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[发明专利]石墨烯胶囊封装晶体管制备方法-CN201910837111.0有效
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明适用于石墨烯晶体管制备技术领域，提供了一种石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，包括：在第一预设衬底上生长h‑BN薄膜并利用第一光刻胶制备h‑BN台面样品；将h‑BN台面样品去除第一预设衬底后通过热释放胶带转移到石墨烯上，并去除热释放胶带以及第一光刻胶，获得石墨烯样品；其中石墨烯样品包括h‑BN台面；对石墨烯样品进行第一次刻蚀，获得较h‑BN台面大的石墨烯台面；在石墨烯台面以及h‑BN台面上分别制备源极、漏极以及栅极，获得石墨烯胶囊封装晶体管。本发明的石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，可以使源极和漏极与石墨烯台面形成水平面内电极接触，从而降低接触电阻，降低石墨烯胶囊封装晶体管的制备难度，提高成品率。
石墨胶囊封装晶体管制备方法

[发明专利]W波段及太赫兹频率低端倍频器-CN201610608935.7有效
发明人：王俊龙;冯志红;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种W波段及太赫兹频率低端倍频器，涉及倍频器技术领域。所述倍频器包括肖特基二极管倍频电路、第一至第三5880基板电路、第一至第二石英滤波电路以及一个电容，所述第一5880基板电路的输入端与K型接头连接，所述第一5880基板电路的输出端与所述肖特基二极管倍频电路的输入端连接，所述第二5880基板电路的输出端与所述第一石英滤波电路的输入端连接，所述第一石英滤波电路的输出端为直流偏置信号输出端，所述第三5880基板电路的输出端与所述第二石英滤波电路的输入端连接。所述倍频器的倍频效率高、输出带宽宽、工艺简单、集成度高。
波段赫兹频率低端倍频器

[外观设计]杯盖（倒流）-CN202230814789.X有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯盖（倒流）。2.本外观设计产品的用途：用于杯子的杯盖。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯盖倒流

[发明专利]MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法-CN202210213400.5有效
发明人：马孟宇;蔚翠;郭建超;刘庆斌;王亚伟;周闯杰;何泽召;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法，属于气相沉积技术领域，包括：钼托底座以及分体的钼环，钼环层叠置于钼托底座上，且其外表面不凸出于钼托底座的外表面，钼环具有外接于金刚石衬底的通孔。本发明提供的MPCVD单晶金刚石生长钼托，能够解决金刚石衬底与卡槽侧壁的面面接触导致散热不均、结碳层难于清理、及金刚石衬底移动的问题。钼托结构简单，便于操作，在金刚石生长过程中，散热均匀，成本低廉，便于清洁，解决了在单晶金刚石生长时存在的一系列问题，对于研究高质量单晶金刚石的生长具有重大意义。
mpcvd 金刚石生长方法

[发明专利]氧化镓SBD终端结构及制备方法-CN201910537186.7有效
发明人：吕元杰;王元刚;周幸叶;谭鑫;宋旭波;徐森锋;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N‑低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。该结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
氧化 sbd 终端结构制备方法

[外观设计]磁力搅拌杯-CN202230785980.6有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁力搅拌杯。2.本外观设计产品的用途：用于盛放和搅拌液体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
磁力搅拌

[外观设计]杯盖-CN202230739710.1有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯盖。2.本外观设计产品的用途：用于杯子的杯盖。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯盖

[外观设计]杯盖（20221128）-CN202230794716.9有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯盖（20221128）。2.本外观设计产品的用途：用于杯盖。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯盖 20221128

[外观设计]咖啡杯（2）-CN202230805608.7有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：咖啡杯（2）。2.本外观设计产品的用途：用于喝水、茶、咖啡的杯子。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
咖啡杯

[外观设计]咖啡杯-CN202230806054.2有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：咖啡杯。2.本外观设计产品的用途：用于盛装液体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
咖啡杯

[发明专利]双面金刚石的制备方法及双面金刚石-CN202211246733.4在审
发明人：刘庆彬;蔚翠;郭建超;马孟宇;何泽召;周闯杰;高学栋;余浩;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种双面金刚石的制备方法及双面金刚石。该方法包括：在衬底的上表面和下表面均制备金刚砂种子，得到第一复合衬底；将散热工装放置在金刚石生长炉内的钼托上，散热工装为环形中空结构，在散热工装的侧壁设有穿透侧壁的孔；将第一复合衬底放在所述散热工装上，关闭金刚石生长炉的舱门，在第一复合衬底的双面生长金刚石，得到双面金刚石。本发明能够制备表面均匀平坦的外延金刚石材料。
双面金刚石制备方法

[发明专利]一种二维材料场效应晶体管的制备方法-CN202011032709.1有效
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶体管技术领域，具体公开一种二维材料场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层；旋涂台面胶，光刻显影，腐蚀台面外金属；去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，蒸镀源漏电极并剥离；旋涂电子束光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀第二金属层得栅槽，并清洗；使栅槽处第一金属层自氧化得到栅介质，蒸发栅金属并剥离。本发明提供的制备方法只腐蚀沟道处的第二金属层，使第一金属层自氧化形成栅介质，沟道处的二维材料不接触任何溶液避免污染问题出现，得到超洁净的二维材料场效应晶体管。
一种二维材料场效应晶体管制备方法

[发明专利]用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件-CN202011085015.4有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;吕元杰;顾国栋;徐鹏;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
用于赫兹频段电容测试肖特基二极管半导体器件

[发明专利]氧化镓SBD的制备方法及结构-CN202011379689.5有效
发明人：王元刚;吕元杰;孙肇峰;敦少博;刘宏宇;周幸叶;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓SBD的制备方法及结构，属于半导体制造技术领域，一种氧化镓SBD的制备方法，包括N+高浓度衬底，生长在N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓外延层，通过在N‑低浓度氧化镓外延层上淀积第一掩膜层和第二掩膜层，然后刻蚀形成凹槽，在凹槽上生长P型异质层，最后制备阴极和阳极。所述氧化镓SBD结构包括N+高浓度衬底，生长在N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓，在N‑低浓度氧化镓上设有凹槽，凹槽内有P型异质层，最后制备阴极和阳极。本发明提供的制备氧化镓SBD的方法，采用双层掩膜，通过湿法处理修复刻蚀损伤，提高了器件的击穿特性。
氧化 sbd 制备方法结构

[发明专利]一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法-CN202210051168.X有效
发明人：刘庆彬;郭建超;蔚翠;马孟宇;高学栋;王亚伟;何泽召;周闯杰;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，属于异质外延金刚石制备技术领域，包括以下步骤：以MgO衬底为基础衬底，通过光刻和刻蚀制备金字塔形状的MgO衬底，并通过高温溅射将金属Ir结合，形成Ir/MgO复合衬底，通过在Ir/MgO复合衬底上完成异质外延金刚石的生长，最后，Ir/MgO复合衬底连同外延金刚石一并从高温状态快速降温，利用Ir/MgO复合衬底和外延金刚石热膨胀系数的不同，使二者脱离，以完成异质外延金刚石的制备，并达到Ir/MgO复合衬底可重复利用的目的。本发明提供的一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，有助于制备人为可控厚度，表面均匀平坦，可重复利用衬底异质外延金刚石材料。
一种重复利用衬底外延金刚石材料方法