凹口;栅介质层,位于n‑GaN沟道层的上表面、p‑GaN帽层的上表面以及第一凹口的表面,栅介质层、p‑GaN帽层以及n‑Al0.25Ga0.75N层形成有两个第二凹口;栅电极,位于第一凹口上;漏电极,位于其中一个第二凹口上;源电极,位于另一个第二凹口上。本申请能够降低暗态电流,增加器件的光开关比,且具有优秀的快速光响应性能。
  • 紫外光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种考虑遮挡效应的空间站伴星绕飞轨道设计方法-CN202310330953.3在审
  • 侯卓君;党朝辉;焦博涵;刘传凯;徐明 - 西北工业大学
  • 2023-03-29 - 2023-06-27 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种考虑遮挡效应的空间站伴星绕飞轨道设计方法,包括以下步骤:对目标本体进行几何化处理,计算各个空间几何面的参数方程和目标几何表面边界约束;根据待观测点位置和卫星绕飞轨道位置,构造卫星观测视线参数方程;利用卫星观测视线参数方程和各个空间几何面的参数方程计算各个视线方程参数,对各个视线方程参数的取值情况进行分类并判断初步遮挡情况;根据目标几何表面边界约束和初步遮挡情况,对视线与空间几何面的交点的遮挡有效性进行判断,完成对目标本体的几何遮挡有效性分析。本发明为三维空间的遮挡效应提供了遮挡算法的解析化、直观化的处理流程,有效地解决了面向复杂组合结构体的成像观测中的遮挡问题。
  • 一种考虑遮挡效应空间站伴星轨道设计方法
  • [发明专利]基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器及其制造方法-CN202310316978.8在审
  • 李京波;刘杭瓒;汪禹;杨雄;刘传凯;王小周;韩理想 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-27 - H01L31/112
  • 本申请公开了一种基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器,包括:衬底;缓冲层,位于衬底的上表面;第一n+‑GaN层,位于缓冲层的上表面;n‑GaN层,位于第一n+‑GaN层的上表面;p‑GaN层,位于n‑GaN层的上表面;第二n+‑GaN层,位于p‑GaN层的上表面,p‑GaN层和第二n+‑GaN层上形成有延伸至n‑GaN层表面的第一凹口;栅介质层,位于第一n+‑GaN层的上表面、第二n+‑GaN层的上表面以及第一凹口的表面,栅介质层、第二n+‑GaN层以及p‑GaN层形成有第二凹口;漏电极,位于第一n+‑GaN层上;栅电极,位于栅介质层的上表面,与第一凹口相对应;源电极,位于第二凹口处。本申请PN结的存在使其拥有栅压调控其光电特性的能力。通过施加给器件一个正栅压,紫外探测的光暗电流比能够超过106,同时器件具有极快的上升时间τrise和衰减时间τdecay
  • 基于氮化mos结构紫外光电探测器及其制造方法

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