“冯志红”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果800个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于MEMS工艺的220GHz接收机-CN201710370212.2有效
发明人： 冯志红;王俊龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H04B1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz接收机，涉及太赫兹技术领域。所述接收机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的接收机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述接收机的盒体为采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了接收机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。
基于 mems 工艺 220 ghz 接收机

[发明专利]金刚石晶体管制备方法-CN201910695737.2有效
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明适用于晶体管制备技术领域，提供了一种金刚石晶体管制备方法，该方法包括：提供氢终端金刚石，在氢终端金刚石上制备源极和漏极；将预先制备的栅介质层转移贴合在制备有源极和漏极的氢终端金刚石上；在栅介质层上制备栅极，得到金刚石晶体管。通过转移栅介质层避免高温制备栅介质层破坏氢终端金刚石的沟道，从而避免了晶体管电流密度的退化。
金刚石晶体管制备方法

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管及制备方法-CN202110125788.9有效
发明人：吕元杰;王元刚;马春雷;刘宏宇;付兴昌;宋旭波;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层中、栅电极的下方设有p型离子注入区，所述p型离子注入区的深度由靠近所述源电极的一端向靠近所述漏电极的一端逐渐变浅。本发明提供的氧化镓场效应晶体管，不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
一种氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法-CN201911376545.1有效
发明人：张志荣;郭艳敏;尹甲运;王波;高楠;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种AlN薄膜的制备方法。所述制备方法为：将清洗后的衬底放入反应腔内，并对衬底进行热处理；向所述反应腔内通入氮源；将所述反应腔内的温度升至预设的第一温度，并向所述反应腔内通入Al源，以进行AlN层的生长；当达到预设条件时，停止向所述反应腔内通入Al源，并将所述反应腔内的温度降至预设的第二温度，以终止当前AlN层的生长；重复进行N‑1次所述步骤c至所述步骤d的操作，以生长出包括N层AlN层的AlN薄膜，其中，N为大于1的整数。本发明采用重复生长的方法生长AlN薄膜，能够在较低温度生长高质量AlN外延薄膜，具有很宽的工艺窗口。
一种 aln 薄膜制备方法

[外观设计]保温杯包装盒（手提式）-CN202230301281.X有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：保温杯包装盒（手提式）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于存放保温杯。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
保温杯包装手提式

[发明专利]一种高频肖特基二极管及其制备方法-CN202211020575.0在审
发明人：宋旭波;冯志红;吕元杰;梁士雄;张立森;许婧;游恒果;刘帅;刘京亮;刘桢;盛百城 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。
一种高频肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸二维材料异质结构的制备方法-CN202011041650.2有效
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开一种大尺寸二维材料异质结构的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在第一金属衬底上的第一二维材料表面生长氧化铝薄膜并旋涂光刻胶；采用电化学鼓泡法剥离第一二维材料；用生长有第二二维材料的第二金属衬底捞起第一二维材料；旋涂光刻胶并采用电化学鼓泡法剥离异质结构；使用目标衬底将剥离所得异质结构捞起，或重复多次捞起和剥离后，再用目标衬底将剥离所得的异质结构捞起，去除表面光刻胶及氧化铝。本发明提供的制备方法，可以有效的解决二维材料异质结构组装过程中材料界面间的污染，能够制备得到具有连续完整结构的大尺寸清洁界面二维材料异质结构。
一种尺寸二维材料结构制备方法

[发明专利]氧化镓SBD的制备方法及结构-CN202011578764.0有效
发明人：王元刚;吕元杰;孙肇峰;敦少博;刘宏宇;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓SBD的制备方法及结构，属于半导体制造技术领域。所述氧化镓SBD的制备方法，包括N+高浓度衬底，生长在所述N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓外延层，通过在所述N‑低浓度氧化镓外延层上淀积介质掩膜层和金属掩膜层，干法刻蚀未被所述金属掩膜层覆盖的介质掩膜层，湿法腐蚀所述金属掩膜层下部预设宽度的介质掩膜层，去除所述金属掩膜层后，在所述N‑低浓度氧化镓外延层上生长P型异质层，最后制备阴极和阳极。本发明提供的制备氧化镓SBD的方法，采用双层掩膜，湿法腐蚀突破光刻尺寸限制，从而实现更小的P型异质层间距。
氧化 sbd 制备方法结构

[外观设计]杯子（焖杯6）-CN202230531016.0有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯子（焖杯6）。2.本外观设计产品的用途：用于焖烧、保温食物或液体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯子焖杯

[发明专利]金刚石NV色心磁力探测器及探测系统-CN202210712626.X在审
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;郭建超;刘庆彬;马孟宇;何泽召;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石NV色心磁力探测器及探测系统。该金刚石NV色心磁力探测器包括：包括金刚石NV色心系综薄片、第一磁通量聚集器、第二磁通量聚集器和抛物面透镜；金刚石NV色心系综薄片包括NV色心层和与NV色心层边缘集成的高纯衬底层；高纯衬底层的色心浓度小于预设阈值；金刚石NV色心系综薄片，上表面与第一磁通量聚集器边缘接触集成，下表面与第二磁通量聚集器边缘接触集成；高纯衬底层远离NV色心层的一侧与抛物面透镜边缘接触集成；其中，NV色心层在外部激发源的激发下产生荧光，经过高纯衬底层的荧光传输，从抛物面透镜中射出。本发明能够提高磁探测的探测灵敏度。
金刚石 nv 色心磁力探测器探测系统

[外观设计]搅拌杯-CN202230381196.9有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：搅拌杯。2.本外观设计产品的用途：用于搅拌食物。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
搅拌

[外观设计]杯子（焖杯5）-CN202230436896.3有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯子（焖杯5）。2.本外观设计产品的用途：用于喝水的杯子。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯子焖杯

[发明专利]一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法-CN202210640920.4在审
发明人：杨大宝;刘波;邢东;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能。
一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法

[外观设计]杯子（焖杯3）-CN202230418721.X有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯子（焖杯3）。2.本外观设计产品的用途：用于盛装液体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯子焖杯

[外观设计]杯子（焖杯4）-CN202230437333.6有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯子（焖杯4）。2.本外观设计产品的用途：用于喝水的杯子。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯子焖杯